一种电缆用突脊型屏蔽层及其用途制造技术

本发明专利技术涉及一种电缆用突脊型屏蔽层及其用途，用于制作中高压电缆绝缘芯线，属于电缆技术领域。技术方案是：突脊型非金属半导电屏蔽层（4）由基底平滑的外表面（5）和截面类似锥形或者针状的突脊（6）构成，所述外表面（5）上纵向布置多个半导电非金属屏蔽的突脊（6），突脊（6）相互平行布置在外表面（5）上，突脊（6）横向截面为类似锥形或者针状，其基底宽度大于顶端宽度。本发明专利技术的积极效果：用于中高压电缆绝缘芯线的半导电屏非金属屏蔽层，突脊型非金属半导电屏蔽层形成在交联线芯挤出的过程，表面具有不同形状和结构的突脊，以利于金属屏蔽与绝缘之间的势能缓冲释放，保障电缆系统安全运行。

【技术实现步骤摘要】
一种电缆用突脊型屏蔽层及其用途
本专利技术涉及一种电缆用突脊型屏蔽层及其用途，用于制作中高压电缆绝缘芯线，属于电缆

技术介绍
中高压电缆绝缘芯线在由铜、铝或铝合金制成的金属屏蔽的电缆中，金属屏蔽通常包覆在具有非金属导电层的屏蔽上部。金属屏蔽紧贴非金属导体层，以利于非金属导电层与金属屏蔽之间的导通，非金属导电层通常为内部平滑纹理。该平滑纹理确保当电流通过时改善电场分布，外部设置金属屏蔽，一般具有如下功能：在电缆正常通电时通过电容电流；短路故障时通过短路电流；屏蔽外界干扰及内部电磁屏蔽；防止电缆的轴向沿面放电等。但是，电缆在运行过程，由于绝缘材料的热溶胀，导致金属包覆层与绝缘之间张紧，对电缆系统运行造成安全隐患。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种电缆用突脊型屏蔽层及其用途，为突脊型非金属半导电屏蔽层，用于中高压电缆绝缘芯线的半导电屏非金属屏蔽层，突脊型非金属半导电屏蔽层形成在交联线芯挤出的过程，表面具有不同形状和结构的突脊，以利于金属屏蔽与绝缘之间的势能缓冲释放，保障电缆系统安全运行，解决
技术介绍
中存在的上述问题。本专利技术的技术方案是：一种电缆用突脊型屏蔽层，为中高压电缆绝缘芯线用突脊型非金属半导电屏蔽层，突脊型非金属半导电屏蔽层由基底平滑的外表面和截面类似锥形或者针状的突脊构成，所述外表面上纵向布置多个半导电非金属屏蔽的突脊，突脊相互平行布置在外表面上，突脊横向截面为类似锥形或者针状，其基底宽度大于顶端宽度，突脊的基底的表面积大于突脊的中点或者顶端的表面积。>所述突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊在外表面之上的高度为0.3-2.0mm之间，突脊的个数在4-205个突脊/圆周之间，突脊波峰处表面相比圆柱形突脊型非金属半导电屏蔽层基面直径表面为20%-60％之间，即突脊顶端面积总和相对半导电层基面表面积比为20%-60％之间。所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊基底层厚度为0.3-1.65mm。所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊基底层厚度，优选0.3-0.9mm。所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊高度，优选0.3-0.6mm。所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊基底占用绝缘屏蔽基底层面积比为20%-90%。所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊基底占用绝缘屏蔽基底层面积比，优选50%-90%。一种电缆用突脊型屏蔽层的用途，用于制作中高压电缆绝缘芯线的非金属半导电屏蔽层；制作的中高压电缆绝缘芯线具有导体，导体外设置半导电屏蔽，半导电屏蔽外设置绝缘，绝缘外设置突脊型非金属半导电屏蔽层。本专利技术的积极效果：用于中高压电缆绝缘芯线的半导电屏非金属屏蔽层，突脊型非金属半导电屏蔽层形成在交联线芯挤出的过程，表面具有不同形状和结构的突脊，以利于金属屏蔽与绝缘之间的势能缓冲释放，保障电缆系统安全运行。附图说明图1为使用本专利技术的突脊型半导电非金属屏蔽层制作的绝缘线芯的示意图；图2为本专利技术实施例一突脊型非金属半导电屏蔽层的轴向截面示意图；图3为本专利技术实施例一突脊型非金属半导电屏蔽层的径向截面示意图；图4为本专利技术实施例二突脊型非金属半导电屏蔽层的轴向截面示意图；图5为本专利技术实施例二突脊型非金属半导电屏蔽层的径向截面示意图；图6为本专利技术实施例三突脊型非金属半导电屏蔽层的轴向截面示意图；图7为本专利技术实施例三突脊型非金属半导电屏蔽层的径向截面示意图；图8为本专利技术实施例一突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊形貌图俯视示意图；图9为本专利技术实施例一突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊形貌图侧视示意图；图10为本专利技术实施例二突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊形貌图俯视示意图；图11为本专利技术实施例二突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊形貌图侧视示意图；图12为本专利技术实施例二突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊形貌图俯视示意图；图13为本专利技术实施例二突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊形貌图侧视示意图；图中：导体1、半导电屏蔽2、绝缘3、突脊型非金属半导电屏蔽层4、外表面5、突脊6。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步的说明：一种电缆用突脊型屏蔽层，为中高压电缆绝缘芯线用突脊型非金属半导电屏蔽层4，突脊型非金属半导电屏蔽层4由基底平滑的外表面5和截面类似锥形或者针状的突脊6构成，所述外表面5上纵向布置多个半导电非金属屏蔽的突脊6，突脊6相互平行布置在外表面5上，突脊6横向截面为类似锥形或者针状，其基底宽度大于顶端宽度，突脊的基底的表面积大于突脊的中点或者顶端的表面积。所述突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊在外表面之上的高度为0.3-2.0mm之间，突脊的个数在4-205个突脊/圆周之间，突脊波峰处表面相比圆柱形突脊型非金属半导电屏蔽层基面直径表面为20%-60％之间，即突脊顶端面积总和相对半导电层基面表面积比为20%-60％之间。所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊基底层厚度为0.3-1.65mm。所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊基底层厚度，优选0.3-0.9mm。所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊高度，优选0.3-0.6mm。所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊基底占用绝缘屏蔽基底层面积比为20%-90%。所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊基底占用绝缘屏蔽基底层面积比，优选50%-90%。参照附图1，一种电缆用突脊型屏蔽层的用途，用于制作中高压电缆绝缘芯线的非金属半导电屏蔽层；制作的中高压电缆绝缘芯线具有导体1，导体1外设置半导电屏蔽2，半导电屏蔽2外设置绝缘3，绝缘3外设置突脊型非金属半导电屏蔽层4。突脊型非金属半导电屏蔽层4由基底平滑的外表面5和类似锥形或者针状的突脊6构成，突脊6的基底的表面积大于突脊的中点或者顶端的表面积。突脊型非金属半导电屏蔽层4形成在交联线芯挤出的过程，表面可以具有不同形状和结构的突脊6，为了形成具有粗糙表面的突脊型非金属半导电屏蔽层4，半导电非金属屏蔽料施加至用于制造绝缘芯线的模具，使得突脊型非金属半导电屏蔽层将其结构附着在绝缘3上。采用喷射方式用来制造突脊型非金属半导电屏蔽层4，使得绝缘3的外部被基底平滑的外表面和多个突脊构成的突脊型非金属半导电屏蔽层附着。突脊大致具有的高度在0.3-2.0mm之间，个数在4-205个突脊/圆周之间。能够通过改变喷射挤出处理步骤以及如何施加至模具来调节突脊的个数。调节突脊的个数，以适应中高压电缆绝缘芯线内的金属屏蔽与半导电非金属屏蔽的接触面积及相互连通，以确保金属屏蔽和半导电非金属屏蔽之间适当的安置以及互相连接。实施例一，参照附图2、3，突脊型非金属半导电屏蔽层4由基底平滑的外表面5和类似锥形或者针状的突脊6构成，突脊6的形状为类似锥形，截面由底部的矩形和顶部的半圆构成，外表面5的20%-60％被突脊6覆盖。参照附图8、9，给出了突脊型非金属半导电屏蔽层4的突脊6之间隔开的距离，图示为突脊型非本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电缆用突脊型屏蔽层，为中高压电缆绝缘芯线用突脊型非金属半导电屏蔽层（4），其特征在于：突脊型非金属半导电屏蔽层（4）由基底平滑的外表面（5）和截面类似锥形或者针状的突脊（6）构成，所述外表面（5）上纵向布置多个半导电非金属屏蔽的突脊（6），突脊（6）相互平行布置在外表面（5）上，突脊（6）横向截面为类似锥形或者针状，其基底宽度大于顶端宽度，突脊的基底的表面积大于突脊的中点或者顶端的表面积。/n

【技术特征摘要】
1.一种电缆用突脊型屏蔽层，为中高压电缆绝缘芯线用突脊型非金属半导电屏蔽层（4），其特征在于：突脊型非金属半导电屏蔽层（4）由基底平滑的外表面（5）和截面类似锥形或者针状的突脊（6）构成，所述外表面（5）上纵向布置多个半导电非金属屏蔽的突脊（6），突脊（6）相互平行布置在外表面（5）上，突脊（6）横向截面为类似锥形或者针状，其基底宽度大于顶端宽度，突脊的基底的表面积大于突脊的中点或者顶端的表面积。


2.根据权利要求1所述的一种电缆用突脊型屏蔽层，其特征在于：所述突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊在外表面之上的高度为0.3-2.0mm之间，突脊的个数在4-205个突脊/圆周之间。


3.根据权利要求1或2所述的一种电缆用突脊型屏蔽层，其特征在于：所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊基底层厚度为0.3-1.65mm。


4.根据权利要求3所述的一种电缆用突脊型屏蔽层，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛林，张书军，张宝龙，李宠章，王振彪，王怀安，窦丽梅，张红军，蒋宝军，董瀚元，纪艳丽，
申请(专利权)人：河北华通线缆集团股份有限公司，唐山华通特种线缆制造有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13