半导体存储装置制造方法及图纸

公开了一种半导体存储装置。在具有能够同时访问的写入数据输入端子和读出数据输出端子的半导体存储装置中，抑制电路规模的增大。包括：存储器阵列(11)，其进行多个数据的写入、读出；一对写入寄存器(WR(0)、WR(1))，其暂时保存向存储器阵列(11)写入的写入数据；以及一对读出寄存器(RR(0)、RR(1))，其暂时保存从存储器阵列(1)读出的读出数据。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
本专利技术涉及一种半导体存储装置，特别是涉及一种具有能够同时访问的写入数据输入端子和读出数据输出端子的半导体存储装置。
技术介绍
作为具有能够同时访问的写入数据输入端子和读出数据输出端子的半导体存储装置，已知例如专利文献1所公开的半导体存储装置。专利文献1中公开的半导体存储装置构成为包括：输入端口，其具备输入电路及与该输入电路对应的写入控制电路；输出端口，其具备输出电路及与该输出电路对应的读出控制电路；数据总线，其具备写总线和读总线；以及控制总线，其具备写控制总线和读控制总线。在专利文献1所公开的半导体存储装置中，由于设为能够从数据输入端口与数据输出端口同时进行访问，因此通过地址分配来对存储器阵列部进行多重分割，更精细地控制数据的输入和输出，减小针对同时访问的限制，并且设置用于检测向相同地址的访问的冲突检测电路，来进行针对同一地址的访问的调整。专利文献专利文献1：日本特开平4-49595号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在上述专利文献1所涉及的半导体存储装置中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，包括：/n存储器阵列，其进行多个数据的写入、读出；/n一对写入寄存器，其暂时保存向所述存储器阵列写入的写入数据；以及/n一对读出寄存器，其暂时保存从所述存储器阵列读出的读出数据。/n

【技术特征摘要】
20190328 JP 2019-0638341.一种半导体存储装置，包括：
存储器阵列，其进行多个数据的写入、读出；
一对写入寄存器，其暂时保存向所述存储器阵列写入的写入数据；以及
一对读出寄存器，其暂时保存从所述存储器阵列读出的读出数据。


2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括：
写入控制电路，其进行如下控制：将被输入的写入数据按所述存储器阵列的各行地址交替地保存到所述一对写入寄存器；以及
读出控制电路，其进行如下控制：将针对被输入的读出地址而从所述存储器阵列读出的读出数据按所述存储器阵列的各所述行...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻田俊夫，松井克晃，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP