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本发明提供了一种DRAM的操作方法，被操作的DRAM的每个所述存储阵列片包括多条字线和多个按阵列排布的存储单元，每个所述存储单元具有相互独立的第一栅极和第二栅极，在读和/或写时，向同一个所述存储阵列片中所有的第一栅极均施加第一电压，并向同一...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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