一种磷光铱配合物及其制备方法和电致发光器件技术

本发明专利技术公开了一种磷光铱配合物及其制备方法和电致发光器件，属于发光材料技术领域，该磷光铱配合物的结构通式为：

【技术实现步骤摘要】
一种磷光铱配合物及其制备方法和电致发光器件
本专利技术涉及发光材料
，具体是一种磷光铱配合物及其制备方法和电致发光器件。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)是基于有机半导体材料的发光二极管，具有宽视角、耐低温、高效率、高亮度，易于加工等优点，使其成为第三代平板显示中最具竞争力的技术。同时，OLED由于能够高效率地将电能转化为光能，也适用于照明领域，是最具竞争潜力的新一代固态光源。磷光材料在OLED中扮演着非常重要的角色，它能同时利用单重态激子和三重态激子，使器件的内量子效率理论上能够提高到100％，外量子效率也有所提高。其中，磷光铱配合物是目前研究的最多也是最有应用前景的一类磷光材料，通过幵发新型配体和对已有配体进行各种修饰可以得到不同发光颜色的磷光材料，进而实现全色显示。由于磷光材料在降低材料制备工艺成本、提高材料的基本光电性能，以及提高材料在器件集成后整体耐受性和耐候性等原因，目前现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种磷光铱配合物，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：一种磷光铱配合物，其结构通式为式I：式中，0≤m≤2，1≤n≤3，且m+n＝3；R1、R2、R3和R4独立地为氢、氘、卤素、氰基、硝基、羟基、烃基、氨基、磺酸基、磺酰基、金刚烷、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的3元～15元的环烷基、取代或未取代的C1～C20的烷氧基中的至少一种；X为碳或氮原子。优选的，R1、R2、R3和R4独立地为氢、氘、卤素、氰基、硝基、羟基、烃基、氨基、磺酸基、磺酰基、取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C6～C12的芳基、取代或未取代的3元～8元的环烷基、取代或未取代的C1～C6的烷氧基中的至少一种。其中，上述基团或取代基团的原子可被氘代。优选的，R1、R2、R3、R4的取代基位置为所在环的任意位置，且R1、R2、R4独立地表示单取代基、二取代基、三取代基、四取代基或无取代基，R3表示单取代基、二取代基或无取代基。优选的，C1～C6的烷基为直链烷基、支链烷基、环烷基、至少1个取代基取代的直链烷基、至少1个取代基取代的支链烷基和至少1个取代基取代的环烷基中的一种。优选的，所述磷光铱配合物的结构通式为式I-1、式I-2、式I-3中的任一种：其中，在上述式I-1、式I-2、式I-3结构中优选式I-1、式I-2，上述所述结构式中R1、R2、R3、R4及X的取代基团及取代基个数与结构通式I中所限定的范围一致，这里不再赘述。优选的，所述磷光铱配合物的化学结构式为式I-001～式I-135中的任一种，式中，Ada为金刚烷：本专利技术实施例的另一目的在于提供一种上述的磷光铱配合物的制备方法，其包括以下步骤：取一结构通式为式II的第一化合物和/或结构通式为式III的第二化合物，式中，Ada为金刚烷：将第一化合物或第二化合物与三氯化铱进行反应，得到第一桥联配体；将第一桥联配体与三氟甲烷磺酸银进行反应，得到第二桥联配体；将将第二化合物或第一化合物与第二桥联配体进行反应，得到所述磷光铱配合物。具体的，结构通式为式I-1的磷光铱配合物的合成路线如下：其制备方法包括以下步骤：S1、将式A1结构的化合物与三氯化铱反应，得到式B1结构的桥联配体；S2、将式B1结构的桥联配体与三氟甲烷磺酸银反应得到式C1结构的桥联配体；S3、将式C1结构的桥联配体与式D1结构的化合物进行反应，得到具有式I1结构的磷光铱配合物。另外，结构通式为式I-2的磷光铱配合物的合成路线如下：其制备方法包括以下步骤：S1、将式A-2结构的化合物与三氯化铱反应，得到式B-2结构的桥联配体；S2、将式B-2结构的桥联配体与三氟甲烷磺酸银反应得到式C2结构的桥联配体；S3、将式C-2结构的桥联配体与式D-2结构的配体反应，得到具有式I-2结构的磷光铱配合物。本专利技术实施例的另一目的在于提供一种电致发光器件，包括第一电极、第二电极以及至少一层设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机物层，所述的有机物层包含上述的磷光铱配合物。优选的，所述有机物层包括发光层；所述发光层包括主体材料和掺杂材料；所述掺杂材料部分或全部包含所述磷光铱配合物。优选的，所述主体材料和掺杂材料的质量比为(90～99.5):(0.5～10)。具体的，第一电极为阳极，其种类没有特殊限制，为本领域技术人员熟知的常规阳极即可，更优选为ITO(氧化铟锡)、氧化锡、氧化锌、氧化铟中的一种。第二电极为阴极，其种类没有特殊限制，为本领域技术人员熟知的常规阴极即可，更优选为Al、Li、Na、K、Mg、Ca、Au、Ag、Pb中的一种。所述主体材料优选为4,4'-N,N'-联苯二咔唑(CBP)、八羟基喹啉(Alq3)、金属苯氧基苯并噻唑化合物、聚芴、芳族稠环、锌络合物中的一种或几种。此外，有机物层还可以包括其它功能层，其它功能层具体可选自以下功能层中的一种或几种：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、空穴注入-空穴传输功能层(即兼具空穴注入及空穴传输功能)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、电子传输-电子注入功能层(即兼具电子传输及电子注入功能)。上述各个功能层的种类没有特殊限制，为本领域技术人员熟知的常规功能层即可。优选的：所述空穴注入层为2-TNATA(即N1-(2-萘基)-N4,N4-二(4-(2-萘基(苯基)氨基)苯基)-N1-苯基苯-1,4-二胺)、酞菁和卟啉化合物、星爆三芳基胺、导电聚合物、n型半导电有机络合物、金属有机络合物中的一种；所述空穴传输层为NPB(即N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)、TPD(即N,N'-二苯基-N,N'-(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)、PAPB(即N,N'-双(菲-9-基)-N,N'-二苯基联苯胺)芳基胺咔唑化合物、吲哚并咔唑化合物中的一种；所述空穴阻挡层为BAlq、BCP、BPhen中的一种；所述电子传输层为Alq3、香豆素6号、三唑衍生物、唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、芴酮衍生物、蒽酮衍生物中的一种；所述电子注入层为LiF、CsF、Li2O、Al2O3、MgO中的一种。在本专利技术实施例中，可通过蒸镀的方式形成上述发光层和其它各种功能层。另外，上述的电致发光器件可以用于有机发光器件、有机太阳电池、电子纸、有机感光体或有机薄膜晶体管等，但不限于此。与现有技术相比，本专利技术实施例的有益效果是：本专利技术实施例提供的一种磷光铱配合物，通过选择与特定的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磷光铱配合物，其特征在于，所述磷光铱配合物的结构通式为式I：/n

