像素结构制造技术

一种像素结构，包括数据线、扫描线、共用信号线、第一开关元件、第二开关元件、第一像素电极以及第二像素电极。第一开关元件电性连接至扫描线以及数据线。第二开关元件电性连接至扫描线以及共用信号线。第一像素电极电性连接第一开关元件。第二像素电极电性连接第二开关元件。第二像素电极包围第一像素电极。

【技术实现步骤摘要】
像素结构
本专利技术涉及一种像素结构，且特别涉及一种包含第一像素电极以及第二像素电极的像素结构。
技术介绍
在单一配向方向的液晶显示装置中，不同视角所对应的光线的相位延迟明显不同，因此，液晶显示装置的使用者容易在不同位置感受到不一样的画面亮度。目前，多象限配向(Multi-domainVerticalAlignment)技术被用来改善此问题。在多象限配向技术中，单一像素被分成多个象限(domain)，不同的象限中的液晶可以有不同的转动方向，借此，能改善液晶显示装置所发出的光线在不同视角下出现相位延迟不同的问题。然而，随着技术的进展，液晶显示装置的分辨率越来越高，且单一像素的尺寸也随之缩小，因此，要如何在维持开口率的前提下将像素区分成多个象限越来越困难。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，可以将像素结构区分成多个象限，且具有高开口率的优点。本专利技术的至少一实施例提供一种像素结构。像素结构包括数据线、扫描线、共用信号线、第一开关元件、第二开关元件、第一像素电极以及第二像素电极。第一开关元件电性连接至扫描线以及数据线。第二开关元件电性连接至扫描线以及共用信号线。第一像素电极电性连接第一开关元件。第二像素电极电性连接第二开关元件。第二像素电极包围第一像素电极。附图说明图1A是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的俯视示意图。图1B是沿着图1A线aa’的剖面示意图。图1C是沿着图1A线bb’的剖面示意图。图2是依照本专利技术的一实施例的一种第一像素电极与第二像素电极的俯视示意图。图3是依照本专利技术的一实施例的一种第一像素电极与第二像素电极的俯视示意图。图4是依照本专利技术的一实施例的一种第一像素电极与第二像素电极的俯视示意图。图5是依照本专利技术的一实施例的一种第一像素电极与第二像素电极的俯视示意图。图6是依照本专利技术的一实施例的一种第一像素电极与第二像素电极的俯视示意图。图7是依照本专利技术的一实施例的一种第一像素电极与第二像素电极的俯视示意图。附图标记说明：10、20：像素结构100：基板110、130：闸绝缘层120：绝缘层140：彩色滤光元件200、200a、200b、200c、200d、200e、200f：第一像素电极210、210a、210b、210c、210d、210e、210f：主干部220、220a、220b、220c、220d、220e、220f：支干部230a：延伸部240e、240f：连接部300、300a、300b、300c、300d、300e、300f：第二像素电极310f：突起结构CH1、CH2：通道层CL：共用信号线CSL：电容电极线D1a：第一漏极D1b：第二漏极D2：漏极DL：数据线DR1、DR2、E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7、E8：延伸方向G1、G2：栅极GV：沟槽H1、H2：开口S1、S2：源极SL：扫描线St1：第一狭缝St2：第二狭缝St3：第三狭缝T1：第一开关元件T2：第二开关元件W1、W2、W3：宽度X：间隙具体实施方式以下将以附图公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解的是，这些实务上的细节不应用被以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些现有的结构与元件在附图中将省略或以简单示意的方式为之。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同或类似的元件。在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者所述元件与所述另一元件中间可以也存在其他元件。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，所述元件与所述另一元件中间不存在其他元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，二元件互相“电性连接”或“耦合”是可为二元件间存在其它元件。应当理解，尽管术语“第一”与“第二”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则原本被描述为在元件的“下”侧的其他元件将变成被定向在元件的“上”侧。因此，取决于附图的特定取向，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为原本在元件“下”或“下方”的其他元件将变成被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下”或“下方”可以包括上方和下方的取向。图1A是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的俯视示意图。图1B是沿着图1A线aa’的剖面示意图。图1C是沿着图1A线bb’的剖面示意图。请参考图1A、图1B以及图1C，像素结构10包括数据线DL、扫描线SL、共用信号线CL、第一开关元件T1、第二开关元件T2、第一像素电极200以及第二像素电极300。请参考图1A与图1B，第一开关元件T1以及第二开关元件T2位于基板100上。第一开关元件T1电性连接至扫描线SL以及数据线DL。第二开关元件T2电性连接至扫描线SL以及共用信号线CL。在本实施例中，第一开关元件T1包括通道层CH1、栅极G1、源极S1、第一漏极D1a与第二漏极D1b。栅极G1位于基板100上，且电性连接至扫描线SL。闸绝缘层110覆盖栅极G1以及基板100。通道层CH1位于闸绝缘层110上，且重叠于栅极G1。源极S1、第一漏极D1a与第二漏极D1b位于通道层CH1上，且源极S1、第一漏极D1a与第二漏极D1b电性连接通道层CH1。源极S1电性连接至数据线DL。源极S1位于第一漏极D1a与第二漏极D1b之间。在本实施例中，第二开关元件T2包括通道层CH2、栅极G2、源极S2与漏极D2。栅极G2位于基板100上，且电性连接至扫描线SL。闸绝缘层110覆盖栅极G2。通道层CH2位于闸绝缘层110上，且重叠于栅极G2。源极S2与漏极D2位于通道层CH2，且源极S2与漏极D2电性连接通道层CH2。源极S2电性连接至共用信号线CL。在本实施例中，像素结构10还包括电容电极线CSL。第二开关元件T2的漏极D2与第一开关元件T1的第二漏极D1b连成一体，且第二开关元件T2的漏极D2、第一开关元件T1的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，包括：/n一数据线、一扫描线以及一共用信号线；/n一第一开关元件，电性连接至该扫描线以及该数据线；/n一第二开关元件，电性连接至该扫描线以及该共用信号线；/n一第一像素电极，电性连接该第一开关元件；以及/n一第二像素电极，电性连接该第二开关元件，其中该第二像素电极包围该第一像素电极。/n

【技术特征摘要】
20200218 TW 1091051781.一种像素结构，包括：
一数据线、一扫描线以及一共用信号线；
一第一开关元件，电性连接至该扫描线以及该数据线；
一第二开关元件，电性连接至该扫描线以及该共用信号线；
一第一像素电极，电性连接该第一开关元件；以及
一第二像素电极，电性连接该第二开关元件，其中该第二像素电极包围该第一像素电极。


2.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一像素电极包括：
一主干部；以及
两个支干部，分别位于该主干部的两侧。


3.如权利要求2所述的像素结构，其中该两个支干部为直线形。


4.如权利要求2所述的像素结构，其中该两个支干部的宽度随着远离该主干部而渐减。


5.如权利要求4所述的像素结构，其中该两个支干部中具有多个第一狭缝，所述多个第一狭缝的延伸方向与该数据线的延伸方向夹有锐角。


6.如权利要求2所述的像素结构，其中该第二像素电极中具有多个第二狭缝，所述多个第二狭缝的延伸方向与该数据线的延伸方向夹...

【专利技术属性】
技术研发人员：王奕筑，赖呈暐，曹福君，林晓彤，郑伟成，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71