温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种存储器字线形貌的控制方法，包括以下步骤：步骤S1：字线多晶膜层涂覆步骤，用于在擦除栅极多晶硅以及隔离区上布置字线多晶硅，其中，所述字线多晶膜层包括非掺杂多晶硅；步骤S2：采用各向同性刻蚀工艺对所述字线多晶膜层进行部分厚度的刻蚀...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。