一种用于硅片刻蚀的载具制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于硅片刻蚀的载具，包括：上盖、托底、第一侧体、第二侧体、第三侧体和第四侧体；上盖设置在托底的上方，托底上设置有通孔；第一侧体、第二侧体、第三侧体和第四侧体设置在上盖和托底之间，第一侧体和第三侧体相对设置，第二侧体和第四侧体相对设置；第一侧体和第三侧体设置为镂空结构，第二侧体和第四侧体的相向面设置有插槽，第二侧体上插槽的位置与第四侧体上插槽的位置相适配，硅片插入插槽内水平放置。通过上述方式，本实用新型专利技术能够在刻蚀过程中水平放置硅片，提高硅片表面的光滑度和平整性，减少硅片槽内的异物残留，有效保证刻蚀效果，避免二次刻蚀，提高刻蚀效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于硅片刻蚀的载具
本技术涉及光通信
，特别是涉及一种用于硅片刻蚀的载具。
技术介绍
目前，在光通信系统中，光模块是非常重要的组成部分，而硅基衬底(硅片)在集成封装方面起到很好的支撑作用。传统技术中采用槽式碱法刻蚀工艺，常用的腐蚀载具的片槽是竖立的，这样硅片就会竖立在氢氧化钾溶液中，由于液体底部和上部的温度和浓度不均匀，硅片深度不均匀(硅片表面有槽)，随着化学反应的进行，有气体和K2SiO3生成。由于K2SiO3的低溶解性，K2SiO3容易附着在硅片反应面，导致腐蚀出来的硅片侧体和底部不平整，这对硅片后续的组装和寿命产生影响，硅片品质得不到保证，甚至需要进行二次或多次腐蚀刻蚀，费时费力。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种用于硅片刻蚀的载具，能够减少硅片槽内的异物残留，有效保证刻蚀效果，避免二次刻蚀，提高刻蚀效率。为达到上述目的，本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种用于硅片刻蚀的载具，包括：上盖、托底、第一侧体、第二侧体、第三侧体和第四侧体；所述上盖设置在所述托底的上方，所述托底上设置有通孔；所述第一侧体、第二侧体、第三侧体和第四侧体设置在所述上盖和托底之间，所述第一侧体和第三侧体相对设置，所述第二侧体和第四侧体相对设置；所述第一侧体和第三侧体设置为镂空结构，所述第二侧体和第四侧体的相向面设置有插槽，所述第二侧体上插槽的位置与第四侧体上插槽的位置相适配，硅片插入插槽内水平放置。优选的，所述上盖上设置有提手，所述提手与上盖设置为一体成型。优选的，所述第一侧体与上盖、托底、第二侧体和第四侧体均为可拆卸连接。优选的，所述第二侧体和第四侧体与所述第一侧体的连接处设置有卡槽，所述卡槽竖直设置在所述第二侧体和第四侧体上，所述第一侧体插设在所述卡槽内。优选的，所述第一侧体上设置有把手，所述把手设置在所述第一侧体靠近所述上盖的一端。优选的，所述第一侧体、第三侧体与所述第二侧体、第四侧体垂直设置。优选的，所述第二侧体和第四侧体靠近所述上盖的一端设置有边沿，所述上盖与第二侧体和第四侧体通过螺栓连接，所述螺栓穿过所述第二侧体和第四侧体的边沿。由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列有益效果：提供了一种用于硅片刻蚀的载具，在刻蚀过程中水平放置硅片，提高硅片表面的光滑度和平整性，减少硅片槽内的异物残留，有效保证刻蚀效果，避免二次刻蚀，提高刻蚀效率。附图说明图1是本技术一种用于硅片刻蚀的载具的结构示意图。图2是本技术一种用于硅片刻蚀的载具的爆炸图。附图标记说明：上盖1、提手11、螺栓12、托底2、通孔21、第一侧体3、把手31、第二侧体4、第三侧体5、第四侧体6、插槽61、卡槽62。具体实施方式下面结合附图对本技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。参阅附图，一种用于硅片刻蚀的载具，包括：上盖1、托底2、第一侧体3、第二侧体4、第三侧体5和第四侧体6。托底2上设置有通孔21，用于液体的渗入。上盖1设置在托底2的上方，为了便于整个载具的提放，上盖1上设置有提手11，提手11与上盖1设置为一体成型，避免提手11从上盖1上脱落，摔坏载具。上盖1与侧体相连接，为了更好地连接上盖1与侧体，上盖1与第二侧体4和第四侧体6之间通过螺栓12固定连接，连接牢固且可靠性高，防止在周转时载具发生摇晃。例如，第二侧体4和第四侧体6靠近上盖1的一端设置有边沿，边沿为设置在第二侧体4和第四侧体6上的凸块，上盖1与第二侧体4和第四侧体6通过螺栓12连接，螺栓12穿过第二侧体4和第四侧体6的边沿。第一侧体3、第二侧体4、第三侧体5和第四侧体6设置在上盖1和托底2之间，第一侧体3和第三侧体5相对设置，第二侧体4和第四侧体6相对设置。第一侧体3、第二侧体4、第三侧体5和第四侧体6之间设置有容纳空腔，待刻蚀硅片放置在该容纳空腔内。第一侧体3、第三侧体5与第二侧体4、第四侧体6垂直设置，即该容纳空腔为方形，这样更有助于固定支撑硅片，避免在刻蚀过程中硅片发生移动。第一侧体3和第三侧体5设置为镂空结构，充分保证液体的流入和流出。第一侧体3和第三侧体5可以设置为相同的镂空结构，也可以设置为不同的镂空结构。第二侧体4和第四侧体6的相向面设置有多个插槽61，第二侧体4上插槽61的位置与第四侧体6上插槽61的位置相适配，即第二侧体4和第四侧体6的插槽61成对设置，同一对插槽61位于同一水平面上，从而确保硅片插入插槽61内为水平放置，防止硅片插斜。第一侧体3作为开启与关闭该载具的零部件，第一侧体3与上盖1、托底2、第二侧体4和第四侧体6均为可拆卸连接。例如，第一侧体3与第二侧体4和第四侧体6为卡接，具体地，第二侧体4和第四侧体6与第一侧体3的连接处设置有卡槽62，卡槽62竖直设置在第二侧体4和第四侧体6上，第一侧体3插设在卡槽62内，第一侧体3可以在第二侧体4和第四侧体6的卡槽62内上下移动。为了便于第一侧体3插进和取出，即便于该载具的关闭与开启，第一侧体3上设置有把手31，把手31设置在第一侧体3靠近上盖1的一端。在实际使用过程中，拉取出载具的第一侧体3，将待刻蚀硅片插进插槽61内，并不是每一个插槽61内都放置硅片，可以间隔放置，也就是硅片与硅片之间留有空隙，有利于让反应的气体带着K2SiO3及时冒出。放置好待刻蚀硅片之后将第一侧体3卡入卡槽62内，防止硅片在周转时从载具内掉落。将装有硅片的载具缓缓的放进加热的氢氧化钾溶液中进行腐蚀，托底2上的通孔21以及第一侧体3和第三侧体5上的镂空结构让液体更快的进入载具漫过硅片。此时硅片水平放置在氢氧化钾溶液中，每片硅片接触到的氢氧化钾溶液的温度和浓度一致。一段时间后，硅片腐蚀达到所需标准，再进行高压喷洗，洗掉残留的化学品和部分异物。将载具放进水槽进行高压喷洗，利用水的压力再次将异物冲掉，此时的硅片就会干净平整无异物残留。以上仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于硅片刻蚀的载具，其特征在于，包括：上盖、托底、第一侧体、第二侧体、第三侧体和第四侧体；所述上盖设置在所述托底的上方，所述托底上设置有通孔；所述第一侧体、第二侧体、第三侧体和第四侧体设置在所述上盖和托底之间，所述第一侧体和第三侧体相对设置，所述第二侧体和第四侧体相对设置；所述第一侧体和第三侧体设置为镂空结构，所述第二侧体和第四侧体的相向面设置有插槽，所述第二侧体上插槽的位置与第四侧体上插槽的位置相适配，硅片插入插槽内水平放置。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于硅片刻蚀的载具，其特征在于，包括：上盖、托底、第一侧体、第二侧体、第三侧体和第四侧体；所述上盖设置在所述托底的上方，所述托底上设置有通孔；所述第一侧体、第二侧体、第三侧体和第四侧体设置在所述上盖和托底之间，所述第一侧体和第三侧体相对设置，所述第二侧体和第四侧体相对设置；所述第一侧体和第三侧体设置为镂空结构，所述第二侧体和第四侧体的相向面设置有插槽，所述第二侧体上插槽的位置与第四侧体上插槽的位置相适配，硅片插入插槽内水平放置。


2.根据权利要求1所述的一种用于硅片刻蚀的载具，其特征在于：所述上盖上设置有提手，所述提手与上盖设置为一体成型。


3.根据权利要求1所述的一种用于硅片刻蚀的载具，其特征在于：所述第一侧体与上盖、托底、第二侧体和第四侧体均为可拆卸连接。

【专利技术属性】
技术研发人员：苏奎，王秀云，王正兴，秦明海，
申请(专利权)人：苏州东辉光学有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32