【技术实现步骤摘要】
一种自复式过欠压保护器
本技术涉及过欠压保护领域,具体涉及一种自复式过欠压保护器。
技术介绍
现有产品中的自复式过欠压保护器大多需要在前端连接断路器来进行短路保护和过载保护,在实际安装中需要较大的空间,同时增加了连线复杂程度,无法将两者功能结合到一个产品上。其二现有自复式过欠压保护器进线端一般接L线和N线,如果当接线错误连接两条火线时,产品最高有可能会承受440V线电压而损坏。
技术实现思路
为解决上述问题,本技术的目的在于,提供一种将短路保护、过载保护和过欠压保护两种功能集成在了一个产品中,并且安装体积小、走线简单,能够保证最大440V电压下不会损坏的自复式过欠压保护器。本技术的目的具体通过以下技术方案实现:一种自复式过欠压保护器,包括整流模块、DC/DC模块、电压采样模块、电机控制模块、磁感应模块、指示灯模块、按键模块、MCU、断路器;所述整流模块输入端接市电,输出端连接DC/DC模块的输入端;所述DC/DC模块输出端供电给其余模块;MCU输入端分别与磁感应模块输出端、电压采样模块输出端、按键模块输出端连接,MCU输出端分别与指示灯模块输入端、电机控制模块输入端连接;所述电机控制模块与断路器操作机构上的轴结构机械连接并能驱动断路器分闸或合闸。进一步地,所述DC/DC模块包含与整流模块输出端连接的滤波电路,与所述滤波电路输出端相连的变压器,与所述变压器初级相连的开关电源芯片和与MOS管串联的开关电路。进一步地,所述滤波电路包含电容E1、电容E2、电阻R50、电阻R59 ...
【技术保护点】
1.一种自复式过欠压保护器,其特征在于:包括整流模块、DC/DC模块、电压采样模块、电机控制模块、磁感应模块、MCU、断路器;所述整流模块输入端接市电,输出端连接DC/DC模块的输入端;所述DC/DC模块输出端供电给其余模块;MCU输入端分别与磁感应模块输出端、电压采样模块输出端、按键模块输出端连接,MCU输出端与电机控制模块输入端连接;所述电机控制模块与断路器操作机构上的轴结构机械连接并能驱动断路器分闸或合闸。/n
【技术特征摘要】
1.一种自复式过欠压保护器,其特征在于:包括整流模块、DC/DC模块、电压采样模块、电机控制模块、磁感应模块、MCU、断路器;所述整流模块输入端接市电,输出端连接DC/DC模块的输入端;所述DC/DC模块输出端供电给其余模块;MCU输入端分别与磁感应模块输出端、电压采样模块输出端、按键模块输出端连接,MCU输出端与电机控制模块输入端连接;所述电机控制模块与断路器操作机构上的轴结构机械连接并能驱动断路器分闸或合闸。
2.根据权利要求1所述的自复式过欠压保护器,其特征在于:还包括指示灯模块;所述指示灯模块输入端与MCU输出端连接。
3.根据权利要求1或2所述的自复式过欠压保护器,其特征在于:所述DC/DC模块包含与整流模块输出端连接的滤波电路,与所述滤波电路输出端相连的变压器,与所述变压器初级相连的开关电源芯片和与MOS管串联的开关电路。
4.根据权利要求3所述的自复式过欠压保护器,其特征在于:所述滤波电路包含电容E1、电容E2、电阻R50、电阻R59、电阻R60、电阻R61、电容C4、电阻R52、电阻R53、电阻R62、电阻R63、电容E5、电容E4、电感L2、电阻R58;
所述电容E1与电容E2串联,电容E1上端与电压正端相连,电容E2下端与电压负端相连;所述电阻R50、电阻R59、电阻R60、电阻R61依次串联,电阻R50上端与电压正端相连,电阻R61下端与电压负端相连,电阻R59与电阻R60的连接点和电容E1与电容E2的连接点相连;所述电容C4上端与电压正端相连,下端与电感L2右端相连;所述电容E5与电容E4串联,电容E5上端与电压正端相连,电容E4下端与电感L2右端相连;所述电阻R52、电阻R53、电阻R62、电阻R63依次串联,电阻R52上端与电压正端相连,电阻R63下端与电感L2右端相连,电阻R53与电阻R62的连接点和电容E5与电容E4的连接点相连;所述电感L2和电阻R58并联,电感L2左端与电压负端相连。
5.根据权利要求3所述的自复式过欠压保护器,其特征在于:所述变压器初级相连的开关电源芯片和MOS管串联的开关电路包含开关电源芯片U1、变压器T1、电阻R54、电阻R55、电阻R56、电阻R57、TVS管DZ2、TVS管DZ3、TVS管DZ4,稳压管DZ5、MOS管Q1、电阻R5、二极管D6、TVS管DZ6;所述电阻R54、电阻R55、电阻R56、电阻R57、TVS管DZ2、TVS管DZ3、TVS管DZ4依次串联,电阻R54上端连接电源正端,TVS管DZ4下...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵森,梁泽年,
申请(专利权)人:贵州泰永长征技术股份有限公司,
类型:新型
国别省市:贵州;52
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。