气体的光谱分析装置制造方法及图纸

在通过使频率被调制的半导体激光透过减压状态的被测定气体来得到光吸收强度的２次微分谱来分析被测定气体中的微量杂质的气体的光谱分析装置中，设置根据半导体激光器（１１）的特性控制激光的调制振幅用的调制振幅运算装置（１）、对由测定得到的２次微分谱中的峰的左右的极小值的波长间隔和峰的吸收强度进行运算的谱运算装置（２）和控制测定用气体单元（１４）内的压力以使由谱运算装置（２）得到的吸收强度的值为最大用的压力调整装置（３）。设定激光的调制振幅的最佳值，使得２次微分谱中的峰的左右的极小值的波长宽度为０．０１１６ｎｍ。将调制振幅设定为最佳值，使测定压力最佳化。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用使用半导体激光器作为光源的光谱分析以高灵敏度、高精度来分析气体中的微量成分的方法和装置，特别是涉及能容易地进行测定条件的最佳化。
技术介绍
作为分析气体中的微量杂质的方法，因为使用半导体激光器作为光源来测定气体的吸光度的光谱分析法的测定精度和灵敏度良好，故得到广泛的应用。附图说明图10是示出现有的气体的光谱分析装置的例子的概略构成图。在该装置中，由作为光源的半导体激光器11振荡所产生的激光在被集光透镜系统12进行了准直(collimate)后，由2个分光镜13、13分成3条光线，即第1～第3条光线。第1条光线的激光投射到测定用气体单元14上，由第1光检测器15检测通过该测定用气体单元14而射出的透射光的强度。第2条光线的激光投射到参照用气体单元16上，由第2光检测器17检测通过该参照用气体单元16而射出的透射光的强度。由第3光检测器18检测第3条光线的激光的强度。在测定用气体单元14中具有被测定气体供给系统23，由此，在适当的减压状态下且以一定的流量将被测定气体导入到单元14内。此外，对参照用气体单元16供给在被测定气体中包含的测定对象杂质，检测出该杂质的吸收峰本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体的光谱分析装置，具备：波长可变型半导体激光器；对该半导体激光器进行频率调制的频率调制装置；使由上述半导体激光器振荡所产生的激光透过被测定气体的装置；测定透过了上述被测定气体的激光强度的装置；以及由该激光强度的测定值得到２次微分谱的装置，其特征在于：具备调制振幅运算装置，该装置由半导体激光器的特性对调制振幅的最佳值进行运算，控制上述频率调制装置，使得由上述半导体激光器振荡所产生的激光的调制振幅成为该最佳值。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森下淳一，石原良夫，吴尚谦，
申请(专利权)人：日本酸素株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]