本实用新型专利技术公开了一种双晶探头的焦聚的测量试块，包括测试结构(1)，所述测试结构(1)的上侧与下侧在垂直上侧的方向上的距离为所述测试结构(1)的测量深度，从所述测试结构(1)一端到另一端所述测试结构(1)的测量深度逐渐增加。本实用新型专利技术的双晶探头的焦聚的测量试块结构简单，可以对中板、锻件、铸件等的近距离缺陷检测提供精确灵敏度、声场标定工作。利用本实用新型专利技术的对比试块标定的探头参数，满足了近距离声场准确校准目的，更有利于锻件的近表面超声波缺陷定位探伤。
【技术实现步骤摘要】
一种双晶探头的焦聚的测量试块
本技术属于双晶探头的焦聚的精度定位领域，具体涉及一种双晶探头的焦聚的测量试块。
技术介绍
超声波探伤双晶探头的标定工作，目前主要采用水浸方法，对水中钢球的标距进行精确测量，它的作用主要为中板、锻件、铸件等的近距离缺陷检测提供精确灵敏度、声场标定工作。探头壳体内装有两个晶片的探头，统称之为双晶探头，即分割式探头。由两个纵波晶片组合的探头为纵波双晶探头，又称双晶直探头；由两个横波晶片组成的探头为横波双晶探头，又称双晶斜探头。这两种双晶探头中，焦聚的准确测量是非常重要的，双晶探头的两个晶片都有一定的倾斜角度，如何使发射声束与接收声束会合产生需要的相交点，形成棱形的区域，是探伤行业需要准确测量的。因此，需要一种新的对比试块来解决上述问题。
技术实现思路
技术目的：本技术针对现有技术中的对比试块均无法满足焦聚的标定问题，提供一种可以对中板、锻件、铸件等的近距离缺陷检测提供精确灵敏度、声场标定工作。技术方案：为解决上述技术问题，本技术的双晶探头的焦聚的测量试块采用如下技术方案：一种双晶探头的焦聚的测量试块，包括测试结构(1)，所述测试结构(1)的上侧与下侧在垂直上侧的方向上的距离为所述测试结构(1)的测量深度，从所述测试结构(1)一端到另一端所述测试结构(1)的测量深度逐渐增加。优选的，所述测试结构(1)的两端均设置有缓冲段。优选的，所述缓冲段的长度均大于等于10mm。优选的，所述测试结构(1)上侧为平面，下侧为斜平面。优选的，所述测试结构(1)两侧之间的距离为所述测试结构(1)的厚度，所述测试结构(1)的厚度大于等于25mm。优选的，所述测试结构(1)的上侧下方设置有测量深度刻度(3)，所述测量深度刻度(3)与此位置的测量深度的值相对应。优选的，所述测量深度刻度(3)通过下式得到；y＝0.2x+3式中，y为测量深度刻度，x为测量深度刻度的位置距离所述测试结构(1)的一端的距离。优选的，还包括支撑结构(2)，所述支撑结构(2)设置在所述测试结构(1)的一端。优选的，所述测试结构(1)的另一端的下方设置有平面支撑点。有益效果：本技术的双晶探头的焦聚的测量试块结构简单，可以对中板、锻件、铸件等的近距离缺陷检测提供精确灵敏度、声场标定工作。利用本技术的对比试块标定的探头参数，满足了近距离声场准确校准目的，更有利于锻件的近表面超声波缺陷定位探伤。附图说明图1为本技术双晶探头的焦聚的测量试块的主视图；图2为本技术双晶探头的焦聚的测量试块的左视图；图3为本技术双晶探头的焦聚的测量试块的使用示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-2，本技术的双晶探头的焦聚的测量试块，包括测试结构(1)，所述测试结构(1)的上侧与下侧在垂直上侧的方向上的距离为所述测试结构(1)的测量深度，从所述测试结构(1)一端到另一端所述测试结构(1)的测量深度逐渐增加。优选的，所述测试结构(1)的两端均设置有缓冲段。优选的，所述缓冲段的长度均大于等于10mm。优选的，所述测试结构(1)上侧为平面，下侧为斜平面。