存储器字线形貌的控制方法技术

本发明专利技术提供一种存储器字线形貌的控制方法，包括以下步骤：步骤S1：字线多晶膜层涂覆步骤，用于在擦除栅极多晶硅以及隔离区上布置字线多晶硅，其中，所述字线多晶膜层包括非掺杂多晶硅；步骤S2：采用各向同性刻蚀工艺对所述字线多晶膜层进行部分厚度的刻蚀；步骤S3：采用各向异性刻蚀工艺对所述字线多晶膜层进行剩余部分的刻蚀，以形成字线多晶层；步骤S4：对所述字线多晶层执行离子掺杂工艺，以形成掺杂后的字线多晶层。本发明专利技术通过一次各项同性干法刻蚀工艺和一次各项异性干法刻蚀工艺，避免了字线在靠近衬底的部分出现尾巴形貌，避免了其对后续侧墙工艺的影响，同时使得字线WL的上表面的尖角的高度减低。

【技术实现步骤摘要】
存储器字线形貌的控制方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种存储器字线形貌的控制方法。
技术介绍
在目前的半导体产业中，存储器件在集成电路产品中占了相当大的比例，存储器中的快闪存储器的发展尤为迅速。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、较快的存取速度和易于擦除等多项优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。对于存储器(例如闪存)，字线形貌是至关重要的。图1是一种存储器字线相貌的结构示意图。如图1所示，擦除栅极多晶硅1与字线WL之间布置有隔离区2，其中，字线WL一般也由多晶硅形成。图中，形成字线WL后，出现了台阶状的尾巴a，该形貌使得后续工艺造成影响，同时存储单元的功能特征也受到了影响。另外，字线WL的上表面较为毛糙(尖角的高度较高)，使得后续在字线WL外接时较为困难，影响了存储器的工作特性。因此，希望能够提出一种能够改善存储器字线形貌的控制方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种存储器字线形貌的控制方法，以改善存储器字线形貌问题，从而提高存储单元的功本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器字线形貌的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：/n字线多晶膜层涂覆步骤，用于在擦除栅极多晶硅以及隔离区上布置字线多晶硅，其中，所述字线多晶膜层包括非掺杂多晶硅；/n采用各向同性刻蚀工艺对所述字线多晶膜层进行部分厚度的刻蚀；/n采用各向异性刻蚀工艺对所述字线多晶膜层进行剩余部分的刻蚀，以形成字线多晶层；以及/n对所述字线多晶层执行离子掺杂工艺，以形成掺杂后的字线多晶层。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器字线形貌的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
字线多晶膜层涂覆步骤，用于在擦除栅极多晶硅以及隔离区上布置字线多晶硅，其中，所述字线多晶膜层包括非掺杂多晶硅；
采用各向同性刻蚀工艺对所述字线多晶膜层进行部分厚度的刻蚀；
采用各向异性刻蚀工艺对所述字线多晶膜层进行剩余部分的刻蚀，以形成字线多晶层；以及
对所述字线多晶层执行离子掺杂工艺，以形成掺杂后的字线多晶层。


2.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，字线多晶膜层涂覆步骤具体包括：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有擦除栅极多晶硅和隔离区，所述隔离区位于所述擦除栅极多晶硅外侧，且所述隔离区包围所述擦除栅极多晶硅设置；以及
在所述半导体衬底上沉积所述字线多晶膜层，所述字线多晶膜层为未进行P型离子和/或N型离子掺杂的非掺杂多晶硅层。


3.如权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述字线多晶膜层的厚度为


4.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，采用各向同性刻蚀工艺对所述字线多晶膜层进行部分厚度的刻蚀具体包括：
采用各向同性干法刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王旭峰，于涛，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31