多结太阳能电池制造技术

本发明专利技术涉及一种堆叠状的多结太阳能电池(MJ)，所述多结太阳能电池包括由最下方的子电池(C1)、至少一个中间子电池(C2)和最上方的子电池(C3)组成的堆叠(ST)，其中，每个子电池(C1，C2，C3)具有发射极(E1，E2，E3)和基极(B1，B2，B3)，至少所述最上方的子电池(C3)由III‑V族半导体材料组成或包括III‑V族半导体材料，所述最上方的子电池(C3)的发射极(E3)包括超晶格(SL)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多结太阳能电池
本专利技术涉及一种多结太阳能电池。
技术介绍
为了更好地充分利用太阳光谱，多结太阳能电池通常包括三个或更多子电池，所述子电池具有不同且彼此协调的带隙，其中，最上方的子电池具有最大的带隙，而最下方的子电池具有最小的带隙，并且最上方的子电池位于该多结太阳能电池的面向太阳的一侧。例如由W.Guter等人的报告《DevelopmentofUprightMetamorphic4JSpaceSolarCells》，太空动力工作室2017，曼哈顿海滩，加利福尼亚，已知这种多结太阳能电池。在锗衬底上晶格匹配的多结太阳能电池中，多结太阳能电池的最上方的子电池——以下也称为上电池(Oberzelle)——通常由InGaP组成，其带间距约为1.88eV。InGaP上电池的开路端电压(offeneKlemmspannung)Voc显示约为1.4V。为了提高多结太阳能电池的效率，正在寻求具有三个以上子电池的变质的且晶格匹配的设计。在此，上电池由InAlGaP构造，其中，通过添加Al来增大带间距，并且上电池的开路端电压会提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种堆叠状的多结太阳能电池(MJ)，所述堆叠状的多结太阳能电池包括由最下方的子电池(C1)、至少一个中间的子电池(C2)和最上方的子电池(C3)组成的堆叠(ST)，其中，/n每个子电池(C1，C2，C3)具有发射极(E1，E2，E3)和基极(B1，B2，B3)，/n至少所述最上方的子电池(C3)由III-V族半导体材料组成或包括III-V族半导体材料，其中，光穿过所述最上方的子电池到其他的子电池上，/n其特征在于，/n所述最上方的子电池(C3)的发射极(E3)包括超晶格(SL)或由超晶格结构(SL)组成。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180301 DE 102018001592.11.一种堆叠状的多结太阳能电池(MJ)，所述堆叠状的多结太阳能电池包括由最下方的子电池(C1)、至少一个中间的子电池(C2)和最上方的子电池(C3)组成的堆叠(ST)，其中，
每个子电池(C1，C2，C3)具有发射极(E1，E2，E3)和基极(B1，B2，B3)，
至少所述最上方的子电池(C3)由III-V族半导体材料组成或包括III-V族半导体材料，其中，光穿过所述最上方的子电池到其他的子电池上，
其特征在于，
所述最上方的子电池(C3)的发射极(E3)包括超晶格(SL)或由超晶格结构(SL)组成。


2.根据权利要求1所述的堆叠状的多结太阳能电池(MJ)，其特征在于，所述超晶格(SL)由多个堆叠的层组成，其中，相邻的层在至少一个化学元素的成分方面不同和/或在化学计量方面不同。


3.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(MJ)，其特征在于，所述最上方的子电池的发射极(E3)除所述超晶格(SL)之外还包括其他层，并且所述其他层是所述发射极(E3)的一部分。


4.根据权利要求1或2或3所述的堆叠状的多结太阳能电池(MJ)，其特征在于，所述超晶格(SL)包括多个垒层(BA)和多个阱层(QW)，其中，所述垒层(BA)和所述阱层(QW)交替地堆叠。


5.根据以上权利要求中任一项所述的堆叠状的多结太阳能电池(MJ)，其特征在于，每个垒层(BA)具有最高6nm的层厚度(D1)，而每个阱层(QW)具有最高8nm的层厚度(D2)。


6.根据以上权利要求中任一项所述的堆叠状的多结太阳能电池(MJ)，其特征在于，每个垒层(BA)具有第一掺杂剂浓度，每个阱层(QW)具有第二掺杂剂浓度，并且所述第一掺杂剂浓度等于或大于或小于所述第二掺杂剂浓度。


7.根据以上权利要求中任一项所述的堆叠状的多结太阳能电池(MJ)，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·富尔曼，G·凯勒，R·范莱斯特，
申请(专利权)人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE