一种驱动电路、升压电路以及空调器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种MOS管驱动电路、升压电路以及空调器，涉及晶体管驱动技术领域。该MOS管驱动电路包括SiC MOS管、驱动芯片以及驱动器件，驱动芯片的第一引脚通过驱动器件与MOS管的栅极电连接，驱动芯片的第二引脚也与MOS管的栅极电连接；其中，驱动芯片用于通过第一引脚输出高电平，以驱动MOS管导通；驱动芯片还用于通过第二引脚输出低电平，以驱动MOS管关断，且驱动芯片的第二引脚接地，以对MOS管的栅极电压进行钳位。本实用新型专利技术提供的MOS管驱动电路、升压电路以及空调器不易出现击穿或误导通的情况。

【技术实现步骤摘要】
一种驱动电路、升压电路以及空调器
本技术涉及晶体管驱动
，具体而言，涉及一种驱动电路、升压电路以及空调器。
技术介绍
目前空调上，PFC(PowerFactorCorrection，功率因数校正)电路使用SiIGBT作为开关管，但随着新材料SiC器件的发展，SiCMOSFET的应用已较为常见。SiCMOSFET与SiIGBT相比，前者具有的高耐压、低阻抗、高频性、低损耗、耐高温等特性，明显优于SiIGBT，因此SiCMOSFET代替SiIGBT，在空调上应用将成为未来的趋势。然而，当进行高频工作时，SiCMOSFET的导通与关断容易在栅极出产生电流电压尖峰和震荡，使得SiCMOSFET栅极电压过高，进而导致MOS管击穿或误导通。综上所述，SiCMOSFET在高频工作时容易出现击穿或误导通的情况。
技术实现思路
本技术解决的问题是SiCMOSFET在高频工作时容易出现击穿或误导通的情况。为解决上述问题，第一方面，本申请提供了一种MOS管驱动电路，所述MOS管驱动电路包括SiCMOS管、驱动芯片以及驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOS管驱动电路，其特征在于，所述MOS管驱动电路包括SiC MOS管(110)、驱动芯片(120)以及驱动器件(130)，所述驱动芯片(120)的第一引脚通过所述驱动器件(130)与所述MOS管(110)的栅极电连接，所述驱动芯片(120)的第二引脚也与所述MOS管(110)的栅极电连接；其中，/n所述驱动芯片(120)用于通过所述第一引脚输出高电平，以驱动所述MOS管(110)导通；/n所述驱动芯片(120)还用于通过所述第二引脚输出低电平，以驱动所述MOS管(110)关断，且所述驱动芯片(120)的第二引脚接地，以对所述MOS管(110)的栅极电压进行钳位。/n

【技术特征摘要】
1.一种MOS管驱动电路，其特征在于，所述MOS管驱动电路包括SiCMOS管(110)、驱动芯片(120)以及驱动器件(130)，所述驱动芯片(120)的第一引脚通过所述驱动器件(130)与所述MOS管(110)的栅极电连接，所述驱动芯片(120)的第二引脚也与所述MOS管(110)的栅极电连接；其中，
所述驱动芯片(120)用于通过所述第一引脚输出高电平，以驱动所述MOS管(110)导通；
所述驱动芯片(120)还用于通过所述第二引脚输出低电平，以驱动所述MOS管(110)关断，且所述驱动芯片(120)的第二引脚接地，以对所述MOS管(110)的栅极电压进行钳位。


2.根据权利要求1所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述驱动器件(130)包括第一电阻，所述第一电阻的一端与所述驱动芯片(120)的第一引脚电连接，所述第一电阻的另一端与所述MOS管(110)的栅极电连接。


3.根据权利要求1所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述MOS管驱动电路还包括防震荡模块(140)，所述防震荡模块(140)分别与所述MOS管(110)的源极与栅极电连接。


4.根据权利要求3所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述防震荡模块(140)包括防震荡电容。


5.根据权利要求1所述的MOS管驱动电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，周鹏宇，游剑波，陈志强，周程建，邹子明，
申请(专利权)人：珠海拓芯科技有限公司，宁波奥克斯电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44