化学机械研磨方法技术

本发明专利技术提供一种化学机械研磨方法，包括：将待研磨晶圆用羊毛毡研磨垫进行第一次研磨，以消除所述待研磨晶圆的高段差；将第一次研磨完毕的晶圆采用聚氨酯研磨垫进行第二次研磨，以完成所述晶圆的平坦化。本发明专利技术提供的化学机械研磨方法能够在较大的研磨量下保持半导体晶圆表面的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
化学机械研磨方法
本专利技术涉及研磨
，尤其涉及一种化学机械研磨方法。
技术介绍
在拥有高段差的半导体元件上，为实现规定的平坦化工艺，需要对半导体元件进行较大研磨量的研磨。目前作为解决该问题的常用手段，是在研磨的过程中使用具有较高去除效率的研磨浆料。但是，使用较高去除效率的研磨浆料研磨的过程中，容易对半导体元件的边缘形成过度研磨，从而造成半导体元件的成品率下降的问题。
技术实现思路
本专利技术提供的化学机械研磨方法，能够在较大的研磨量下保持半导体晶圆表面的均匀性。第一方面，本专利技术提供一种化学机械研磨方法，包括：将待研磨晶圆用羊毛毡研磨垫进行第一次研磨，以消除所述待研磨晶圆的高段差；将第一次研磨完毕的晶圆采用聚氨酯研磨垫进行第二次研磨，以完成所述晶圆的平坦化。可选地，所述第一次研磨的研磨量为以上。可选地，所述羊毛毡研磨垫包括研磨垫主体和附着在研磨垫主体表面或内部的磨料。可选地，所述磨料包括氧化锆(ZrO3)、二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化铈(CeO2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：/n将待研磨晶圆用羊毛毡研磨垫进行第一次研磨，以消除所述待研磨晶圆的高段差；/n将第一次研磨完毕的晶圆采用聚氨酯研磨垫进行第二次研磨，以完成所述晶圆的平坦化。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：
将待研磨晶圆用羊毛毡研磨垫进行第一次研磨，以消除所述待研磨晶圆的高段差；
将第一次研磨完毕的晶圆采用聚氨酯研磨垫进行第二次研磨，以完成所述晶圆的平坦化。


2.如权利要求1所述化学机械研磨方法，其特征在于：所述第一次研磨的研磨量为以上。


3.如权利要求1所述化学机械研磨方法，其特征在于：所述羊毛毡研磨垫包括研磨垫主体和附着在研磨垫主体表面或内部的磨料。


4.如权利要求3所述化学机械研磨方法，其特征在于：所述磨料包括氧化锆(ZrO3)、二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O...

【专利技术属性】
技术研发人员：金昶圭，张月，杨涛，卢一泓，刘青，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11