一种含金刚烷结构的金属配合物及其制备方法和光电器件技术

本发明专利技术公开了一种含金刚烷结构的金属配合物及其制备方法和光电器件，属于发光材料技术领域，其结构通式为：M(L

【技术实现步骤摘要】
一种含金刚烷结构的金属配合物及其制备方法和光电器件
本专利技术涉及发光材料
，具体是一种含金刚烷结构的金属配合物及其制备方法和光电器件。
技术介绍
2002～2005年是有机发光二极管的成长阶段，这个阶段人们已能广泛接触到带有有机发光二极管的产品，包括车载显示器，PDA、手机、DVD、数码相机、头盔用微显示器和家电产品。有机发光二极管产品正式走入市场，主要是进入传统LCD、VFD等显示领域。这一时期仍以无源驱动、单色或多色显示、10英寸以下面板为主，但有源驱动的、全彩色和10英寸以上面板也开始投入使用。2005年以后，有机发光二极管的成熟阶段，随着有机发光二极管产业化技术的日渐成熟，有机发光二极管开始全面出击显示器市场并拓展属于自己的应用领域，有机发光二极管各项技术上的优势得到充分发掘和发挥。有机发光二极管产业化已经开始，现在正是OLED技术走向成熟和市场需求高速增长的阶段。尽管现在市面上有许多关于高效重金属磷光体的新发现，但是其驱动电压偏高、寿命偏短、发光效率偏低。因此，提供一种具备更小的电压，并具有更长寿命和更高的发光效率有机磷发光化合物及有机电致发光器件是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种含金刚烷结构的金属配合物，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：一种含金刚烷结构的金属配合物，其结构通式为式I：M(LA)a(LB)b(LC)c；I式中，配位体LA的结构通式为：配位体LB的结构通式为：配位体LC的结构通式为：M为具有大于40的原子数的金属；a、b、c均为自然数，且a、b、c的总和为M的氧化数；Ar1为金刚烷基且x+y≥1；Z为氧或硫；R1、R2、R7和R8各自包含的取代基的数量独立为0～4；R3、R4和R5各自包含的取代基的数量独立为0～1；R6包含的取代基的数量为0～2；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8各自独立为氢、氘、卤素、氰基、取代或非取代的C1～C8烷基、取代或非取代的C3～C15的环烷基、取代或非取代的C6～C18芳基中的至少一种。优选的，式中，M为Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Au和Cu中的一种；a为2，b为0或1，c为0或1，且b和c不同时为0或1。优选的，所述取代或非取代的C1～C8烷基中，至少一个C原子被N、O、S、Si、Se、Ge、氘、卤素和氰基中的一种取代；所述取代或非取代的C3～C15的环烷基为C3～C10的环烷基；环烷基为单环烷基、多环烷基或螺烷基；所述取代或非取代的C6～C18的芳基中，芳基为单环基团或多环基团；所述多环基团中，包括以两个碳原子为两个邻接共用的两个环或更多个环，其中至少一个环为芳香族环，其它环为环烷基、环烯基、芳基或杂芳基。优选的，所述烷基选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基或叔丁基；所述环烷基选自环丙基、环戊基、环己基或金刚烷基；所述芳基选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基或芴基。优选的，取代的C6～C18的芳基中，取代基选自氘、卤素、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基或苯基。优选的，式中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8各自独立地选自以下基团中的至少一种：优选的，所述金属配合物的化学结构式为式M001～式M099中的任一种：本专利技术实施例的另一目的在于提供一种上述金属配合物的制备方法，其包括以下步骤：将配位体LA和M金属的卤化物进行反应，得到桥联配体B；将桥联配体B、配位体LB、乙二醇乙醚和碳酸钾进行反应，得到所述金属配合物；或者将桥联配体B与三氟甲烷磺酸银进行反应，得到中间体C后，再将中间体C与配位体LC进行反应，得到所述金属配合物。其中，所述将配位体LA和M金属的卤化物进行反应，得到桥联配体B的步骤，包括：称取配位体LA、IrCl3·3H2O、乙二醇乙醚和水，分别加入到反应体系，在N2保护下120℃加热回流反应24h，然后冷却至室温，有沉淀物析出，进行减压抽滤，依次用水、无水乙醇、石油醚淋洗、烘干，得到红色粉末状的桥联配体B；所述将桥联配体B、配位体LB、乙二醇乙醚和碳酸钾进行反应，得到所述金属配合物的步骤，具体包括：称取桥联配体B、K2CO3、乙二醇乙醚分别加入到反应体系，在N2保护下加入配位体LB，升高温度至120℃，加热回流24h，冷却至室温，抽滤，醇洗，烘干，并以二氯甲烷做溶剂，用硅胶柱层析，滤液浓缩固体析出，即可得到所述金属配合物。所述将桥联配体B与三氟甲烷磺酸银进行反应，得到中间体C后，再将中间体C与配位体LC进行反应，得到所述金属配合物的步骤，具体包括：在桥联配体B与三氟甲烷磺酸银的反应中，桥联配体B与三氟甲烷磺酸银的摩尔比优选为1:(2～3)；反应的温度优选为55～65℃，时间优选为20～30h；反应优选在保护性气体氛围下进行；所述保护性气体的种类没有特殊限制，为本领域技术人员熟知的常规惰性气体即可，如氮气、氩气等；另外，反应在溶剂中进行，溶剂优选为二氯甲烷、甲醇中的一种或几种。在一些实施例中，溶剂为二氯甲烷与甲醇的混合溶液，其中，二氯甲烷与甲醇的体积比为5:2。溶剂的用量没有特殊限制，能够将反应原料充分溶解即可。在反应后，优选还可进行如下后处理：冷却、柱层析分离、浓缩。冷却优选为冷却至室温，经冷却后，进行柱层析分离，优选采用短柱进行柱层析。经分离后，将滤液浓缩至固体析出，即为中间体C。在中间体C与配位体LC的反应中，所述中间体C与配位体LC的摩尔比优选为1:(2～3)；反应的温度优选为75～80℃，时间优选为20～30h。反应优选在保护性气体氛围下进行；所述保护性气体的种类没有特殊限制，为本领域技术人员熟知的常规惰性气体即可，如氮气、氩气等。反应可在溶剂中进行，溶剂优选为乙醇、四氢呋喃中的一种或几种。溶剂C的用量没有特殊限制，能够将反应原料充分溶解即可。在反应后，优选还进行如下后处理：抽滤、洗涤、干燥、柱层析、浓缩。洗涤优选为醇洗。干燥的温度优选为70～80℃。柱层析中，优选采用二氯甲烷和石油醚按照一定比例作为溶剂，采用硅胶柱层析。经柱层析分离后，将滤液浓缩至固体析出，即为所述金属配合物。本专利技术实施例的另一目的在于提供一种光电器件，其包括第一电极、第二电极以及至少一层设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机物层，所述的有机物层包含上述的金属配合物。优选的，所述有机物层包括发光层；所述发光层包括主体材料和掺杂材料；所述掺杂材料部分或全部包含所述金属配合物。具体的，第一电极为阳极，其种类没有特殊限制，为本领域技术人员熟知的常规阳极即可，更优选为ITO(氧化铟锡)、氧化锡、氧化锌、氧化铟中的一种。所述阳极的厚度优选为10～500nm。第一电极为阴极，其种类没有特殊限制，为本领域技术人员熟知的常本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含金刚烷结构的金属配合物，其特征在于，所述金属配合物的结构通式为式I：/nM(L

