一种超导磁体结构及磁共振设备制造技术

本实用新型专利技术属于磁共振成像技术领域，公开了一种超导磁体结构及磁共振设备。所述超导磁体结构，包括：低温保持器，低温保持器具有容腔且环绕形成沿轴向延伸的通孔；梯度线圈组件，其容纳于通孔中；超导线圈组件，其容纳于容腔中；电屏蔽层，其设置于超导线圈组件和梯度线圈组件之间，用于屏蔽梯度线圈组件向超导线圈组件逸散的交变电磁场。在磁共振设备工作时，电屏蔽层会屏蔽梯度线圈组件的交变场，与现有技术相比，避免出现涡流而引起超导线圈组件失超的情况，以保证系统正常稳定工作。

【技术实现步骤摘要】
一种超导磁体结构及磁共振设备
本技术涉及磁共振成像
，尤其涉及一种超导磁体结构及磁共振设备。
技术介绍
超导磁共振设备正常工作时，梯度线圈会通入较大的交变电流，其产生的交变场会在梯度线圈、低温保持器以及超导线圈上产生涡流。由于涡流加热效应引起部件局部温度上升，还有可能引起超导线圈中的磁通跳跃，有可能导致线圈失超。为了解决这个问题，在梯度线圈的设计中，充分考虑梯度逸散场的分布；同时磁体内部设置的热屏蔽层，可以同时起到屏蔽热辐射和隔热的作用，通过优化铝屏蔽层的位置或厚度，或者采用高电导率材料可屏蔽超导线圈外的交变场。这种方法简单直接，但热屏蔽层始终无法完全屏蔽梯度线圈的杂散场。同时，热屏蔽层与超导线圈之间采用机械连接，并不能保证两者有相同的机械固有频率。超导磁体是静磁场，铝屏蔽层在受到外部激振时，如果相对静磁场运动，会切割静磁场，从而在热屏蔽层上产生涡流，这些涡流会在超导线圈上感应出二次涡流，同样引起失超。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种超导磁体结构及磁共振设备，屏蔽效果好，避免出现失超的情况。为达此目本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超导磁体结构，包括：/n低温保持器(1)，所述低温保持器(1)具有容腔且环绕形成沿轴向延伸的通孔；/n梯度线圈组件(2)，其容纳于所述通孔中；/n超导线圈组件(3)，其容纳于所述容腔中；/n其特征在于，还包括：/n电屏蔽层(4)，其设置于所述超导线圈组件(3)和所述梯度线圈组件(2)之间，用于屏蔽所述梯度线圈组件(2)向所述超导线圈组件(3)逸散的交变电磁场。/n

【技术特征摘要】
1.一种超导磁体结构，包括：
低温保持器(1)，所述低温保持器(1)具有容腔且环绕形成沿轴向延伸的通孔；
梯度线圈组件(2)，其容纳于所述通孔中；
超导线圈组件(3)，其容纳于所述容腔中；
其特征在于，还包括：
电屏蔽层(4)，其设置于所述超导线圈组件(3)和所述梯度线圈组件(2)之间，用于屏蔽所述梯度线圈组件(2)向所述超导线圈组件(3)逸散的交变电磁场。


2.根据权利要求1所述的超导磁体结构，其特征在于，所述电屏蔽层(4)采用中空结构的金属材料制成，且所述电屏蔽层(4)沿所述超导线圈组件(3)的轴向整体布置或分段布置。


3.根据权利要求2所述的超导磁体结构，其特征在于，分段布置的每个所述电屏蔽层(4)沿所述超导线圈组件(3)轴向方向的宽度不小于与其相对应的所述超导线圈组件(3)的宽度。


4.根据权利要求1所述的超导磁体结构，其特征在于，所述低温保持器(1)包括：
外容器(11)，所述通孔开设于所述外容器(11)上；
内容器(12)，其设置于所述容腔内；
中间屏蔽层(13)，其设置于所述外容器(11)和所述内容器(12)之间。


5.根据权利要求4所述的超导磁体结构，其特征在于，在所述外容器(11)、所述内容器(12)、所述中间屏蔽层(13)中至少一个的圆周面上设置有所述电屏蔽层(4)，所述电屏蔽层(4)设置于所述圆周面朝向所述超导线圈的一侧。


6.根据权利要求4所述的超导磁体结构，其特征在于，所述电屏蔽层(4)的进口(41)穿过所述外容器(11)的一侧并连通于第一制冷源，所述电屏蔽层(4)的出口(42)穿过所述外容器(11)的另一侧并连通于第二制冷源，形成温度可控的制冷回路；
或者，所述电屏蔽层(4)的进口(41)连通于所述外容器(11)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹利军，
申请(专利权)人：上海联影医疗科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31