量子点、其制造方法、量子点群、组合物、量子点聚合物复合物和包括其的显示器件技术

本发明专利技术涉及量子点、其制造方法、量子点群、组合物、量子点聚合物复合物和包括其的显示器件。量子点包括锌、碲和硒并且不包括镉，其中所述量子点的最大发光峰存在于大于约470纳米(nm)的波长范围内并且所述量子点的量子效率大于或等于约10％，和其中所述量子点包括芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述芯包括第一半导体纳米晶体。

【技术实现步骤摘要】
量子点、其制造方法、量子点群、组合物、量子点聚合物复合物和包括其的显示器件对相关申请的交叉引用本申请要求于2019年4月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0045760的优先权和权益、以及由其产生的所有权益，将其全部内容通过引用引入本文中。
公开了芯-壳量子点、其制造方法、和包括其的电子器件(装置)。
技术介绍
与块状(本体)材料不同，纳米颗粒的物理特性(例如，能带隙和熔点)可通过改变纳米颗粒的尺寸而控制。例如，半导体纳米晶体颗粒(也称作量子点)为具有若干纳米的尺寸的结晶材料。半导体纳米晶体颗粒具有相对小的尺寸和因此大的每单位体积的表面积，呈现出量子限制效应并且具有与具有相同组成的块状材料不同的性质。量子点可吸收来自激发源的光并且变成受激发的，发射与量子点的能带隙对应的能量。
技术实现思路
实施方式提供不含镉的量子点，其能够实现提升的例如改善的光学性质例如发光效率和半宽度(FWHM)。实施方式提供制造前述不含镉的量子点的方法。r>实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.量子点，包括：/n锌，/n碲，和/n硒，并且/n不包括镉，/n其中所述量子点的最大发光峰存在于大于470nm的波长范围内并且所述量子点的量子效率大于或等于10％，和/n其中所述量子点包括芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述芯包括第一半导体纳米晶体。/n

【技术特征摘要】
20190418 KR 10-2019-00457601.量子点，包括：
锌，
碲，和
硒，并且
不包括镉，
其中所述量子点的最大发光峰存在于大于470nm的波长范围内并且所述量子点的量子效率大于或等于10％，和
其中所述量子点包括芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述芯包括第一半导体纳米晶体。


2.如权利要求1所述的量子点，其中在所述量子点中，碲相对于硒的摩尔比大于0.2:1。


3.如权利要求1所述的量子点，其中在所述量子点中，碲相对于硒的摩尔比小于或等于2.5:1。


4.如权利要求1所述的量子点，其中在所述量子点中，碲相对于锌的摩尔比大于或等于0.1:1。


5.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点包括铝、锂、或其组合。


6.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点不包括锰、铜、或其组合。


7.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点不包括包含铟或镓的III-V族化合物。


8.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点的最大光致发光峰波长在大于或等于480纳米且小于或等于560纳米的范围内。


9.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点的最大光致发光峰具有小于或等于40纳米的FWHM。


10.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子效率大于或等于20％。


11.如权利要求1所述的量子点，其中所述第一半导体纳米晶体材料包括锌、碲和硒，和所述半导体纳米晶体壳包括锌；以及硒、硫、或其组合。


12.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点包括ZnTexSe1-x，其中x大于或等于0.5且小于或等于0.9。


13.如权利要求1所述的量子点，其中所述半导体纳米晶体壳包括ZnSe、ZnS、ZnSeS、或其组合。


14.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点在X-射线衍射分析中具有闪锌矿晶体结构。


15.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点包括有机配体，并且所述有机配体包括RCOOH、RNH2、R2NH、R3N、RSH、RH2PO、R2HPO、R3PO、RH2P、R2HP、R3P、ROH、RCOOR'...

【专利技术属性】
技术研发人员：权秀暻，金善英，金龙郁，金智荣，张银珠，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR