存储单元和存储器制造技术

本发明专利技术实施例提供一种存储单元和存储器，该存储单元包括存储结构和写入结构，所述写入结构包括第一部件、第二部件和开关电路；所述第一部件与所述存储结构连接，所述第二部件分别与所述存储结构和所述开关电路连接，所述开关电路还与电源连接；所述开关电路用于，在接收到写入端发送的第一信号时导通，使得所述第二部件与所述电源连通，在接收到所述写入端发送的第二信号时，使得所述第二部件与所述电源断开；所述第一部件和所述第二部件用于根据所述写入端发送的信号执行写入操作。用于降低存储单元的能量损耗。

【技术实现步骤摘要】
存储单元和存储器
本专利技术实施例涉及随机存取存储器领域，尤其涉及一种存储单元和存储器。
技术介绍
终端设备(例如电脑、手机等)中均设置有随机存取存储器(RandomAccessMemory，RAM)，RAM包括多个存储单元，其中，一个存储单元包括一个存储结构和至少一个写入结构，所述写入结构用于向存储结构中写入数据信息。目前，写入结构包括反相器和两个N型金属氧化物半导体，其中，反相器包括一个P型金属氧化物半导体和一个N型金属氧化物半导体。当需要向终端设备中的存储单元中写入数据时，反相器中的P型金属氧化物半导体和N型金属氧化物半导体同时需要消耗终端设备的电能，即，反相器需要消耗终端设备的电能，从而导致终端设备的能量损耗较大。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种存储单元和存储器，用于降低存储单元的能量损耗。第一方面，本专利技术实施例提供一种存储单元，包括存储结构和写入结构，所述写入结构包括第一部件、第二部件和开关电路；所述第一部件与所述存储结构连接，所述第二部件分别与所述存储结构和所述开关电路连接，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储单元，其特征在于，包括存储结构和写入结构，所述写入结构包括第一部件、第二部件和开关电路；/n所述第一部件与所述存储结构连接，所述第二部件分别与所述存储结构和所述开关电路连接，所述开关电路还与电源连接；/n所述开关电路用于，在接收到写入端发送的第一信号时导通，使得所述第二部件与所述电源连通，在接收到所述写入端发送的第二信号时，使得所述第二部件与所述电源断开；/n所述第一部件和所述第二部件用于根据所述写入端发送的信号执行写入操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于，包括存储结构和写入结构，所述写入结构包括第一部件、第二部件和开关电路；
所述第一部件与所述存储结构连接，所述第二部件分别与所述存储结构和所述开关电路连接，所述开关电路还与电源连接；
所述开关电路用于，在接收到写入端发送的第一信号时导通，使得所述第二部件与所述电源连通，在接收到所述写入端发送的第二信号时，使得所述第二部件与所述电源断开；
所述第一部件和所述第二部件用于根据所述写入端发送的信号执行写入操作。


2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一信号为高电压信号，所述电源的电压为低电压。


3.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述开关电路为N型金属-氧化物-半导体NMOS逻辑电路，其中，所述NMOS逻辑电路包括至少一个NMOS。


4.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一信号为低电压信号，所述电源的电压为高电压。


5.根据权利要求4所述的存储单元，其特征在于，所述开关电路为P型金属-氧化物-半导体PMOS逻辑电路，其中，所述PMOS逻辑电路包括至少一个PMOS。


6.根据权利要求1-5任一项所述的存储单元，其特征在于，所述第一部件为晶体管。


7.根据权利要求6所述的存储单元，其特征在于，所述第一部件为PMOS，所述第一部件的源极与所述存储结构连接；
或者，
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁健平，钟石强，
申请(专利权)人：龙芯中科技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11