【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其读取参考电压的调整方法
本专利技术涉及一种存储器装置及其读取参考电压的调整方法,尤其涉及一种可动态调整读取参考电压的存储器装置及调整方法。
技术介绍
在快闪存储器的
中,为了判读出存储单元中所存储的数据的逻辑电平,需要设定一个或多个的读取参考电压,并通过使存储单元的临界电压与读取参考电压进行比较,来判读出存储单元中所存储的数据的逻辑电平。然而,在快闪存储器经过ˋ较长时间的使用后,在多次的程序化/抹除循环,或长时间的数据保存,存储单元的特性可能产生改变。如此一来,存储单元依据所存储的数据所呈现的临界电压的特性,会产生飘移。在这样的条件下,利用原始设定的读取参考电压来进行存储单元的数据读出动作,将会产生读出数据不正确的情况。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储器装置及其读取参考电压的调整方法,可提升读取数据的正确性。本专利技术的读取参考电压的调整方法包括:针对存储器的多个存储单元进行多个读取步阶的读取动作,并分别获得为设定逻辑电平的存储单元的多个计数值,计数值分别对应读取步阶;依据计数值以计算出多个计数差值,依据计数差值以产生平均差值,并依据平均差值以产生临界值;计算存储单元的平衡计数值,其中平衡计数值等于存储单元被程序化为设定逻辑电平的数量;依据读取参考电压设定第一读取步阶以及第二读取步阶,分别获得为设定逻辑电平的存储单元的第一参考计数值以及第二参考计数值,并计算出第一参考计数值以及第二参考计数值的参考计数差值;以及,依据参考计数差值、临界值以及平衡计数值以设定电压调整 ...
【技术保护点】
1.一种读取参考电压的调整方法,适用于存储器,包括:/n针对所述存储器的多个存储单元进行多个读取步阶的读取动作,并分别获得为设定逻辑电平的存储单元的多个计数值,所述多个计数值分别对应所述多个读取步阶;/n依据所述多个计数值以计算出多个计数差值,依据所述多个计数差值以产生平均差值,并依据所述平均差值以产生临界值;/n计算所述多个存储单元的平衡计数值,其中所述平衡计数值等于所述多个存储单元被程序化为所述设定逻辑电平的数量;/n依据所述读取参考电压设定第一读取步阶以及第二读取步阶,分别获得为所述设定逻辑电平的存储单元的第一参考计数值以及第二参考计数值,并计算出所述第一参考计数值以及所述第二参考计数值的参考计数差值;以及/n依据所述参考计数差值、所述临界值以及所述平衡计数值以设定电压调整值,并依据所述电压调整值以调整所述读取参考电压来产生调整后读取参考电压。/n
【技术特征摘要】
20190411 TW 1081127111.一种读取参考电压的调整方法,适用于存储器,包括:
针对所述存储器的多个存储单元进行多个读取步阶的读取动作,并分别获得为设定逻辑电平的存储单元的多个计数值,所述多个计数值分别对应所述多个读取步阶;
依据所述多个计数值以计算出多个计数差值,依据所述多个计数差值以产生平均差值,并依据所述平均差值以产生临界值;
计算所述多个存储单元的平衡计数值,其中所述平衡计数值等于所述多个存储单元被程序化为所述设定逻辑电平的数量;
依据所述读取参考电压设定第一读取步阶以及第二读取步阶,分别获得为所述设定逻辑电平的存储单元的第一参考计数值以及第二参考计数值,并计算出所述第一参考计数值以及所述第二参考计数值的参考计数差值;以及
依据所述参考计数差值、所述临界值以及所述平衡计数值以设定电压调整值,并依据所述电压调整值以调整所述读取参考电压来产生调整后读取参考电压。
2.根据权利要求1所述的读取参考电压的调整方法,其中所述设定逻辑电平为逻辑电平1。
3.根据权利要求1所述的读取参考电压的调整方法,其中依据所述参考计数差值、所述临界值以及所述平衡计数值以设定所述电压调整值的步骤包括:
当所述参考计数差值大于所述临界值,且所述平衡计数值与所述第一参考计数值的差值大于所述临界值与所述第一读取步阶的步阶数的乘积时,使所述平衡计数值与所述第一参考计数值的差值除以所述平均差值来获得所述电压调整值;以及
当所述参考计数差值小于所述临界值时,使所述平衡计数值与所述第一参考计数值的差值除以所述参考计数差值来获得所述电压调整值。
4.根据权利要求1所述的读取参考电压的调整方法,其中依据所述多个计数值以计算出所述多个计数差值的步骤包括:
计算对应相邻的读取步阶的二计数值的差以获得各所述计数差值。
5.根据权利要求1所述的读取参考电压的调整方法,其中并依据所述平均差值以产生所述临界值的步骤包括:
使所述平均差值乘以常数以产生所述临界值,其中所述常数为大于1的实数。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡家玮,谢宗儒,魏志嘉,
申请(专利权)人:点序科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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