一种用于半导体制造设备的逆流防止阀门制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于半导体制造设备的逆流防止阀门，包括：阀门壳，其上部通道连通反应室的吸入口和其下部通道连通真空泵的排出口，上部通道的侧边设置有磁石；位于阀门壳内部的阀门板，其由磁石反应材质制成，并且同时受到重力和来自磁石的吸力，重力和吸力的方向相反；阀门板在与磁石贴合和与磁石相距预定距离的两个状态之间平移，以使得上部通道在闭合状态和开口状态之间转换；所述预定距离大于临界距离，并且小于所述上部通道和所述下部通道之间的直线距离；引导部，其连接上部通道和下部通道，阀门板沿着引导部在两个状态之间平移。本实用新型专利技术能够提高发生逆向压力时阀门的阻断效率，并使阀门壳内部污染物堆积最少化。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体制造设备的逆流防止阀门
本技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种用于半导体制造设备的逆流防止阀门。
技术介绍
一般半导体制造时，相当于扩散炉的反应室内部会形成近于真空的低压，同时向反应室内部供应反应气体，向晶圆上形成需要的薄膜的工程过程。以往半导体制造设备的构成如图1所示，由供应反应气体的气体供应部20与气体供应部20供应的气体流入进行反应的反应室30，及将反应室内部形成近似真空状态的真空泵50组成，这些都由排管相互连接。上述工程中反应室30内部的低压形成及排气作业由真空泵50进行。此时真空泵50若是由于超负荷或动作异常导致形成低压及排气作业无法正常进行时，会发生反应后的气体逆流到反应室30的情况。这种逆流现象，会因为流入反应室30的污染离子导致反应室30内部的晶圆全部损毁。为了防止如上所述的逆流现象，大部分装备会在反应室30与真空泵50之间额外安装阻断阀门40。上述阻断阀门40与排管上设置的压力传感器60与为了感应真空泵50动作状态设置的传感器进行电气连接，当接受到从压力传感器60发出的压力低下信号41或者从安装在泵上的传感器上接受到泵阻断信号42时阻断阀门40就会关闭。但是压力传感器60将为了输出压力低下信号41的动作压力设置的过低时，工程进行中也会发生阻断阀门40关闭的情况。而且因为阻断阀门40是用电进行动作的，所以动作延迟及在真空泵50控制器上感应到真空泵50的异常并进行判断后启动阻断阀门40所需的时间内若发生逆流，逆流的污染粒子会使一部分晶圆受损。如图2所示，为了完善只具备阻断阀门40时的这些问题，设置了根据在反应室30与真空泵50之间的排管内部流动的流体的顺流或逆流形成的压力变化一起动作，若发生气体逆流时可以迅速阻断排管的逆流防止阀门10。一般的逆流防止阀门10的结构如图3，是流体顺流时阀门板14由于重力而下降，发生逆流时阀门板14会因为从底部产生的压力上升阻隔吸入口12的结构。此类结构的逆流防止阀门在逆流压力微弱或逆流发生缓慢时无法形成阀门板14的阻断动作，而且就算阻断后也因为只由逆流压力就可动作阀门板14的问题，在动作中污染粒子可充分发生逆流，并且因为只由压力维持阀门板14的阻断状态，所以阀门板14阻断后也会在压力变弱时发生逆流。为了解决如上所述的一般的逆流防止阀门的问题点，近来开发出了如图4所示的具备弹簧的逆流防止阀门。这种具备弹簧的逆流防止阀门，不发生逆流导致的压力差的话阀门板14会由于弹簧一直阻断吸入口12防止逆流，是典型的止回阀结构。图4的结构比起图3，可以大幅增加防止逆流的能力。但是，阀门板14由于弹簧一直受到阻断压力，降低正常的流体流动，会给真空泵50动作时增加负担，并且由于弹簧及为此结构导致阀门壳11内部变的复杂，包含于反应后气体的污染物质更容易在阀门壳11内部堆积，在逆流阻断动作进行时，堆积的污染物有可能包含在逆流流入反应室30的问题。
技术实现思路
本技术的一个目的是要提供一种用于半导体制造设备的逆流防止阀门，提高发生逆向压力时阀门的阻断效率，并使阀门壳内部污染物堆积最少化。特别地，本技术提供了一种用于半导体制造设备的逆流防止阀门，包括：阀门壳，其上部通道连通反应室的吸入口和其下部通道连通真空泵的排出口，所述上部通道的侧边设置有磁石；位于所述阀门壳内部的阀门板，其由磁石反应材质制成的，并且同时受到重力和来自所述磁石的吸力，重力和吸力的方向相反；所述阀门板在与所述磁石贴合和与所述磁石相距预定距离的两个状态之间平移，以使得所述上部通道在闭合状态和开口状态之间转换；所述预定距离大于临界距离，并且小于所述上部通道和所述下部通道之间的直线距离；引导部，其连接所述上部通道所在的第一位置和所述下部通道所在的第二位置，所述阀门板沿着所述引导部在两个状态之间平移。优选的，所述阀门板设置有至少两个通孔，所述引导部垂直于所述阀门板并穿过所述通孔。