光电二极管芯片及制作方法技术

本申请涉及一种光电二极管芯片及制作方法，该芯片在衬底上方包括光栅层、以及位于光栅层上方的脊波导层，脊波导层包括多个脊波导，光栅层包括多列光栅，每个脊波导的下方对应一列光栅，多列光栅中至少两列光栅具有不同的光栅周期间距。通过本申请的芯片能够激射出不同中心波长的激光，并且能够制作出可以激射出不同中心波长的激光的光电二极管芯片，不需要采用多个光电二极管芯片和TO器件，从而减少了安装、组合的复杂度，同时节省了成本。

【技术实现步骤摘要】
光电二极管芯片及制作方法
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种光电二极管芯片及制作方法。
技术介绍
光电二极管芯片包括接收光的光探测器芯片、发射光的芯片，激光发射器包含了发射光的芯片，是用于发射激光的器件。现有的激光发射器通常是单激光发射器，即发射一束或一条相同波长的激光，即出射单一波长的激光。在光传输领域，光传输通常采用波分复用。波分复用是将两种或多种不同波长的光载波信号(携带各种信息)在发送端经复用器汇合在一起，并耦合到光线路的同一根光纤中进行传输的技术。为了实现波分复用，发射端需要多个单波长激光发射器。而每个单波长激光发射器都需要单独进行封装、耦合。例如，若要发射出40种不同波长的光，通常的做法是采用40个单独封装成的单波长激光发射器构成，而每个单独封装成的单波长激光发射器由激光器芯片封装而成；因此，40个不同波长意味着需要40个不同的激光器芯片和TO器件进行分别封装、耦合。这样会造成整个系统体积大，成本昂贵，且安装耗时耗力。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种光电二极管芯片及制作方法。...

【技术保护点】
1.一种光电二极管芯片，包括衬底，其特征在于，所述芯片在所述衬底上方包括光栅层、以及位于所述光栅层上方的脊波导层，所述脊波导层包括多个脊波导，所述光栅层包括多列光栅，每个所述脊波导的下方对应一列所述光栅，所述多列光栅中至少两列光栅具有不同的光栅周期间距。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电二极管芯片，包括衬底，其特征在于，所述芯片在所述衬底上方包括光栅层、以及位于所述光栅层上方的脊波导层，所述脊波导层包括多个脊波导，所述光栅层包括多列光栅，每个所述脊波导的下方对应一列所述光栅，所述多列光栅中至少两列光栅具有不同的光栅周期间距。


2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述多列光栅中任意两列光栅的光栅周期间距不同。


3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述多列光栅的光栅周期间距依据预设的激射波长与温度的变化曲线依次设置。


4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括覆盖所述脊波导层的电极、覆盖所述电极的第一绝缘介质膜、以及设于所述第一绝缘介质膜层上的电极连线；其中，所述第一绝缘介质膜在每个所述脊波导上方开设有第一开孔，所述电极连线通过所述第一开孔与所述电极连接。


5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，每个所述脊波导上方的第一开孔与相邻的脊波导上方的第一开孔彼此错开。


6.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括设于所述脊波导与所述电极之间的第二绝缘介质膜，所述第二绝缘介质膜包裹覆盖所述脊波导，所述第二绝缘介质膜在每个所述脊波导上方开设第二开孔，所述电极通过所述第二开孔与所述脊波导接触。


7.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括多个焊盘，所述焊盘与所述脊波导层上的第一开孔一一对应，所述电极连线通过一个第一开孔将该开孔处的电极与对应的焊盘连接。


8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述芯片在所述光栅层下方还包括：在所述衬底上方由下往上依次分布的缓冲层、下波导层、量子阱层、上波导层；所述芯片在所述光栅层与所述脊波导层之间还包括：腐蚀截止层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨彦伟，刘宏亮，李莹，邹颜，
申请(专利权)人：芯思杰技术深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44