【技术实现步骤摘要】
一种新型α、β表面污染测量仪
本技术属于污染测量
，具体涉及一种新型α、β表面污染测量仪。
技术介绍
在从事放射性工作中，人员极有可能被放射性污染，因此必须使用表面污染仪来进行测量，而α、β表面污染测量装置刚好满足了这方面的需求。为了更迅速的完成测量，该装置在设计时采用了大面积的双闪烁体，同时内置光反射结构，能够最大程度的收集双闪烁体产生的光，因此达到较高的测量效率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种新型α、β表面污染测量仪，达到同时测量α、β表面污染的目的。为达到上述目的，本技术所采取的技术方案为：一种新型α、β表面污染测量仪，包括镀铝脉络膜、双闪烁体、光反射结构、光电倍增管、电子学线路；镀铝脉络膜上设置有光反射结构，镀铝脉络膜与光反射结构之间设置有双闪烁体，光反射结构上设置有光电倍增管，光反射结构上端与电子学线路连接。所述的镀铝脉络膜厚度不超过4μm。所述的双闪烁体，靠近镀铝脉络膜喷涂有ZnS(Ag)，其厚度为3.25mg/cm2；靠近光反射结构为塑料闪烁体，其厚度为5mm。所述的光反射结构颜色为黑色。所述的光反射结构内表面均匀喷涂二氧化钛。所述的光电倍增管选用四面窗型的光电倍增管。本技术所取得的有益效果为：双闪烁体可以将α、β射线转换成闪烁光来进行测量。光反射结构需要内部光滑，基本不存在反射死角。电子学线路能通过幅度甄别，将α信号与β信号区分开。双闪烁体外侧覆盖镀铝脉络膜进行避光处理。...
【技术保护点】
1.一种新型α、β表面污染测量仪，其特征在于：包括镀铝脉络膜、双闪烁体、光反射结构、光电倍增管、电子学线路；镀铝脉络膜上设置有光反射结构，镀铝脉络膜与光反射结构之间设置有双闪烁体，光反射结构上设置有光电倍增管，光反射结构上端与电子学线路连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种新型α、β表面污染测量仪，其特征在于：包括镀铝脉络膜、双闪烁体、光反射结构、光电倍增管、电子学线路；镀铝脉络膜上设置有光反射结构，镀铝脉络膜与光反射结构之间设置有双闪烁体，光反射结构上设置有光电倍增管，光反射结构上端与电子学线路连接。
2.根据权利要求1所述的新型α、β表面污染测量仪，其特征在于：所述的镀铝脉络膜厚度不超过4μm。
3.根据权利要求1所述的新型α、β表面污染测量仪，其特征在于：所述的双闪烁体，靠近镀...
【专利技术属性】
技术研发人员：张庆威，
申请(专利权)人：中核控制系统工程有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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