优选的，还包括：限位部，其连接于所述引导部；所述预定距离为所述限位部的顶部与所述磁石之间的距离；所述限位部的直径大于所述通孔。优选的，所述预定距离可调节。优选的，所述上部通道的侧边设有至少两块对称放置的磁石，或者，所述上部通道的周向设有一圈磁石。优选的，还包括：密封圈，其设置在所述磁石靠近所述上部通道的内圈。优选的，还包括：加热层，其设置在所述阀门壳的外部。优选的，所述阀门板具有防腐蚀镀层。优选的，所述预定距离比所述临界距离大1～2mm。本技术的半导体制造设备用逆流防止阀门，在发生逆流时会根据磁石的吸引力阀门板迅速闭合，阻隔向反应室内部流入的污染物，可防止晶圆的损伤，减少不良品产生。本技术的内部又因为不需要弹簧和固定弹簧的结构物，阀门内部结构非常简单，可通过阀门外侧的加热层加热到合适温度，将阀门内部的残余气体消除掉，使阀门壳内的污染物堆积最少化。不同于使用弹簧的逆流防止阀门，本技术中的逆流防止阀门在真空泵动作中阀门板常时开放，所以流体流动的阻力小可减少真空泵的负荷，从而预防半导体制造设备的故障并延长寿命，有减少设备维护所需的努力及费用的效果。本技术在阀门板镀上耐腐蚀性，耐磨损性，耐污染性突出的特氟龙涂层，可将阀门板的损伤减少延长寿命。根据下文结合附图对本技术具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本技术的上述以及其他目的、优点和特征。附图说明后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本技术的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：图1是现有的具备逆流防止手段的半导体制造设备的结构图。图2是现有的具备逆流防止阀门的半导体制造设备的结构图。图3是图示现有逆流防止阀门结构的截面图。图4是图示现有具备弹簧的逆流防止阀门结构的截面图。图5是图示本技术半导体制造设备用的逆流防止阀门结构的截面图。图6是图示具备加热层的本技术半导体制造设备用的逆流防止阀门结构的截面图。图中各符号所表示的含义如下：10-逆流防止阀门；11-阀门壳；12-吸入口，13-排出口；14-阀门板；15-磁石；16-密封圈；17-引导部；18-限位部；19-加热层；20-气体供应部；30-反应室；40-隔离阀门；41-压力低下信号；42-泵阻断信号；50-真空泵；60-压力传感器。具体实施方式如图5所示的逆流防止阀门结构的截面图，逆流防止阀门安装于半导体制造设备的连接反应室30与真空泵50的排管上。阀门壳11的上部通道连通反应室30排管的吸入口12和其下部通道连通真空泵50排管的排出口13。阀门板14位于阀门壳11内部，阀门板14为能完全覆盖排管吸入口12的大小。阀门板14在阀门壳11内部上下移动，从而开关上述吸入口12。上述吸入口12及排出口13的末本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体制造设备的逆流防止阀门，其特征在于，包括：/n阀门壳，其上部通道连通反应室的吸入口和其下部通道连通真空泵的排出口，所述上部通道的侧边设置有磁石；/n位于所述阀门壳内部的阀门板，其由磁石反应材质制成，并且同时受到重力和来自所述磁石的吸力，重力和吸力的方向相反；所述阀门板在与所述磁石贴合和与所述磁石相距预定距离的两个状态之间平移，以使得所述上部通道在闭合状态和开口状态之间转换；所述预定距离大于临界距离，并且小于所述上部通道和所述下部通道之间的直线距离；/n引导部，其连接所述上部通道和所述下部通道，所述阀门板沿着所述引导部在两个状态之间平移。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体制造设备的逆流防止阀门，其特征在于，包括：
阀门壳，其上部通道连通反应室的吸入口和其下部通道连通真空泵的排出口，所述上部通道的侧边设置有磁石；
位于所述阀门壳内部的阀门板，其由磁石反应材质制成，并且同时受到重力和来自所述磁石的吸力，重力和吸力的方向相反；所述阀门板在与所述磁石贴合和与所述磁石相距预定距离的两个状态之间平移，以使得所述上部通道在闭合状态和开口状态之间转换；所述预定距离大于临界距离，并且小于所述上部通道和所述下部通道之间的直线距离；
引导部，其连接所述上部通道和所述下部通道，所述阀门板沿着所述引导部在两个状态之间平移。


2.根据权利要求1所述的逆流防止阀门，其特征在于，所述阀门板设置有至少两个通孔，所述引导部垂直于所述阀门板并穿过所述通孔。


3.根据权利要求2所述的逆流防止阀门，其特征在于，还包括：限位部，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：金永春，
申请(专利权)人：无锡永井电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32