一种氧化锆/氧化铪铁电薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种氧化锆/氧化铪铁电薄膜及其制备方法和应用，该薄膜的组成为HfZrO

【技术实现步骤摘要】
一种氧化锆/氧化铪铁电薄膜及其制备方法和应用
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种氧化锆/氧化铪铁电薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
铁电性氧化铪薄膜材料充分弥补了传统钙钛矿材料的不足，与最新的CMOS技术完全兼容。铁电体是极化后在常温下也具有极性的一种材料，铁电体在存储类产品、铁电场效应晶体管、铁电动态随机存储器、各类光电子器件等方面有着广泛的应用。但是，限制铁电类材料发展的一个重要因素，是因为铁电薄膜难以获得，铁电性不稳定。由于铁电体本身的结构限制，铁电体通常是在一些陶瓷类的材料中产生，如氧化铪、氧化锆、氧化镧等，通过热处理或掺杂等手段来改变晶体内部结构，形成斜方晶型结构。在常压下，HfO2基薄膜可能具有的晶体结构包括低对称性的单斜相(m，P21/c)和高对称性的四方相(t，P42/nmc)及立方相(c，Fm3m)。这些晶体结构都是中心对称和非极性的，所以HfO2基薄膜呈现线性的顺电极化行为特性。据研究报道，采用原子层沉积法制备的硅掺杂二氧化铪(Si:HfO2)薄膜具有显著铁电性质，该发现将使HfO2基薄膜在非易失性铁电存储器等集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化锆/氧化铪铁电薄膜，其特征在于，所述的氧化锆/氧化铪铁电薄膜的组成为HfZrO

【技术特征摘要】
1.一种氧化锆/氧化铪铁电薄膜，其特征在于，所述的氧化锆/氧化铪铁电薄膜的组成为HfZrO4，晶型为斜方晶型。


2.根据权利要求1所述的氧化锆/氧化铪铁电薄膜，其特征在于，所述的氧化锆/氧化铪铁电薄膜的厚度为20nm。


3.一种权利要求1或2所述的氧化锆/氧化铪铁电薄膜的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射沉积的方法，将氧化铪的靶材和氧化锆的靶材同时连接相同功率的工作电压，利用惰性气体同时轰击两个靶材来获得氧化锆/氧化铪混合薄膜，经快速退火处理，得氧化锆/氧化铪铁电薄膜。


4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，磁控溅射沉积过程中所述的工...

【专利技术属性】
技术研发人员：王萱，孙中琳，刘尚，刘大铕，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37