【技术实现步骤摘要】
晶片研磨生产用上下料装置及晶片批量取放方法
本专利技术涉及半导体晶片机械加工
,具体涉及一种晶片研磨生产用上下料装置及晶片批量取放方法。
技术介绍
在半导体材料碳化硅、蓝宝石等晶片加工制备工艺中,研磨作为去除碳化硅晶棒或蓝宝石晶棒多线切割制成晶片后产生的锯痕损伤层和表面应力层,改善晶片弯曲度(BOW)、翘曲度(WARP)、全面厚度差异(TTV)性能指标及减少后续加工余量的重要工序,在半导体材料的加工过程中广泛应用此工艺。现有的碳化硅、蓝宝石等研磨加工工艺中,研磨加工开始前,需要人工逐片放入晶片到运转的多孔游星轮夹具中。研磨加工结束时,需要间歇运转设备的情况下,人工取出游星轮后,将晶片逐片手抚到研磨盘边缘取出。所述的两次人工操作,容易造成晶片表面划伤和晶片间碰撞崩边,及花费大量的上下料时间。随着研磨设备尺寸由小型16B设备往大型22B、24B设备推陈出新下,单个游星轮内装载晶片数量也大幅提高,人工操作工作量和工作难度增加数倍,同时产品质量难以保证、操作安全性与便利性急待改善。
技术实现思路
本 ...
【技术保护点】
1.一种晶片研磨生产用上下料装置,其特征在于,包括安装座(2)、管路结构、盘组件和多个吸盘(1),其中:/n所述盘组件内部形成密闭腔体,所述多个吸盘(1)连接在所述盘组件的下方,并且所述吸盘(1)与所述密闭腔体连通;/n所述安装座(2)设置在所述盘组件的上方,所述管路结构通过所述安装座(2)并与所述密闭腔体连通。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶片研磨生产用上下料装置,其特征在于,包括安装座(2)、管路结构、盘组件和多个吸盘(1),其中:
所述盘组件内部形成密闭腔体,所述多个吸盘(1)连接在所述盘组件的下方,并且所述吸盘(1)与所述密闭腔体连通;
所述安装座(2)设置在所述盘组件的上方,所述管路结构通过所述安装座(2)并与所述密闭腔体连通。
2.根据权利要求1所述的晶片研磨生产用上下料装置,其特征在于,所述盘组件包括上结构盘(3)、下结构盘(4)和密封结构(5),所述上结构盘(3)连接在所述下结构盘(4)上方,并通过所述密封结构(5)密封,所述上结构盘(3)、下结构盘(4)和密封结构(5)之间形成所述密闭腔体。
3.根据权利要求2所述的晶片研磨生产用上下料装置,其特征在于,所述上结构盘(3)的一侧面上开设有迷宫形凹槽(301),所述下结构盘(4)的一侧面上沿其周向开设有多个环状凹槽(401),并且所述多个环状凹槽(401)同轴心设置;所述迷宫式凹槽(301)与所述环状凹槽(401)相对且连通设置。
4.根据权利要求3所述的晶片研磨生产用上下料装置,其特征在于,所述下结构盘(4)上开设有多个螺纹孔(402),并且所述多个螺纹孔(402)沿周向分布在所述多个环状凹槽(401)内;所述吸盘(1)通过所述螺纹孔(402)与所述下结构盘(4)螺接。
5.根据权利要求4所述的晶片研磨生产用上下料装置,其特征在于,所述吸盘(1)呈圆形、方形或不规则形状。
6.根据权利要求2所述的晶片研磨生产用上下料装置,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐良,朱卫祥,蓝文安,占俊杰,杨新鹏,刘建哲,余雅俊,夏建白,
申请(专利权)人:浙江博蓝特半导体科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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