DRAM的操作方法技术

本发明专利技术提供了一种DRAM的操作方法，被操作的DRAM的每个所述存储阵列片包括多条字线和多个按阵列排布的存储单元，每个所述存储单元具有相互独立的第一栅极和第二栅极，在读和/或写时，向同一个所述存储阵列片中所有的第一栅极均施加第一电压，并向同一个所述存储阵列片中的被选中的第二栅极施加第二电压，向同一个所述存储阵列片中的未被选中的第二栅极施加第三电压，且第一电压、第二电压和第三电压均不相同，由此可以减少栅极引发漏极漏电流以及衬底漏电流，继而改善栅极引发漏极漏电流现象影响读写操作效能的问题，进而提高DRAM的读写操作效能。

【技术实现步骤摘要】
DRAM的操作方法
本专利技术涉及DRAM(动态随机存取存储器)
，特别涉及一种DRAM的操作方法。
技术介绍
DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)是基于电荷来存储信息的存储器，其每个存储单元通常包括晶体管及由该晶体管驱动的电容或电阻等电荷存储结构。随着动态随机存取存储器设计的尺寸不断地按比例缩小(scalingdown)，动态随机存取存储器的读写操作效能会受到栅极引发漏极漏电流(gateInducedrainleakage,GIDL)的影响。因此，如何有效地降低栅极引发漏极漏电流并提高动态随机存取存储器的读写操作效能，成为本领域重要的研究课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种DRAM的操作方法，以解决有效地降低栅极引发漏极漏电流并提高动态随机存取存储器的读写操作效能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种DRAM的操作方法，所述DRAM具有至少一个存储阵列片和多条字线，每个所述存储阵列片包括多条字线和多个按阵列排布的存储单元，每个所述存储单元具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DRAM的操作方法，所述DRAM具有至少一个存储阵列片，每个所述存储阵列片包括多条字线和多个按阵列排布的存储单元，每个所述存储单元具有相互独立的第一栅极和第二栅极，其特征在于，所述DRAM的操作方法包括：/n在读和/或写时，向同一个所述存储阵列片中所有的第一栅极均施加第一电压，并向同一个所述存储阵列片中的被选中的第二栅极施加第二电压，向同一个所述存储阵列片中的未被选中的第二栅极施加第三电压，且第一电压、第二电压和第三电压均不相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种DRAM的操作方法，所述DRAM具有至少一个存储阵列片，每个所述存储阵列片包括多条字线和多个按阵列排布的存储单元，每个所述存储单元具有相互独立的第一栅极和第二栅极，其特征在于，所述DRAM的操作方法包括：
在读和/或写时，向同一个所述存储阵列片中所有的第一栅极均施加第一电压，并向同一个所述存储阵列片中的被选中的第二栅极施加第二电压，向同一个所述存储阵列片中的未被选中的第二栅极施加第三电压，且第一电压、第二电压和第三电压均不相同。


2.如权利要求1所述的DRAM的操作方法，其特征在于，第一电压为正电压，第三电压为负电压。


3.如权利要求1所述的DRAM的操作方法，其特征在于，在读、写和数据保持期间，同一个所述存储阵列片中所有的第一栅极均保持所述第一电压不变。


4.如权利要求1或3所述的DRAM的操作方法，其特征在于，通过将同一个所述存储阵列片中所有的第一栅极均连接到一公共栅极线，并向所述公共栅极线施加所述第一电压，以向同一个所述存储阵列片中所有的第一栅极均施加所述第一电压。


5.如权利要求1或3所述的DRAM的操作方法，其特征在于，每个所述存储阵列片中所有的存储单元按行按列排列，且同一行上的所有存储单元的第二栅极连接到同一字线；通过向相应的字线施加所述第二电压并向其他字线施加所述第三电压，以向所述存储阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志远，陈辉煌，吴巍，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35