【技术特征摘要】
1.一种磷光铱配合物，其特征在于，所述磷光铱配合物的结构通式为式I：



式中，0≤m≤2，1≤n≤3，且m+n＝3；
R1、R2、R3和R4独立地为氢、氘、卤素、氰基、硝基、羟基、烃基、氨基、磺酸基、磺酰基、金刚烷、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的3元～15元的环烷基、取代或未取代的C1～C20的烷氧基中的至少一种；
X为碳或氮原子。


2.根据权利要求1所述的一种磷光铱配合物，其特征在于，R1、R2、R3和R4独立地为氢、氘、卤素、氰基、硝基、羟基、烃基、氨基、磺酸基、磺酰基、取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C6～C12的芳基、取代或未取代的3元～8元的环烷基、取代或未取代的C1～C6的烷氧基中的至少一种。


3.根据权利要求1所述的一种磷光铱配合物，其特征在于，R1、R2、R3、R4的取代基位置为所在环的任意位置，且R1、R2、R4独立地表示单取代基、二取代基、三取代基、四取代基或无取代基，R3表示单取代基、二取代基或无取代基。


4.根据权利要求2所述的一种磷光铱配合物，其特征在于，C1～C6的烷基为直链烷基、支链烷基、环烷基、至少1个取代基取代的直链烷基、至少1个取代基取代的支链烷基和至少1个取代基取代的环烷基中的一种。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的一种磷光铱配合物，其特征在于，所述磷光铱配合物的结构通式为式I-1、式I-...

【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，高旭，陈明，姜志远，于丹阳，张颖，马晓宇，
申请(专利权)人：奥来德长春光电材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22