【技术实现步骤摘要】
一种可控硅控制装置
本技术涉及可控硅
，尤其涉及一种可控硅控制装置。
技术介绍
在国内，从事可控硅电力电子器件研究、制造，以及使用可控硅作为主功率器件的电力电子变流设备研究和生产的企业、事业单位有近千家，可控硅电力电子变流设备的用户几乎遍布全国各个工业部门。相对于发达国家，我国可控硅电力电子变流设备的研发、生产技术还比较薄弱。其中，三相可控硅控制技术是可控硅控制的核心技术之一，已经历了几个发展阶段。此前的可控硅控制技术基本上是采用PID调节仪辅以可控硅调整器、调功器的系统集成方法来完成相关参数的控制任务。以往的模拟可控硅控制装置和准数字可控硅控制装置，其触发脉冲的控制角是通过用户提供的电压波形与内部提供的锯齿波比较或其他模拟控制量形成触发脉冲的，形成的触发脉冲控制角精度不高并且稳定性差。此外，因生产和工艺需要，许多设备需要频繁启动、制动、反转、变速，其中反转操作由于目前需要人为干预或复杂的电路而极为费时费力。
技术实现思路
基于此，为解决现有技术存在的不足，特提出了一种可控硅控制装置。
【技术保护点】
1.一种可控硅控制装置，其特征在于，包括：微处理器及其周边电路、可控硅控制芯片、可控硅光耦隔离驱动电路、可控硅主回路、数据采集模块以及网络接口电路；其中，所述可控硅光耦隔离驱动电路通过所述可控硅主回路电连接受控仪表；所述微处理器通过所述可控硅控制芯片电连接所述可控硅光耦隔离驱动电路；且所述微处理器通过数据采集模块连接至负载侧。/n
【技术特征摘要】
1.一种可控硅控制装置，其特征在于，包括：微处理器及其周边电路、可控硅控制芯片、可控硅光耦隔离驱动电路、可控硅主回路、数据采集模块以及网络接口电路；其中，所述可控硅光耦隔离驱动电路通过所述可控硅主回路电连接受控仪表；所述微处理器通过所述可控硅控制芯片电连接所述可控硅光耦隔离驱动电路；且所述微处理器通过数据采集模块连接至负载侧。
2.根据权利要求1所述的可控硅控制装置，其特征在于，
所述微处理器采用FreescaleK60系列微处理器及周边电路；所述周...
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