【技术特征摘要】
1.一种含金刚烷结构的金属配合物，其特征在于，所述金属配合物的结构通式为式I：
M(LA)a(LB)b(LC)c；
I
式中，配位体LA的结构通式为：配位体LB的结构通式为：配位体LC的结构通式为：M为具有大于40的原子数的金属；
a、b、c均为自然数，且a、b、c的总和为M的氧化数；
Ar1为金刚烷基且x+y≥1；
Z为氧或硫；
R1、R2、R7和R8各自包含的取代基的数量独立为0～4；R3、R4和R5各自包含的取代基的数量独立为0～1；R6包含的取代基的数量为0～2；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8各自独立为氢、氘、卤素、氰基、取代或非取代的C1～C8烷基、取代或非取代的C3～C15的环烷基、取代或非取代的C6～C18芳基中的至少一种。


2.根据权利要求1所述的一种含金刚烷结构的金属配合物，其特征在于，式中，M为Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Au和Cu中的一种；a为2，b为0或1，c为0或1，且b和c不同时为0或1。


3.根据权利要求1所述的一种含金刚烷结构的金属配合物，其特征在于，所述取代或非取代的C1～C8烷基中，至少一个C原子被N、O、S、Si、Se、Ge、氘、卤素和氰基中的一种取代；所述取代或非取代的C3～C15的环烷基为C3～C10的环烷基；环烷基为单环烷基、多环烷基或螺烷基；所述取代或非取代的C6～C18的芳基中，芳基为单环基团或多环基团；所述多环基团中，包括以两个碳原子为两个邻接共用的两个环或更多个环，其中至少一个环为芳香族环，其它环为环烷基、环烯基、芳基或杂芳基。


4.根据权利要求3所述的一种含金刚烷结构的金属配合物，其特征在于，所述烷基选自甲基、乙基、丙基、异丙基、...

【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，陈剑锋，李明，李建行，朱新财，刘志远，马晓宇，
申请(专利权)人：奥来德长春光电材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22