【技术实现步骤摘要】
一种基于CMOS的逻辑IO口输入幅值控制电路
本技术属于逻辑IO口输入幅值控制电路的
，具体涉及一种基于CMOS的逻辑IO口输入幅值控制电路。
技术介绍
在某些系统应用中，对于和某些系统相连接的芯片，通过系统来控制芯片。然而，在运行时或一些特殊环境（如高频磁场等），系统或是环境会产生一些噪声，这些噪声可能出现在该芯片的控制IO上。如果噪声引起的电压幅值变化量有几百毫伏，IO口就有较大的概率识别出错误的信号，引起芯片控制失效或者传递错误信息。此外，如图1所示，一般芯片反相器结构的IO口输入幅值一般为该芯片的电源电压，其翻转幅值为电源电压的一半，在大多数应用中正常情况此设计是没有什么问题，电源电压的一般也能很好地抑制噪声。然而，在特殊要求中，如电源电压为5V，系统要求有效低电平为1V，有效高电平为2V，即IO口电压在小于等于1V时，认为此时IO口逻辑为‘0’，IO口电压大于等于2V时，认为IO口逻辑为‘1’。按照传统的反相器结构的输入控制，可以调整反相器尺寸达到此要求，但是随着工艺角的变化输入IO的翻转阈值也会有很...
【技术保护点】
1.一种基于CMOS的逻辑IO口输入幅值控制电路，其特征在于，包括第一反相器、第二反相器、电压调节电路，所述电压调节电路与第一反相器串联，并与第二反相器并联，所述电压调节电路的电流为在基准处获得的基准电流I0。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于CMOS的逻辑IO口输入幅值控制电路，其特征在于，包括第一反相器、第二反相器、电压调节电路，所述电压调节电路与第一反相器串联，并与第二反相器并联，所述电压调节电路的电流为在基准处获得的基准电流I0。
2.根据权利要求1所述的一种基于CMOS的逻辑IO口输入幅值控制电路，其特征在于，所述电压调节电路包括电阻R0以及场效应晶体管M1、M2；所述场效应晶体管M1与电阻R0串联，且与场效应晶体管M2连接构成源跟随器；所述场效应晶体管M2与第一反相器串联，并与第二反相器并联；基准电流I0流经场效应晶体管M1和电阻R0；通过调节R0或I0得到第一反相器的源电压。
3.根据权利要求2所述的一种基于CMOS的逻辑IO口输入幅值控制电路，其特征在于，所述场效应晶体管M1、M2分别为金属氧化物半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚加伟，
申请(专利权)人：成都明夷电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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