一种减少压差的可控硅调功电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种减少压差的可控硅调功电路，属于可控硅控制技术领域。包括可控硅，所述可控硅的T2极通过开关与电机的一端连接，所述可控硅的T1极分别与零线端和电源连接，所述电机的另一端与火线端连接，所述可控硅的G极与可控硅导通电路连接，所述可控硅导通电路用于导通或断开可控硅；所述开关上并联有第一电阻。使用此种减少压差的可控硅调功电路，可以导通可控硅后电机突然抖动。

【技术实现步骤摘要】
一种减少压差的可控硅调功电路
本技术涉及可控硅控制
，尤其涉及一种减少压差的可控硅调功电路。
技术介绍
可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。现有技术中，授权公告号为CN101984547B的中国专利，公开了一种可控硅斩波调功驱动装置。由交流电源过零检测电路、准锯齿波整形电路、电压时间转换器、微分电路、波形整形电路和可控硅组成。该装置实现成本低与输出功率高等优点。在电机中加入可控硅后，虽然可控硅能够调节电机的功率，但是在闭合开关后，可控硅会与交流电导通，从而导致可控硅瞬间导通，出现可控硅两端压差过大而造成电机抖动的现象，进而降低了使用者的使用体验。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种减少压差的可控硅调功电路，具有减缓电机抖动的优点。本技术的上述目的是通过以下技术方案得以实现的：一种减少压差的可控硅调功电路，包括可控硅，所述可控硅的T2极通过开关与电机的一端连接，所述可控硅的T1极分别与零线端和电源连接，所述电机的另一端与火线端连接，所述可控硅的G极与可控硅导通电路连接，所述可控硅导通电路用于导通或断开可控硅；所述开关上并联有第一电阻。通过采用上述技术方案，在未闭合开关时，由于可控硅的T2极的一端通过第一电阻与火线端连接，从而使得可控硅的T2极不处于悬空状态；在闭合开关以后，可控硅的T2极的一端通过闭合后的开关所在的支路与火线端导通。从而使得不管在开关闭合前还是闭合后，都不会使得可控硅的T2极的电压瞬间导通，而是使得可控硅的T2极处于持续与火线端连接的状态，从而解决了电机的抖动问题。且在这个过程中，在开关断开时，第一电阻会起到分压作用，从而使得电机处的电压较小，电机两端的电压不足以使得电机工作。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述第一电阻上串联有第二电阻。通过采用上述技术方案，通过第二电阻的设置，进一步降低电机两端的电压，从而避免电机意外启动的情况出现。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述可控硅的T1极与可控硅的T2极之间并联有第三电阻与第一电容；所述第一电容的一端与可控硅的T1极连接，所述第一电容的另一端与第三电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端耦接可控硅的T2极与第一电阻和开关的连接点。通过采用上述技术方案，通过第一电容与第三电阻的设置，由于第一电容两端电压具有不能突变的特性，来限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述可控硅导通电路包括三极管，所述三极管的基极通过第七电阻连接信号输入端，所述三极管的发射极接地，所述三极管的集电极与可控硅的G极连接。通过采用上述技术方案，在需要导通可控硅时，向三极管的基极输入信号，则三极管导通，三极管导通时则使得可控硅导通。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述三极管的集电极与可控硅的G极之间串联有第四电阻与第五电阻。通过采用上述技术方案，通过第四电阻与第五电阻的设置，可以对进入至可控硅G极的电流起到限流作用，使得可控硅处于合理的电流范围内。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述可控硅导通电路还包括第二电容，所述第二电容的一端耦接第四电阻与第五电阻的连接点，所述第二电容的另一端耦接第一电容与可控硅的T1极的连接点。通过采用上述技术方案，通过第二电容的设置，可以防止可控硅被误触发，干扰信号传输至可控硅的G极时，第二电容可以吸收部分干扰信号，以减少干扰信号对可控硅的干扰。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述可控硅导通电路还包括第六电阻，所述第六电阻的一端耦接三极管集电极与第七电阻的连接点，所述第六电阻的另一端与三极管的发射极连接。通过采用上述技术方案，通过第七电阻的设置，可以在断开三极管时，使得三极管基极的能量消耗在第七电阻上，从而保证三极管的可靠关断。