背板和背板的制备方法技术

本申请提供一种背板和背板的制备方法，制备方法包括：在衬底上依次制备第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层，第一金属层图案化形成第一导电构件和第二导电构件，第二金属层图案化形成第三导电构件和第四导电构件；刻蚀钝化层和绝缘层形成第一、第二、第三、第四过孔、以及与第四导电构件对应的第五过孔；在钝化层上制备材料包括金属氧化物半导体的连接构件，图案化形成第一连接构件和第二连接构件，第一连接构件通过第一过孔与第一导电构件连接，通过第二过孔与第三导电构件连接，第二连接构件通过第三过孔与第二导电构件连接，通过第四过孔与第四导电构件连接；用极紫外光照射连接构件。本申请降低了第一金属层和第二金属层的接触电阻。

【技术实现步骤摘要】
背板和背板的制备方法
本申请涉及显示
，尤其涉及一种背板和背板的制备方法。
技术介绍
现有的AMMiniLED背板中，背板包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，在芯片绑定区和背光源绑定区内，通常使用氧化铟锡(ITO)材料实现第一金属层和第二金属层的搭接，然而，在制备ITO搭接层后，芯片绑定区内的铜绑定端子处于暴露状态，因此无法对ITO进行退火处理，会使第一金属层和第二金属层的接触电阻较大，影响后续点灯的效果。因此，现有的AMMiniLED背板存在第一金属层和第二金属层间接触电阻过大的技术问题，需要改进。
技术实现思路
本申请实施例提供一种背板和背板的制备方法，用以缓解现有的AMMiniLED背板中第一金属层和第二金属层间接触电阻过大的技术问题。本申请提供一种背板的制备方法，所述背板包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次制备第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层，所述第一金属层图案化形成位于所述芯片绑定区内的第一导电构件和所述背光源绑定区内的第二导电构件，所述第二金属层图案化形成位于所述芯片绑定区内的第三导电构件和所述背光源绑定区内的第四导电构件；刻蚀所述钝化层和所述绝缘层，形成位于所述芯片绑定区内的第一过孔和第二过孔、以及位于所述背光源绑定区内的第三过孔、第四过孔和第五过孔，所述第五过孔与所述第四导电构件对应；在所述钝化层上制备连接构件，所述连接构件材料包括金属氧化物半导体，所述连接构件图案化形成第一连接构件和第二连接构件，所述第一连接构件通过所述第一过孔与所述第一导电构件连接，通过所述第二过孔与所述第三导电构件连接，所述第二连接构件通过所述第三过孔与所述第二导电构件连接，通过所述第四过孔与所述第四导电构件连接；用极紫外光照射所述连接构件，以使所述连接构件电阻降低。在本申请的背板的制备方法中，所述在所述钝化层上制备连接构件，所述连接构件材料包括金属氧化物半导体的步骤，包括：在所述钝化层上制备连接构件，所述连接构件材料包括铟锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锌锡氧化物中的至少一种。在本申请的背板的制备方法中，所述用极紫外光照射所述连接构件，以使所述连接构件电阻降低的步骤，包括：用极紫外光源发射的极紫外光照射所述连接构件，所述极紫外光源的照射功率大于第一预设值。在本申请的背板的制备方法中，所述用极紫外光照射所述连接构件，以使所述连接构件电阻降低的步骤，包括：用极紫外光源发射的极紫外光照射所述连接构件，所述极紫外光源的照射时间大于第二预设值。在本申请的背板的制备方法中，所述用极紫外光照射所述连接构件，以使所述连接构件电阻降低的步骤之后，还包括：将背光源通过所述第五过孔与所述第四导电构件绑定。在本申请的背板的制备方法中，所述在所述衬底上依次制备第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层的步骤，还包括：在所述第一金属层和所述第二金属层之间、或所述衬底与所述第一金属层之间形成有源层。在本申请的背板的制备方法中，所述在所述第一金属层和所述第二金属层之间、或所述衬底与所述第一金属层之间形成有源层的步骤，包括：形成所述有源层，所述有源层的材料包括多晶硅或金属氧化物半导体。在本申请的背板的制备方法中，所述在所述衬底上依次制备第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层的步骤，包括：在所述驱动电路区内，将所述第一金属层图案化形成薄膜晶体管的栅极，将所述第二金属层图案化形成薄膜晶体管的源极和漏极。在本申请的背板的制备方法中，所述在所述衬底上依次制备第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层的步骤，包括：制备第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层的材料均包括铜、钼铜合金和钼铝合金中的至少一种。本申请还提供一种背板，包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，采用上述任一项所述的背板的制备方法制成。有益效果：本申请提供一种背板和背板的制备方法，所述背板包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次制备第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层，所述第一金属层在所述芯片绑定区形成第一导电构件，在所述背光源绑定区形成第二导电构件，所述第二金属层在所述芯片绑定区形成第三导电构件，在所述背光源绑定区形成第四导电构件；刻蚀所述钝化层和所述绝缘层，形成位于所述芯片绑定区内的第一过孔和第二过孔、以及位于所述背光源绑定区内的第三过孔、第四过孔和第五过孔，所述第五过孔与所述第四导电构件对应；在所述钝化层上制备连接构件，所述连接构件材料包括金属氧化物半导体，所述连接构件图案化形成第一连接构件和第二连接构件，所述第一连接构件通过所述第一过孔与所述第一导电构件连接，通过所述第二过孔与所述第三导电构件连接，所述第二连接构件通过所述第三过孔与所述第二导电构件连接，通过所述第四过孔与所述第四导电构件连接；用极紫外光照射所述连接构件，以使所述连接构件电阻降低。本申请通过用极紫外光照射连接构件，使得第一金属层和第二金属层的接触电阻降低，因此在后续背光源与背板绑定后不会影响点灯结果。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请实施例提供的背板的制备方法的流程示意图。图2为本申请实施例提供的背板的制备方法的第一阶段示意图。图3为本申请实施例提供的背板的制备方法的第二阶段示意图。图4为本申请实施例提供的背板的制备方法的第三阶段示意图。图5为本申请实施例提供的背板的制备方法的第四阶段示意图。图6为本申请实施例提供的背板的制备方法的第五阶段示意图。图7为本申请实施例提供的背板的制备方法的第六阶段示意图。图8为本申请实施例提供的背板的制备方法的第七阶段示意图。图9为本申请实施例提供的背光模组的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背板的制备方法，所述背板包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，其特征在于，所述制备方法包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上依次制备第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层，所述第一金属层图案化形成位于所述芯片绑定区内的第一导电构件和所述背光源绑定区内的第二导电构件，所述第二金属层图案化形成位于所述芯片绑定区内的第三导电构件和所述背光源绑定区内的第四导电构件；/n刻蚀所述钝化层和所述绝缘层，形成位于所述芯片绑定区内的第一过孔和第二过孔、以及位于所述背光源绑定区内的第三过孔、第四过孔和第五过孔，所述第五过孔与所述第四导电构件对应；/n在所述钝化层上制备连接构件，所述连接构件材料包括金属氧化物半导体，所述连接构件图案化形成第一连接构件和第二连接构件，所述第一连接构件通过所述第一过孔与所述第一导电构件连接，通过所述第二过孔与所述第三导电构件连接，所述第二连接构件通过所述第三过孔与所述第二导电构件连接，通过所述第四过孔与所述第四导电构件连接；/n用极紫外光照射所述连接构件，以使所述连接构件电阻降低。/n

