低交叉极化双频背腔天线及无线通信设备制造技术

技术编号:26107524 阅读:90 留言:0更新日期:2020-10-28 18:14
本实用新型专利技术公开了一种低交叉极化双频背腔天线及无线通信设备,所述天线包括介质基片、上金属层、下金属层和金属化通孔阵列,上金属层设置在介质基片的上表面,下金属层设置在介质基片的下表面,所述金属化通孔阵列贯穿上金属层、介质基片和下金属层,且金属化通孔阵列与上金属层、下金属层共同围成一个半模基片集成波导腔体;所述介质基片和下金属层相对上金属层向一侧延伸,半模基片集成波导腔体在延伸部分形成开口,上金属层在靠近开口的一侧设有缝隙。本实用新型专利技术天线利用半模技术减小了双频天线的体积,还拥有交叉极化低的良好特性,可以很好地减小通讯时系统间的干扰,同时具有低剖面,体积小的特点,易于与小体积的通信系统集成。

【技术实现步骤摘要】
低交叉极化双频背腔天线及无线通信设备
本技术涉及一种双频天线,尤其是一种低交叉极化双频背腔天线及无线通信设备,其可以工作在X波段,属于无线通信领域。
技术介绍
随着无线通信系统的快速发展,在当前广泛利用的无线通信系统中,通常还需要在间隔较大的两个频段内传输信号,若为实现双频段工作而采用两副天线,则会增大系统占用,因此紧凑、轻量和高性能的双频或多频天线的需求也同时增加。基片集成波导是一种平面波导结构具有大功率容量、低插入损耗和辐射损耗等诸多优点,其衍生结构半模基片集成波导等在面积缩小的同时保留原始的电场分布,被广泛应用于功分器、滤波器和天线等微波器件的小型化设计中。半模双频天线既结合了现代通信对双频天线的需求,同时还拥有易于与小型化系统集成的优点。
技术实现思路
有鉴于此,本技术提供一种低交叉极化双频背腔天线及无线通信设备,该天线利用半模技术减小了双频天线的体积,还拥有交叉极化低的良好特性,可以很好地减小通讯时系统间的干扰,同时具有低剖面,体积小的特点,易于与小体积的通信系统集成。本技术的目的在于提供一种低交叉极化双频背腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:包括介质基片、上金属层、下金属层和金属化通孔阵列,所述上金属层设置在介质基片的上表面,所述下金属层设置在介质基片的下表面,所述金属化通孔阵列贯穿上金属层、介质基片和下金属层,且金属化通孔阵列与上金属层、下金属层共同围成一个半模基片集成波导腔体;所述介质基片和下金属层相对上金属层向一侧延伸,所述半模基片集成波导腔体在延伸部分形成开口,所述上金属层在靠近开口的一侧设有缝隙。/n

【技术特征摘要】
1.一种低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:包括介质基片、上金属层、下金属层和金属化通孔阵列,所述上金属层设置在介质基片的上表面,所述下金属层设置在介质基片的下表面,所述金属化通孔阵列贯穿上金属层、介质基片和下金属层,且金属化通孔阵列与上金属层、下金属层共同围成一个半模基片集成波导腔体;所述介质基片和下金属层相对上金属层向一侧延伸,所述半模基片集成波导腔体在延伸部分形成开口,所述上金属层在靠近开口的一侧设有缝隙。


2.根据权利要求1所述的低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:所述半模基片集成波导腔体为U形基片集成波导腔体。


3.根据权利要求1所述的低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:所述半模基片集成波导腔体上设有同轴馈电输入端口。


4.根据权利要求3所述的低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:所述同轴馈电输入端口的中心与金属化通孔阵列的横向部分之间的间距为3.2mm~3.4mm,同轴馈电输入端口的中心与金属化通孔阵列的其中一个竖向部分之间的间距为3.6mm~3.8mm。


5.根据权利要求1-4任一项所述的低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:所述金属化通孔阵列的横向部分...

【专利技术属性】
技术研发人员:孔永丹赖敏
申请(专利权)人:华南理工大学
类型:新型
国别省市:广东;44

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