本发明专利技术公开了一种晶圆固定装置和晶圆固定方法，晶圆固定装置包括夹持机构和真空产生机构，所述夹持机构包括可相互接近的第一端和第二端；当晶圆设置于所述第一端和所述第二端之间时，所述第一端和所述晶圆共同形成一与外界隔绝的腔室，所述真空产生机构连通至所述腔室。该晶圆固定装置和晶圆固定方法，通过将由晶圆和夹持机构形成的腔室抽真空，以同时通过物理夹紧及真空吸附的方式固定晶圆，从而有效抑制晶圆的翘曲，提高晶圆边缘点接触的准确性，且结构简单，操作方便，极大的提高了电镀的均匀性，并且能够降低晶圆的局部受力，从而降低晶圆的破损率，提高了产能。
【技术实现步骤摘要】
晶圆固定装置和晶圆固定方法
本专利技术涉及一种晶圆固定装置和晶圆固定方法。
技术介绍
在半导体电镀领域中，众所周知晶圆本身会存在一定的翘曲，而这样的翘曲不加以重视和处理会对晶圆电镀造成影响。比如，在将晶圆放置于晶圆夹具上时，由于晶圆存在翘曲，导致晶圆相对夹持机构的表面不平容易被夹紧，从而容易产生相对位置的偏移，这一较小范围的位移变化就会就降低晶圆边缘相对晶圆夹具的位置准确性，从而影响后续工艺的实施和实施效果。而倘若通过较大的夹紧力将晶圆夹紧，可能会提高晶圆的局部受力，导致晶圆破损。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中的晶圆因翘曲的关系，无法准确固定在晶圆夹具上，影响后续工艺实施效果的缺陷，提供一种晶圆固定装置和晶圆固定方法。本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：一种晶圆固定装置，其包括夹持机构和真空产生机构，所述夹持机构包括可相互接近的第一端和第二端；当晶圆设置于所述第一端和所述第二端之间时，所述第一端和所述晶圆共同形成一与外界隔绝的腔室，所述真空产生机构连通至所述腔室。该晶圆固定装置，通过设置真空产生机构将第一端与晶圆之间形成的腔室抽真空，以同时通过物理夹紧及真空吸附的方式固定晶圆，从而有效抑制晶圆的翘曲，提高晶圆边缘点接触的准确性，且结构简单，操作方便，极大的提高了电镀的均匀性，并且能够降低晶圆的局部受力，从而降低晶圆的破损率，提高了产能。较佳地，所述第一端朝向所述晶圆的一侧具有凹槽，所述凹槽和所述晶圆共同形成所述腔室。上述结构设置提供了一种第一端与晶圆共同形成腔室的较佳实施结构。较佳地，所述第一端朝向所述晶圆的一侧还具有密封条，所述密封条用于与所述晶圆直接接触，所述密封条环绕所述凹槽设置。密封条用于与晶圆直接接触，以起到密封隔绝的目的。当晶圆放置在第一端上时，与第一端表面相对柔性接触，以使得第二端无需施加较大压力，就能够使相对翘曲的晶圆完全贴覆在第一端上。较佳地，所述凹槽与所述晶圆同心设置，所述凹槽的槽壁直径小于所述晶圆的直径。上述结构设置提供了在第一端上设置凹槽的较佳实施结构。较佳地，所述真空产生机构连通至所述腔室的气口设置于所述凹槽的槽底面，以提高真空产生机构将腔室内气体抽出时，腔室内气体的均匀度。较佳地，所述真空产生机构通过气管连通至所述腔室，所述气管上设有泄压口。通过设置泄压口，可提高撤去腔室内的负压的效率。较佳地，所述夹持机构还包括密封件，所述密封件设置于所述第二端和所述晶圆之间。通过在第二端和晶圆之间设置密封件，避免第二端与晶圆刚性接触而导致晶圆破损的情况发生。较佳地，所述第一端的周侧和所述第二端的周侧均伸出于所述晶圆的边沿，所述第二端的周侧还朝所述第一端的方向延伸，并定位于所述第一端的周侧表面，以实现第二端直接定位于第一端的目的，提高夹持机构的第一端和第二端固定时，两者相对位置的可靠度。较佳地，所述第一端与所述晶圆的非电镀面相接触，避免用于真空固定晶圆的腔室占据晶圆的电镀面，影响电镀工艺的实施。一种晶圆固定方法，其包括以下步骤：将晶圆放置在夹持机构的上，使所述晶圆与所述夹持机构共同形成一与外界隔绝的腔室；将所述腔室抽真空，并通过所述夹持机构固定所述晶圆。该晶圆固定方法，通过将由晶圆和夹持机构形成的腔室抽真空，以同时通过物理夹紧及真空吸附的方式固定晶圆，从而有效抑制晶圆的翘曲，提高晶圆边缘点接触的准确性，且结构简单，操作方便，极大的提高了电镀的均匀性，并且能够降低晶圆的局部受力，从而降低晶圆的破损率，提高了产能。较佳地，在将所述腔室抽真空，并通过所述夹持机构固定所述晶圆的步骤中，先通过所述夹持机构固定所述晶圆，并在所述夹持机构完成固定之后再将所述腔室抽真空。上述流程，可保证腔室在未抽真空时的密封效果，进而可提高将空气从腔室内抽出的效果，以更好地达到负压要求。较佳地，在将晶圆放置在夹持机构的上，使所述晶圆与所述夹持机构共同形成一与外界隔绝的腔室的步骤中，将晶圆的非电镀面放置在夹持机构的端面上，使所述晶圆与所述端面共同形成一与外界隔绝的腔室，以避免用于真空固定晶圆的腔室占据晶圆的电镀面，影响电镀工艺的实施。