【技术特征摘要】
1.一种背板的制备方法，所述背板包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，其特征在于，所述制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上依次制备第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层，所述第一金属层图案化形成位于所述芯片绑定区内的第一导电构件和所述背光源绑定区内的第二导电构件，所述第二金属层图案化形成位于所述芯片绑定区内的第三导电构件和所述背光源绑定区内的第四导电构件；
刻蚀所述钝化层和所述绝缘层，形成位于所述芯片绑定区内的第一过孔和第二过孔、以及位于所述背光源绑定区内的第三过孔、第四过孔和第五过孔，所述第五过孔与所述第四导电构件对应；
在所述钝化层上制备连接构件，所述连接构件材料包括金属氧化物半导体，所述连接构件图案化形成第一连接构件和第二连接构件，所述第一连接构件通过所述第一过孔与所述第一导电构件连接，通过所述第二过孔与所述第三导电构件连接，所述第二连接构件通过所述第三过孔与所述第二导电构件连接，通过所述第四过孔与所述第四导电构件连接；
用极紫外光照射所述连接构件，以使所述连接构件电阻降低。


2.如权利要求1所述的背板的制备方法，其特征在于，所述在所述钝化层上制备连接构件，所述连接构件材料包括金属氧化物半导体的步骤，包括：在所述钝化层上制备连接构件，所述连接构件材料包括铟锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锌锡氧化物中的至少一种。


3.如权利要求1所述的背板的制备方法，其特征在于，所述用极紫外光照射所述连接构件，以使所述连接构件电阻降低的步骤，包括：用极紫外光源发射的极紫外光照射所述连接构件，所述极紫外光源的照射功率大于第一预设值。


4.如权利要求1所述的背板的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓永，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44