感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法、树脂技术

本发明专利技术的课题在于，提供一种所形成的图案的LER及崩塌抑制能力优异的感光化射线性或感放射线性树脂组合物。并且，本发明专利技术的另一课题在于，提供一种使用上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物的抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。并且，本发明专利技术的另一课题在于，提供一种能够用于上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物的树脂。本发明专利技术的感光化射线性或感放射线性树脂组合物包含通过光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物及通过酸的作用而极性增大的树脂，其中，上述树脂包含通式(B‑1)所表示的重复单元，并且上述通式(B‑1)所表示的重复单元的含量相对于上述树脂中的所有重复单元为5～70质量％。通式(B‑1)中，R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法、树脂
本专利技术是涉及一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法及树脂。
技术介绍
一直以来，在IC(IntegratedCircuit，集成电路)及LSI(LargeScaleIntegratedCircuit，大规模集成电路)等半导体设备的制造工序中，正在进行可基于使用抗蚀剂组合物(以下，也称为“感光化射线性或感放射线性树脂组合物”。)的光刻的微细加工。近年来，随着集成电路的高集成化，逐渐要求形成亚微米区域或四分之一微米区域的超微细图案。与此同时，发现存在曝光波长也从g射线成为i射线，进而成为KrF准分子激光束之类的短波长化的倾向。进而，目前，正在进行除了准分子激光束以外，还使用电子束、X射线或EUV(ExtremeUltraViolet，极紫外线)光的光刻的开发。作为感光化射线性或感放射线性树脂组合物，例如，在专利文献1中公开有能够适用于ArF曝光等且使用含有有机溶剂的显影液的负形图案形成用抗蚀剂组合物。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其包含：/n通过光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物；及/n通过酸的作用而极性增大的树脂，/n所述树脂包含下述通式(B-1)所表示的重复单元，并且，/n所述通式(B-1)所表示的重复单元的含量相对于所述树脂中的所有重复单元为5质量％～70质量％，/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180228 JP 2018-0358961.一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其包含：
通过光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物；及
通过酸的作用而极性增大的树脂，
所述树脂包含下述通式(B-1)所表示的重复单元，并且，
所述通式(B-1)所表示的重复单元的含量相对于所述树脂中的所有重复单元为5质量％～70质量％，



通式(B-1)中，R1表示氢原子或有机基团，环W1表示至少包含1个碳原子及1个氮原子并且任选地具有取代基的环。


2.根据权利要求1所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述树脂实质上不包含含内酯结构的重复单元，并且包含具有酸分解性基团的重复单元及所述通式(B-1)所表示的重复单元，
所述通式(B-1)所表示的重复单元的含量相对于树脂中的所有重复单元为30质量％以下。


3.根据权利要求1或2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述通式(B-1)所表示的重复单元为下述通式(B-2)所表示的重复单元，



通式(B-2)中，X及Y分别独立地表示选自由-CO-、-SO-、-SO2-及-C(R4)(R5)-组成的组中的2价的连结基，R3表示氢原子或有机基团，R4及R5分别独立地表示氢原子或有机基团，另外，R4与R5任选地相互键合而形成环，环W2表示至少包含1个碳原子、1个氮原子、所述X及所述Y并且任选地具有取代基的环。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述树脂包含氟原子或碘原子。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，
所述树脂的重均分子量为3500～25000。


6.一种抗蚀剂膜，其通过权利要求1至5中任一项所述的感光化射线性或...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川伦弘，川岛敬史，金子明弘，后藤研由，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP