一种同步整流MOS管驱动电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种同步整流MOS管驱动电路，包括比较器CMP、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2，其中，所述电阻R1的一端接电源VCC1，所述电阻R1的另一端接所述二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极接MOS管SF的源极S，所述电阻R2的一端接电源VCC1，所述电阻R2的另一端接所述二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极接MOS管SF的漏极D，MOS管SF的栅极G与比较器CMP的输出端分别接电源VCC2。本实用新型专利技术的有益效果是：使用成本低廉的比较器（或者运算放大器）、二极管、电阻等实现与同步整流芯片相同的驱动功能，成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种同步整流MOS管驱动电路
本技术涉及同步整流驱动电路，尤其涉及一种同步整流MOS管驱动电路。
技术介绍
同步整流MOS管的驱动信号通常是由同步整流驱动芯片产生，使用同步整流驱动芯片的缺点是成本较高。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本技术提供了一种同步整流MOS管驱动电路。本技术提供了一种同步整流MOS管驱动电路，包括比较器CMP、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2，其中，所述电阻R1的一端接电源VCC1，所述电阻R1的另一端接所述二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极接MOS管SF的源极S，所述电阻R2的一端接电源VCC1，所述电阻R2的另一端接所述二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极接MOS管SF的漏极D，MOS管SF的栅极G与所述比较器CMP的输出端分别接电源VCC2，所述比较器CMP的同相输入端连接于所述电阻R1、二极管D1的阳极之间，所述比较器CMP的反相输入端连接于所述电阻R2、二极管D2的阳极之间，当有电流流经MOS管SF的体二极管时，其漏极D电压低于源极S电压，相应的，比较器CM本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种同步整流MOS管驱动电路，其特征在于：包括比较器CMP、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2，其中，所述电阻R1的一端接电源VCC1，所述电阻R1的另一端接所述二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极接MOS管SF的源极S，所述电阻R2的一端接电源VCC1，所述电阻R2的另一端接所述二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极接MOS管SF的漏极D，MOS管SF的栅极G与所述比较器CMP的输出端分别接电源VCC2，所述比较器CMP的同相输入端连接于所述电阻R1、二极管D1的阳极之间，所述比较器CMP的反相输入端连接于所述电阻R2、二极管D2的阳极之间，当有电流流经MOS管SF的体二极管时...

【技术特征摘要】
1.一种同步整流MOS管驱动电路，其特征在于：包括比较器CMP、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2，其中，所述电阻R1的一端接电源VCC1，所述电阻R1的另一端接所述二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极接MOS管SF的源极S，所述电阻R2的一端接电源VCC1，所述电阻R2的另一端接所述二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极接MOS管SF的漏极D，MOS管SF的栅极G与所述比较器CMP的输出端分别接电源VCC2，所述比较器CMP的同相输入端连接于所述电阻R1、二极管D1的阳极之间，所述比较器CMP的反相输入端连接于所述电阻R2、二极管D2的阳极之间，当有电流流经MOS管SF的体二极管时，其漏极D电压低于源极S电压，相应的，比较器CMP的反相输入端电压低于同相输入端电压，比较器CMP输出高电平施加到MOS管SF的栅极G，MOS管SF完全导通，当MOS管SF没有电流通过时，电源VCC1通过电阻R2和二极管D2施加到MOS管SF的漏极D、源极S两端，MOS管SF的体二极管反向截止，比较器CMP的反相输入端电压接近电源VCC1，远高于同相输入端电压，比较器CMP输出低电平，MOS管SF的栅极G电压被拉低，MOS管SF完全关闭，当输出电压较高时，二极管D2反向截止起到保护驱动电路的作用。


2.根据权利要求1所述的同步整流MOS管驱动电路，其特征在于：电源VCC1、电源VCC2共用一路，所述比较器CMP采用运算放大器代替。


3.根据权利要求1所述的同步整流MOS管驱动电路，其特征在于：所述比较器...

【专利技术属性】
技术研发人员：李祥生，
申请(专利权)人：深圳职业技术学院，
类型：新型
国别省市：广东;44