本专利技术的积极进步效果在于：该晶圆固定装置和晶圆固定方法中，通过将由晶圆和夹持机构形成的腔室抽真空，以同时通过物理夹紧及真空吸附的方式固定晶圆，从而有效抑制晶圆的翘曲，提高晶圆边缘点接触的准确性，且结构简单，操作方便，极大的提高了电镀的均匀性，并且能够降低晶圆的局部受力，从而降低晶圆的破损率，提高了产能。附图说明图1为本专利技术一实施例的晶圆固定装置的结构示意图。图2为本专利技术一实施例的晶圆固定方法的流程示意图。附图标记说明：第一端1，凹槽11，气口12，气管13第二端2腔室3密封条4密封件5晶圆100，电镀面100a具体实施方式下面通过实施例的方式进一步说明本专利技术，但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。如图1所示，本专利技术提供一种晶圆固定装置，其包括设置在晶圆夹具(图中未示出)上的夹持机构，该夹持机构包括第一端1和第二端2，第一端1和第二端2之间能够相互靠近并相互固定，以在晶圆100设置在第一端1和第二端2之间时，通过第一端1和第二端2对晶圆100实现夹持固定的目的。具体的，当晶圆100放置在第一端1上时，晶圆100朝向第一端1的一侧表面与第一端1能够共同形成一个与外界隔绝的腔室3，该晶圆固定装置还具有真空产生机构(图中未示出)，真空产生机构通过气管13连通至腔室3，在真空产生机构工作时能够抽走腔室3内的空气，从而产生负压，使晶圆100与第一端1保持贴合，以提高晶圆100的平整度，降低晶圆100翘曲对后续电镀工艺的实施和实施质量造成影响。该晶圆固定装置，通过设置真空产生机构将第一端1与晶圆100之间形成的腔室3抽真空，以同时通过物理夹紧及真空吸附的方式固定晶圆100，从而有效抑制晶圆100的翘曲，提高晶圆100边缘点接触的准确性，且结构简单，操作方便，极大的提高了电镀的均匀性，并且能够降低晶圆100的局部受力，从而降低晶圆100的破损率，提高了产能。其中，通过本实施例的晶圆固定装置在固定晶圆100时，可以在第二端2和第一端1未夹紧晶圆100时就开启真空产生机构抽真空，也可以在第二端2和第一端1将晶圆100夹住时再开启真空产生机构抽真空。上述工序实施的顺序并不会影响晶圆固定装置固定住晶圆100。当然，优选地，在晶圆100放置在第一端1之后，可以先通过第二端2将晶圆100夹在第一端1上，使得晶圆100相对第一端1翘起的一端也能够贴覆在第一端1表面，再开启真空产生机构抽真空，这样，可避免腔室3漏气，提高将空气从腔室3内抽出的效果，从而能更好地达到负压要求。其中，在上述流程中，第二端2将晶圆100夹在第一端1上时，第二端2对晶圆100施本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆固定装置，其特征在于，其包括夹持机构和真空产生机构，所述夹持机构包括可相互接近的第一端和第二端；/n当晶圆设置于所述第一端和所述第二端之间时，所述第一端和所述晶圆共同形成一与外界隔绝的腔室，所述真空产生机构连通至所述腔室。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆固定装置，其特征在于，其包括夹持机构和真空产生机构，所述夹持机构包括可相互接近的第一端和第二端；
当晶圆设置于所述第一端和所述第二端之间时，所述第一端和所述晶圆共同形成一与外界隔绝的腔室，所述真空产生机构连通至所述腔室。
2.如权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于，所述第一端朝向所述晶圆的一侧具有凹槽，所述凹槽和所述晶圆共同形成所述腔室。
3.如权利要求2所述的晶圆固定装置，其特征在于，所述第一端朝向所述晶圆的一侧还具有密封条，所述密封条用于与所述晶圆直接接触，所述密封条环绕所述凹槽设置。
4.如权利要求2所述的晶圆固定装置，其特征在于，所述凹槽与所述晶圆同心设置，所述凹槽的槽壁直径小于所述晶圆的直径。
5.如权利要求2所述的晶圆固定装置，其特征在于，所述真空产生机构连通至所述腔室的气口设置于所述凹槽的槽底面。
6.如权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于，所述真空产生机构通过气管连通至所述腔室，所述气管上设有泄压口。
7.如权利要求1所述的晶圆固定装置，其特征在于，所述夹持机构还包括密...
【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文·贺·汪，
申请(专利权)人：硅密芯镀海宁半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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