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本申请涉及一种光电二极管芯片及制作方法,该芯片在衬底上方包括光栅层、以及位于光栅层上方的脊波导层,脊波导层包括多个脊波导,光栅层包括多列光栅,每个脊波导的下方对应一列光栅,多列光栅中至少两列光栅具有不同的光栅周期间距。通过本申请的芯片能够激...该专利属于芯思杰技术(深圳)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过芯思杰技术(深圳)股份有限公司授权不得商用。
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本申请涉及一种光电二极管芯片及制作方法,该芯片在衬底上方包括光栅层、以及位于光栅层上方的脊波导层,脊波导层包括多个脊波导,光栅层包括多列光栅,每个脊波导的下方对应一列光栅,多列光栅中至少两列光栅具有不同的光栅周期间距。通过本申请的芯片能够激...