反射率测定仪制造技术

一种反射率测定装置，由外壳、接收信号源、发射光源等构成，其特征在于接收信号源和发射光源等全部元件组装在外壳内，接收信号源为硅光电池，发射光源采用ＬＥＤ半导体发光元件。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种反射率测定仪，尤其是涉及适用涂料生产企业对产品检验遮盖率的必备测试仪器。
技术介绍
涂料的遮盖率是国家对涂料生产企业的产品检验的强制检验标准项目，因此反射率测定仪是根据均是根据中国国家标准GB/T 13452-92、GB/T9270-88、GB/T 5211.17-88、GB/T 9755-2001和GB/T 9756-2001建筑涂料国家强制中涂料样品遮盖率测试方法研制而成的。现有的C84型反射率测定仪是原化工部兰州涂料研究院于1984年研制而成的，其结构如图1所示，仪器由探测头23、接收信号源22、发射光源24、滤色片25等组成，接收信号源22采用C光电池，发射光源24采用汽车灯泡(6V，7.5W)，探测头23采用o/d垂直照明、漫反射探测的原理，当被测样品21的反射光作用于硅光电池22表面时产生电信号输入发射光源24进行放大后，传输到控制箱27内进行处理、放大和显示。由于C光电池自身对周围环境温度变化而输出信号容易变化的特点，因此C84型反射率测定仪在稳定性、重复性等关键技术指标就不能达到理想的要求。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的反射率测定仪在示值漂移、示值误差、稳定性、重复性等关键技术指标上的缺陷，提出一种对发射光源和接收信号源进行全新设计的反射率测定仪。为实现上述目的，本技术提供的一种反射率测定装置，由外壳、接收信号源、发射光源等构成，其创新点在于接收信号源和发射光源等全部元件组装在外壳内，接收信号源为硅光电池，发射光源采用LED半导体发光元件。本技术和现有的C84型反射率测定仪一样，探测方式采用o/d垂直照明、漫反射探测的原理，当被测样品的反射光作用于硅光电池表面时产生电信号输入发射光源进行放大，并予以读数显示。相对于现有技术的反射率测定仪，本技术具有下述有益效果用硅光池代替C光电池作为接收信号源，发射光源采用LED半导体发光元件，使仪器在示值漂移、示值误差、稳定性、重复性等关键技术指标上都优于C84型反射率测定仪；另外本技术的所有元器件均组装在外壳内，形成了信号接收、信号反射、信号传送、信号处理和信号显示的一体化，整个一起便于携带，使用时不受场地和环境的限制。附图说明图1是现有技术C84型反射率测定仪的结构示意图；图2是本技术的结构示意图。其中21为被测样品；22为信号接收源(C光电池)；23为探测头；24为发射光源；25为滤色片；27为控制箱。1为外壳；2为控制显示电路板；3为LCD液晶屏；4为发射光源(LED光源)；5为信号接收源(硅光电池)；6为滤色片；7为内置电池盒；8为被测样品。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术作进一步描述。如图2所示，本技术一较佳实施例的反射率测定仪由外壳1、控制显示电路板2、LCD显示屏3、发射光源4、信号接收源5、滤色片6和内置电池盒7等组成，接收信号源5、发射光源4、控制显示电路板2、LCD显示屏3、滤色片6和内置电池盒7等元件均组装在外壳1内，发射光源4采用LED光源，信号接收源5采用硅光电池。当被测样品8的反射光穿过滤色片6作用于硅光电池5表面时产生电信号，电信号经LED光源4进行放大，并在控制显示电路板2作用下由LCD液晶屏3予以读数显示。本技术适用于中国国家标准GB/T 13452-92、GB/T 9270-88、GB/T5211.17-88、GB/T 9755-2001和GB/T 9756-2001涂料样品遮盖率的测定。权利要求1.一种反射率测定装置，由外壳、接收信号源、发射光源等构成，其特征在于接收信号源和发射光源等全部元件组装在外壳内，接收信号源为硅光电池，发射光源采用LED半导体发光元件。专利摘要本技术涉及一种一体化、便携式的反射率测定装置，由外壳、接收信号源、发射光源等构成，其创新点在于接收信号源和发射光源等全部元件组装在外壳内，接收信号源为硅光电池，发射光源采用LED半导体发光元件。本技术在稳定性、重复性、示值误差等关键技术指标上均优于现有的反射率测定仪，适用于涂料样品遮盖率的测定。文档编号G01N21/55GK2667491SQ200320109018公开日2004年12月29日 申请日期2003年10月20日 优先权日2003年10月20日专利技术者朱纪震 申请人:上海三准仪器设备有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱纪震，
申请(专利权)人：上海三准仪器设备有限公司，
类型：实用新型
国别省市：