优选的，所述测试结构(1)两侧之间的距离为所述测试结构(1)的厚度，所述测试结构(1)的厚度大于等于25mm。优选的，所述测试结构(1)的上侧下方设置有测量深度刻度(3)，所述测量深度刻度(3)与此位置的测量深度的值相对应。优选的，所述测量深度刻度(3)通过下式得到；y＝0.2x+3式中，y为测量深度刻度，x为测量深度刻度的位置距离所述测试结构(1)的一端的距离。优选的，还包括支撑结构(2)，所述支撑结构(2)设置在所述测试结构(1)的一端。优选的，所述测试结构(1)的另一端的下方设置有平面支撑点。本专利技术中：所述测试结构(1)一端到另一端的距离为所述测试结构(1)的长度；所述测试结构(1)的上侧与下侧在垂直上侧的方向上的距离为所述测试结构(1)的测量深度；所述测试结构(1)一侧到另一侧的距离为所述测试结构(1)的厚度。实施例1锻件近距离声场、灵敏度标定对比试块，厚度等于40mm，长度为130mm，高度为27mm。测量深度刻线的计算公式：y＝kx+b＝0.2x+3式中，x为水平距离，y为测量深度。其中，当x＝0时,y＝3；当x＝10时,y＝5；当x＝110时,y＝25；当x＝120时,y＝27。见图1所示。双晶探头的结构是两个晶片的组合探头，一个用于发射而另一个用于接收，发射电脉冲不能进入接收电路，因此不受探伤仪器放大器的阻塞影响，可以检测近表面缺陷。收发探头都有各自的延迟块，而且两个延迟块的声束入射平面均带一倾角，倾角的大小则取决于要探测区域距探测面的深度范围。双晶探头都有一个声能集中区域，准确测量焦聚可提高须探测区内的缺陷探测灵敏度。并且来自声强集中区以外的噪声得以降低，从而可提高信噪比。本技术的焦聚的测量试块结构简单，可以对中板、锻件、铸件等的近距离缺陷检测提供精确灵敏度、声场标定工作。利用本技术的对比试块标定的探头参数，满足了近距离声场准确校准目的，更有利于锻件的近表面超声波缺陷定位探伤。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种双晶探头的焦聚的测量试块，其特征在于：包括测试结构(1)，所述测试结构(1)的上侧与下侧在垂直上侧的方向上的距离为所述测试结构(1)的测量深度，从所述测试结构(1)一端到另一端所述测试结构(1)的测量深度逐渐增加。/n
【技术特征摘要】
1.一种双晶探头的焦聚的测量试块，其特征在于：包括测试结构(1)，所述测试结构(1)的上侧与下侧在垂直上侧的方向上的距离为所述测试结构(1)的测量深度，从所述测试结构(1)一端到另一端所述测试结构(1)的测量深度逐渐增加。
2.根据权利要求1所述的双晶探头的焦聚的测量试块，其特征在于：所述测试结构(1)的两端均设置有缓冲段。
3.根据权利要求2所述的双晶探头的焦聚的测量试块，其特征在于：所述缓冲段的长度均大于等于10mm。
4.根据权利要求1所述的双晶探头的焦聚的测量试块，其特征在于：所述测试结构(1)上侧为平面，下侧为斜平面。
5.根据权利要求4所述的双晶探头的焦聚的测量试块，其特征在于：所述测试结构(1)两侧之间的距离为所述测试结构(1)的厚度，所述测试...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈昌华，张利，张洪，陈庆勇，徐正茂，董政，刘晓磊，哈曜，王姣，陈新华，
申请(专利权)人：南京迪威尔高端制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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