综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：一、通过第一电阻的设置，可以使得可控硅的T2极始终与火线端保持连接的状态，不会在闭合开关后，从断开状态突然转换至连接状态，进而避免可控硅突然导通造成的电机抖动的情况；二、通过第二电阻的设置，可以扩大第一电阻两端的电压，进一步降低电机两端的电压，从而避免电机意外启动。附图说明图1是本技术的电路图。附图标记：R1、第一电阻；R2、第二电阻；R3、第三电阻；R4、第四电阻；R5、第五电阻；R6、第六电阻；R7、第七电阻；Q1、三极管；ACL、火线端；ACN、零线端；SQ、开关；C1、第一电容；C2、第二电容；M、电机；TR1、可控硅；VCC、电源。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步详细说明。参照图1，为本技术公开的一种减少压差的可控硅调功电路，包括可控硅TR1，可控硅TR1的T2极通过开关SQ与电机M的一端连接，可控硅TR1的T1极分别与零线端ACN和电源VCC连接，电机M的另一端与火线端ACL连接，可控硅TR1的G极与可控硅导通电路连接，可控硅导通电路用于导通或断开可控硅TR1。电源VCC为5V的直流电源VCC，且为隔离电源VCC(隔离电源VCC是使用变压器将交变电通过变压器将电压降低到较低的电压，然后再整流成直流电输出，以给可控硅TR1供电使用)；通过设置直流电源VCC，以使得可控硅TR1的T1极与G极之间形成一个压差，以使可控硅TR1导通工作。开关SQ上并联有第一电阻R1与第二电阻R2，第一电阻R1与第二电阻R2串联。第一电阻R1与第二电阻R2会起到分压作用，从而使得电机M处的电压较小，电机M两端的电压不足以使得电机M工作，即在断开开关SQ时，即使可控硅TR1的T2极通过第一电阻R1与第二电阻R2和火线端ACL连接，电机M仍然不会启动。可控硅TR1的T1极与可控硅TR1的T2极之间并联有第三电阻R3与第一电容C1；第一电容C1的一端与可控硅TR1的T1极连接，第一电容C1的另一端与第三电阻R3的一端连接；第三电阻R3的另一端耦接可控硅TR1的T2极与第一电阻R1和开关SQ的连接点。可控硅导通电路包括三极管Q1、第二电容C2与第六电阻R6。三极管Q1的基极通过第七电阻R7连接信号输入端，三极管Q1的基极通过第七电阻R7与信号接入端连接；三极管Q1的发射极接地；三极管Q1的集电极通过第五电阻R5与第四电阻R4和可控硅TR1的G极连接。第二电容C2的一端耦接第四电阻R4与第五电阻R5的连接点，第二电容C2的另一端耦接可控硅TR1的T1极与第一电容C1的连接点。第六电阻R6的一端耦接三极管Q1的基极与第七电阻R7的连接点，第六电阻R6的另一端与三极管Q1的发射极连接。本实施例的实施原理为：在未闭合开关SQ时，由于可控硅TR1的T2极的一端通过第一电阻R1与火线端ACL连接，从而使得可控硅TR1的T2极不处于悬空状态；在闭合开关SQ以后，可控硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减少压差的可控硅调功电路，其特征在于：包括可控硅TR1，所述可控硅TR1的T2极通过开关SQ与电机M的一端连接，所述可控硅TR1的T1极分别与零线端ACN和电源VCC连接，所述电机M的另一端与火线端ACN连接，所述可控硅TR1的G极与可控硅导通电路连接，所述可控硅导通电路用于导通或断开可控硅TR1；所述开关SQ上并联有第一电阻R1。/n

【技术特征摘要】
1.一种减少压差的可控硅调功电路，其特征在于：包括可控硅TR1，所述可控硅TR1的T2极通过开关SQ与电机M的一端连接，所述可控硅TR1的T1极分别与零线端ACN和电源VCC连接，所述电机M的另一端与火线端ACN连接，所述可控硅TR1的G极与可控硅导通电路连接，所述可控硅导通电路用于导通或断开可控硅TR1；所述开关SQ上并联有第一电阻R1。


2.根据权利要求1所述的一种减少压差的可控硅调功电路，其特征在于：所述第一电阻R1上串联有第二电阻R2。


3.根据权利要求1所述的一种减少压差的可控硅调功电路，其特征在于：所述可控硅TR1的T1极与可控硅TR1的T2极之间并联有第三电阻R3与第一电容C1；所述第一电容C1的一端与可控硅TR1的T1极连接，所述第一电容C1的另一端与第三电阻R3的一端连接；所述第三电阻R3的另一端耦接可控硅TR1的T2极与第一电阻R1和开关SQ的连接点。


4.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪军，姚继能，卢陈康，陈江平，
申请(专利权)人：浙江瑞德电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33