太阳能电池单元的制造方法以及切割用太阳能电池单元技术

提供一种抑制切割导致的发电输出降低的太阳能电池单元的制造方法以及切割用太阳能电池单元。在用于制造太阳能电池单元(10)的方法中，在n型半导体基板(100)的第一面(102)形成有槽部(150)。在形成有槽部(150)的n型半导体基板(100)的第一面(102)形成有p侧透明导电膜层(114)。在被形成于n型半导体基板(100)的第一面(102)的槽部(150)的侧面(154)的至少一部分，形成有p侧透明导电膜层(114)的未成膜区域(160)。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池单元的制造方法以及切割用太阳能电池单元
本公开涉及太阳能电池单元的制造技术，尤其是用于从可切割的切割用太阳能电池单元制造太阳能电池单元的太阳能电池单元的制造方法以及切割用太阳能电池单元。
技术介绍
为了防止太阳能电池单元中短路的发生，在成膜半导体层和透明电极层后形成绝缘区域(例如，参照专利文献1)。[现有技术文献][专利文献]专利文献1：日本特开2014-239085号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的技术问题]通过切割切割用太阳能电池单元，得到多个太阳能电池单元。这时，因在被切割的部分产生的损坏的影响，发电输出降低。本公开是鉴于这样的状况而得到的，其目的在于提供抑制切割导致的发电输出降低的技术。[用于解决技术问题的方法]为了解决上述课题，本公开的一方式的太阳能电池单元的制造方法包括在半导体基板的表面形成槽部的步骤和在已形成槽部的半导体基板的表面形成透明导电膜层的步骤。在槽部的侧面的至少一部分，形成有透明导电膜层的未成膜区域。本公开的其他方式为切割用太阳能电池单元。该切割用太阳能电池单元包括：半导体基板，被配置在半导体基板的表面的槽部，被至少配置在半导体基板的表面和槽部的底面的非晶质半导体层，在半导体基板的表面和槽部的底面，被重叠配置在非晶质半导体层的透明导电膜层。在槽部的侧面的至少一部分，配置有透明导电膜层的未成膜区域。[专利技术效果]根据本公开，能够抑制切割导致的发电输出降低。附图说明图1是表示实施例的切割用太阳能电池单元的结构的俯视图。图2的(a)－(f)是表示图1的切割用太阳能电池单元的制造方法的图。图3的(a)－(c)是表示图1的太阳能电池单元的制造方法的图。图4的(a)－(c)是表示包括图1的太阳能电池单元的太阳能电池模块的结构的图。具体实施方式在具体说明本公开之前，叙述概要。本实施例涉及将一个太阳能电池单元切割为多个的技术。在此，将切割前的一个太阳能电池单元称为“切割用太阳能电池单元”，将切割后的多个太阳能电池单元的每个称为“太阳能电池单元”。至此，在通过激光烧蚀或者机械划线切开切口而形成的加工槽中切割具有晶体硅、非晶硅层、TCO(透明电极层)的切割用太阳能电池单元。但是，相比于晶体硅及非晶硅层，载体在TCO中更容易移动，所以在切割切割用太阳能电池单元后因在切割部分的损坏的影响，发电的输出降低。另一方面，用掩模等形成TCO的未成膜区域时，抑制载体向受到损坏的切割部分的移动，抑制发电输出降低。但是，为了形成TCO的未成膜区域，需要在TCO的成膜时形成掩模，或者在成膜后执行基于蚀刻膏或激光的除去。在使用掩模的情况下，无法缩小掩模宽度，未成膜区域变大从而有效发电面积减少，发电的输出降低。另一方面，激光或蚀刻膏因热或药剂的影响而对晶体硅、非晶硅层施加损坏，发电的输出降低。在本实施例中，在硅异质结单元即切割用太阳能电池单元的制造工序中，激光烧蚀或刀片切割等在半导体基板形成槽部。另外，通过将形成有槽部的半导体基板单元化，在槽部的侧面形成TCO的未成膜区域。并且，在未成膜区域的附近，通过激光烧蚀或刀片切割等形成切割槽，对切割用太阳能电池单元进行向多个太阳能电池单元的切割。在以下的说明中，“平行”、“正交”并不是完全的平行、正交，还包括在误差范围内偏离平行、正交的情况。另外，“大致”表示在大致的范围内相同。在下文中，以(1)制造顺序、(2)太阳能电池模块的结构为顺序说明。(1)制造步骤图1是表示切割用太阳能电池单元1000的结构的俯视图。如图1所示，规定包含x轴、y轴、z轴的正交坐标系。x轴、y轴在切割用太阳能电池单元1000的平面内彼此正交。z轴垂直于x轴和y轴，在切割用太阳能电池单元1000的厚度方向上延伸。另外，x轴、y轴、z轴各个的正方向被规定为图1中箭头的方向，负方向被规定为与箭头相逆的方向。在形成切割用太阳能电池单元1000的2个主表面、且平行于x－y平面的2个主表面中，被配置在z轴的正方向侧的主平面为受光面，被配置在z轴的负方向侧的主平面为背面。在下文中，有时将z轴的正方向侧称为“受光面侧”，将z轴的负方向侧称为“背面侧”。因此，图1表示从受光面侧看的切割用太阳能电池单元1000的结构。切割用太阳能电池单元1000例如具有将正方形的四角进行了倒角的形状。在切割用太阳能电池单元1000的y轴方向的中央部分，配置有在x轴方向上延伸的切割线12。切割线12是规定切割用太阳能电池单元1000的切割的线。在此，通过沿着切割线12切割切割用太阳能电池单元1000，形成第一太阳能电池单元10a和第二太阳能电池单元10b。将第一太阳能电池单元10a和第二太阳能电池单元10b总称为太阳能电池单元10，太阳能电池单元10具有x轴方向上的长度长于y轴方向上的长度的矩形状。这样的太阳能电池单元10还被称作半切断单元。图1所示的切割用太阳能电池单元1000的形状、切割线12的配置、太阳能电池单元10的形状和数量为一个示例，并不限定于此。图2的(a)－(f)表示切割用太阳能电池单元1000的制造方法。它们相当于沿着图1的A－A’线的方向的局部截面图。在图2的(a)中，准备作为切片硅晶片的n型半导体基板100。n型半导体基板100例如由具有单晶或多晶结构的硅基板或锗基板等形成，在背面侧具有第一面102，在受光面侧具有第二面104。也就是说，第一面102和第二面104彼此朝向相反侧。在此，第一面102是在后述的处理中pn异质结的预定方向。在图2的(b)中，通过刀片切割或激光烧蚀在n型半导体基板100的第一面102形成槽部150。被配置在第一面102的槽部150包括底面152和侧面154。底面152是大致平行于第一面102或第二面104的面，侧面154是连接第一面102和底面152的面。在此，第一面102和侧面154形成的角度θ为90度以下。也就是说，槽部150具有燕尾槽形状的截面。槽部150的宽度例如为0.01～2mm，优选为0.02～1mm，更优选为0.05～0.5mm。槽部150的宽度越窄，在后述的处理中越不易成膜。另一方面，槽部150的宽度越广，输出损失越大。槽部150的深度例如为0.01～0.1mm，优选为0.02～0.04mm。槽部150的深度越浅，通过后述的处理，未成膜区域越窄。另一方面，槽部150的深度越深，在后述处理中越不易成膜，在单元化工序中越容易断裂。在图2的(c)中，在n型半导体基板100形成槽部150后，通过清洗、各向异性蚀刻，在n型半导体基板100的第一面102和第二面104、以及槽部150形成纹理106。在槽部150中特别是在底面152形成纹理106。在槽部150形成纹理106的理由是为了提高进入槽部150的光的封入效果。在图2的(d)中，在形成纹理106之后，在形成有槽部150的第一面102的背面侧通过等离子体CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)法形成有p型钝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池单元的制造方法，包括：/n在半导体基板的表面形成槽部的步骤，以及/n在形成有所述槽部的所述半导体基板的所述表面形成透明导电膜层的步骤；/n在所述槽部的侧面的至少一部分，形成有所述透明导电膜层的未成膜区域。/n

【技术特征摘要】
20190327 JP 2019-0611141.一种太阳能电池单元的制造方法，包括：
在半导体基板的表面形成槽部的步骤，以及
在形成有所述槽部的所述半导体基板的所述表面形成透明导电膜层的步骤；
在所述槽部的侧面的至少一部分，形成有所述透明导电膜层的未成膜区域。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，
在所述槽部的底面也形成有所述透明导电膜层。


3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池单元的制造方法，
在形成所述透明导电膜层的步骤之前，进一步包括在已形成所述槽部的所述半导体基板的所述表面形成非晶质半导体层的步骤，
在所述槽部的底面也形成有所述非晶质半导体层。


4.根据权利要求3所述的太阳能电池单元的制造方法，
在所述槽部的侧面的至少一部分也形成有所述非晶质半导体层。


5.根据权利要求3或4所述的太阳能电池单元的制造方法，
在形成所述非晶质半导体层的步骤之前，还包括在所述半导体基板的所述表面和所述槽部形成纹理的步骤。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐久间俊行，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP