一种用于半导体制造设备的逆流防止阀门制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于半导体制造设备的逆流防止阀门，包括：阀门壳，其上部通道连通反应室的吸入口和其下部通道连通真空泵的排出口，上部通道的侧边设置有磁石；位于阀门壳内部的阀门板，其由磁石反应材质制成，并且同时受到重力和来自磁石的吸力，重力和吸力的方向相反；阀门板在与磁石贴合和与磁石相距预定距离的两个状态之间平移，以使得上部通道在闭合状态和开口状态之间转换；所述预定距离大于临界距离，并且小于所述上部通道和所述下部通道之间的直线距离；引导部，其连接上部通道和下部通道，阀门板沿着引导部在两个状态之间平移。本实用新型专利技术能够提高发生逆向压力时阀门的阻断效率，并使阀门壳内部污染物堆积最少化。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体制造设备的逆流防止阀门
本技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种用于半导体制造设备的逆流防止阀门。
技术介绍
一般半导体制造时，相当于扩散炉的反应室内部会形成近于真空的低压，同时向反应室内部供应反应气体，向晶圆上形成需要的薄膜的工程过程。以往半导体制造设备的构成如图1所示，由供应反应气体的气体供应部20与气体供应部20供应的气体流入进行反应的反应室30，及将反应室内部形成近似真空状态的真空泵50组成，这些都由排管相互连接。上述工程中反应室30内部的低压形成及排气作业由真空泵50进行。此时真空泵50若是由于超负荷或动作异常导致形成低压及排气作业无法正常进行时，会发生反应后的气体逆流到反应室30的情况。这种逆流现象，会因为流入反应室30的污染离子导致反应室30内部的晶圆全部损毁。为了防止如上所述的逆流现象，大部分装备会在反应室30与真空泵50之间额外安装阻断阀门40。上述阻断阀门40与排管上设置的压力传感器60与为了感应真空泵50动作状态设置的传感器进行电气连接，当接受到从压力传感器60发出的压力低下信号41或者从安装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体制造设备的逆流防止阀门，其特征在于，包括：/n阀门壳，其上部通道连通反应室的吸入口和其下部通道连通真空泵的排出口，所述上部通道的侧边设置有磁石；/n位于所述阀门壳内部的阀门板，其由磁石反应材质制成，并且同时受到重力和来自所述磁石的吸力，重力和吸力的方向相反；所述阀门板在与所述磁石贴合和与所述磁石相距预定距离的两个状态之间平移，以使得所述上部通道在闭合状态和开口状态之间转换；所述预定距离大于临界距离，并且小于所述上部通道和所述下部通道之间的直线距离；/n引导部，其连接所述上部通道和所述下部通道，所述阀门板沿着所述引导部在两个状态之间平移。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体制造设备的逆流防止阀门，其特征在于，包括：
阀门壳，其上部通道连通反应室的吸入口和其下部通道连通真空泵的排出口，所述上部通道的侧边设置有磁石；
位于所述阀门壳内部的阀门板，其由磁石反应材质制成，并且同时受到重力和来自所述磁石的吸力，重力和吸力的方向相反；所述阀门板在与所述磁石贴合和与所述磁石相距预定距离的两个状态之间平移，以使得所述上部通道在闭合状态和开口状态之间转换；所述预定距离大于临界距离，并且小于所述上部通道和所述下部通道之间的直线距离；
引导部，其连接所述上部通道和所述下部通道，所述阀门板沿着所述引导部在两个状态之间平移。


2.根据权利要求1所述的逆流防止阀门，其特征在于，所述阀门板设置有至少两个通孔，所述引导部垂直于所述阀门板并穿过所述通孔。


3.根据权利要求2所述的逆流防止阀门，其特征在于，还包括：限位部，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：金永春，
申请(专利权)人：无锡永井电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32