电子雷管抗电磁干扰方法技术

本发明专利技术公开了电子雷管抗电磁干扰方法。在小断面爆破时，电磁干扰易引起电子雷管的误引爆与拒爆。本发明专利技术方法在控制芯片中增设一个电平输出管脚g，管脚g在控制芯片上电复位后输出低电平，在控制芯片在收到起爆命令后输出高电平；增设一个Nmos管和一个防返流二极管；管脚g接Nmos管的栅极，Nmos管的漏极接防返流二极管的阳极，防返流二极管的阴极接控制芯片的电源端，Nmos管的源极接整流桥的接地端。当有电子雷管起爆时，后起爆电子雷管的引脚线上感应出爆炸引发电磁干扰而产生的电流脉冲，电流脉冲直接传输到大地，控制芯片不会被爆炸引起的电磁脉冲干扰。本发明专利技术方法易于实现，具有很好的抗电磁脉冲干扰效果。

【技术实现步骤摘要】
电子雷管抗电磁干扰方法
本专利技术属于电子雷管
，涉及一种电子雷管抗电磁干扰方法。
技术介绍
电子雷管与非电雷管相比有更精准的起爆延期时间控制、起爆能量控制、安全控制等功能，得到广泛应用。由于电子雷管涉及爆破作业，本身的安全性要求及高。要求电子雷管在复杂环境下的电磁干扰及误操作下能够不被误引爆。特别在小断面爆破时，当电子雷管的感应电压与感应电流易引起电子雷管的误引爆与拒爆。小断面一般指横断面外轮廓的宽度或跨径在4m以下且面积小于20m2的隧道。用矿山法施工时的各类导坑、各种市政隧道、给水排水管道、人行隧道等多属于此种类型。爆炮孔所产生的振动与强电磁干扰强度与距离的平方成反比。由于小断面掘进爆破中孔距相对较近,受先爆炮孔所产生的振动与强电磁干扰影响强烈,造成正在延期爆破的电子雷管的芯片的损坏失效，导致不能正常爆破。当前缓解这个情况的方法是减少电子雷管间的延期，减少先爆炮孔所生产的爆破对未爆炮孔内电子雷管的芯片的影响。这样使得爆破方案受到限制，影响爆破的效率与效果，增加施工工期与施工成本。专利技术内容本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.电子雷管抗电磁干扰方法，电子雷管的控制芯片U的电源端和稳压电容C的一端接整流桥的电源输出端，稳压电容C的另一端、控制芯片U的接地端接整流桥的接地端，并与大地间形成寄生电容Cp；所述的整流桥包括四个二极管，第一二极管D

【技术特征摘要】
1.电子雷管抗电磁干扰方法，电子雷管的控制芯片U的电源端和稳压电容C的一端接整流桥的电源输出端，稳压电容C的另一端、控制芯片U的接地端接整流桥的接地端，并与大地间形成寄生电容Cp；所述的整流桥包括四个二极管，第一二极管D1的阴极与第二二极管D2的阳极连接后接降压电阻R的一端，降压电阻R的另一端接电子雷管的一个引脚线P；第三二极管D3的阳极与第四二极管D4的阴极连接后接电子雷管的另一个引脚线N；第一二极管D1的阳极与第四二极管D4的阳极连接作为整流桥的接地端；第二二极管D2的阴极与第三二极管D3的阴极连接作为整流桥的电源输出端；其特征在于：
该方法在控制芯片U中增设一个电平输出管脚g，所述的电平输出管脚g在控制芯片U上电复位后输出低电平，在控制芯片U在收到起爆命令后输出高电平；
增设一个Nmos管N和一个防返流二极管D；电平输出管脚g接Nmos管N的栅极，Nmos管N的漏极接防返流二极管D的阳极，防返流二极管D的阴极接控制芯片U的电源端，Nmos管N的源极接整流桥的接地端。


2.如权利要求1所述的电子雷管抗电磁干扰方法，其特征在于：并联的多个电子雷管的控制芯片U上电复位后，管脚g输出低电平，Nmos管N断开，起爆器发出起爆命令后主动断电；控制芯片U收到起爆命令后，管脚g输出高电平，Nmos管N导通，整流桥的电源输出端和接地端接通；所有的电子雷管的控制芯片U依靠稳压电容C的电量进行延时起爆；
当有电子雷管起爆时，炸药爆炸引发电磁干扰而产生电流脉冲，后起爆电子雷管的引脚线上感应出电流脉冲，电流脉冲不流过控制芯片U，直接传输到大地，控制芯片U不被爆炸引起的电磁脉冲干扰。


3.如权利要求2所述的电子雷管抗电磁干扰方法，其特征在于：
如果后起爆电子雷管的一个引脚线P上感应出电流脉冲，则电流脉冲经过降压电阻R、第二二极管D2、Nmos管N、寄生电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁骏，章南，甘露，叶丰，
申请(专利权)人：杭州国芯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33