用于红光电致发光材料的金属配合物及其制备方法和器件技术

本发明专利技术公开了一种用于红光电致发光材料的金属配合物及其制备方法和器件，属于发光材料技术领域，该金属配合物的结构通式为：

【技术实现步骤摘要】
用于红光电致发光材料的金属配合物及其制备方法和器件
本专利技术涉及发光材料
，具体是一种用于红光电致发光材料的金属配合物及其制备方法和器件。
技术介绍
1987年，邓青云博士报道了基于有机发光材料的电致发光二极管技术，主要采用真空蒸镀的方式，制备具有传输层和发光层的双层器件，量子效率提高至1％，在低于10V的工作电压下可达到1000cd/m2的亮度，引起了世界科学爱好者的广泛关注，推动有机电致发光技术向实用化阶段迈进的步伐。电致发光器件具有全固态结构，有机电致发光材料是构成该器件的核心和基础。新材料的开发是推动电致发光技术不断进步的源动力。对原有材料制备和器件优化也是现在有机电致发光产业的研究热点。磷光发光现象自从发现以来，一直受到大家的追崇，因为磷光材料的电流效率明显高于荧光电流效率，从理论上能达到100％的电流效率，所以很多科研机构都在加大磷光材料的研发力度，试图通过磷光材料来加快产业化发展。但是由于磷光材料合成价格比较高，合成工艺要求比较高，并且在合成过程中容易污染环境，其提纯要求比较高，效率低。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种用于红光电致发光材料的金属配合物，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：一种用于红光电致发光材料的金属配合物，其构通式为式I：式中，R1～R13分别独立地为氢、氘、硝基、氨基、羟基、卤素、氰基、巯基、金刚烷、取代或非取代的C1～C30的烷基、取代或非取代的C1～C20的烷氧基、取代或非取代的C2～C10的烯烃基、取代或非取代的C2～C10的炔烃基、取代或非取代的C6～C30的芳基、取代或非取代的C2～C30的芳族杂环基中的至少一种；且R1～R10中至少有一个为金刚烷。优选的，所述烷基选自碳原子数为1～8的烷基；所述烷氧基选自碳原子数为1～8的烷氧基；所述烯烃基选自碳原子数为2～6的烯烃基；所述炔烃基选自碳原子数为2～6的炔烃基；所述芳基选自碳原子数为6～18的芳基；所述芳族杂环基选自碳原子数为3～12的芳族杂环基。优选的，所述烷基选自直链烷基、支链烷基、环烷基、至少含有一个取代基取代的直链烷基、至少含有一个取代基取代的支链烷基或至少含有一个取代基取代的环烷基，其中，取代基独立地选自氘、硝基、氨基、羟基、卤素、氰基、羰基和巯基中的至少一种；所述芳族杂环基独立地选自未取代的芳族杂环基或至少含有一个取代基的芳族杂环基，其中，取代基独立地选自氘、硝基、氨基、羟基、卤素、氰基、羰基和巯基中的至少一种。优选的，芳族杂环基中的杂环基包含N、O、P、S、Si和Se中的至少一种杂原子。优选的，芳族杂环基中的杂环基包含N、O和S中的至少一种杂原子。优选的，R8和R10均为甲基。优选的，式中，金属Ir的左侧为辅助配体，右侧为主配体；主配体选自以下结构式中的任一种：优选的，所述金属配合物的化学结构式为式L001～式L090中的任一种：本专利技术实施例的另一目的在于提供一种上述的金属配合物的制备方法，其包括以下步骤：取一结构通式为式A的化合物A和结构通式为式C的化合物C：在保护气氛下，将化合物A与三氯化铱添加至乙二醇乙醚和水的混合溶剂中进行加热反应，得到桥联配体B；将桥联配体B与化合物C混合后，再加入乙二醇乙醚和碳酸钾，并置于保护气氛下进行反应，得到所述金属配合物。具体的，上述步骤的合成路线如下：其中，R1～R13与上述式I中的定义相同。本专利技术实施例的另一目的在于提供一种器件，所述器件为有机电致发光器件，其包括第一电极、第二电极以及至少一层设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机物层，所述的有机物层包含上述的金属配合物。优选的，所述有机物层包括发光层；所述发光层包括主体材料和掺杂材料；所述掺杂材料部分或全部包含所述金属配合物。具体的，第一电极为阳极，其种类没有特殊限制，为本领域技术人员熟知的常规阳极即可，更优选为ITO(氧化铟锡)、氧化锡、氧化锌、氧化铟中的一种。第二电极为阴极，其种类没有特殊限制，为本领域技术人员熟知的常规阴极即可，更优选为Al、Li、Na、K、Mg、Ca、Au、Ag、Pb中的一种。所述主体材料优选为4，4′-N，N′-联苯二咔唑(CBP)、八羟基喹啉(Alq3)、金属苯氧基苯并噻唑化合物、聚芴、芳族稠环、锌络合物中的一种或几种。所述掺杂材料在所述发光层中的质量比优选为0.5％～10％。此外，有机物层还可以包括其它功能层，其它功能层具体可选自以下功能层中的一种或几种：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、空穴注入-空穴传输功能层(即兼具空穴注入及空穴传输功能)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、电子传输-电子注入功能层(即兼具电子传输及电子注入功能)。上述各个功能层的种类没有特殊限制，为本领域技术人员熟知的常规功能层即可。优选的：所述空穴注入层为2-TNATA(即N1-(2-萘基)-N4，N4-二(4-(2-萘基(苯基)氨基)苯基)-N1-苯基苯-1，4-二胺)、酞菁和卟啉化合物、星爆三芳基胺、导电聚合物、n型半导电有机络合物、金属有机络合物中的一种；所述空穴传输层为NPB(即N，N′-二苯基-N，N′-(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺)、TPD(即N，N′-二苯基-N，N′-(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺)、PAPB(即N，N′-双(菲-9-基)-N，N′-二苯基联苯胺)芳基胺咔唑化合物、吲哚并咔唑化合物中的一种；所述空穴阻挡层为BAlq、BCP、BPhen中的一种；所述电子传输层为Alq3、香豆素6号、三唑衍生物、唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、芴酮衍生物、蒽酮衍生物中的一种；所述电子注入层为LiF、CsF、Li2O、Al2O3、MgO中的一种。在本专利技术实施例中，可通过蒸镀的方式形成上述发光层和其它各种功能层。与现有技术相比，本专利技术实施例的有益效果是：本专利技术实施例提供的一种用于红光电致发光材料的金属配合物，通过利用过渡金属铱与特定的杂环配体相结合，并加之与具有刚性结构且体积较大的金刚烷基团结合，可以显著提高有机电致发光器件的电流效率以及延长有机电致发光器件的使用寿命。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。材料实施例1该材料实施例提供了一种用于红光电致发光材料的金属配合物，其化学结构式为
技术实现思路
中的式L001，该金属配合物的制备方法的反应路线如下：其具体的制备方法包括以下步骤：S1、采用氮气置换反应器，在氮气气氛下，向反应器中加入化合物A-001(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于红光电致发光材料的金属配合物，其特征在于，所述金属配合物的结构通式为式I：/n

【技术特征摘要】
1.一种用于红光电致发光材料的金属配合物，其特征在于，所述金属配合物的结构通式为式I：



式中，R1～R13分别独立地为氢、氘、硝基、氨基、羟基、卤素、氰基、巯基、金刚烷、取代或非取代的C1～C30的烷基、取代或非取代的C1～C20的烷氧基、取代或非取代的C2～C10的烯烃基、取代或非取代的C2～C10的炔烃基、取代或非取代的C6～C30的芳基、取代或非取代的C2～C30的芳族杂环基中的至少一种；且R1～R10中至少有一个为金刚烷。


2.根据权利要求1所述的一种用于红光电致发光材料的金属配合物，其特征在于，所述烷基选自碳原子数为1～8的烷基；所述烷氧基选自碳原子数为1～8的烷氧基；所述烯烃基选自碳原子数为2～6的烯烃基；所述炔烃基选自碳原子数为2～6的炔烃基；所述芳基选自碳原子数为6～18的芳基；所述芳族杂环基选自碳原子数为3～12的芳族杂环基。


3.根据权利要求2所述的一种用于红光电致发光材料的金属配合物，其特征在于，所述烷基选自直链烷基、支链烷基、环烷基、至少含有一个取代基取代的直链烷基、至少含有一个取代基取代的支链烷基或至少含有一个取代基取代的环烷基，其中，取代基独立地选自氘、硝基、氨基、羟基、卤素、氰基、羰基和巯基中的至少一种；
所述芳族杂环基独立地选自未取代的芳族杂环基或至少含有一个取代基的芳族杂环基，其中，取代基独立地选自氘、硝基、氨基、羟基、卤素、氰基、羰基和巯基中的至少一种。


4.根据权利要求3所述的一种用于红光电致发光材料的金属配合物，其特征在于，芳族杂环基中的杂环基包含N、O、P、S、Si和Se中的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，刘志远，李成录，付耀辉，谢文雷，刘欢，马晓宇，
申请(专利权)人：奥来德长春光电材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22