在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置及制备方法制造方法及图纸

在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置，包括从前至后依次串联的进口预抽室、进口过渡室、至少一个氧化室、至少一个工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室、出口室，任意相邻的两个腔室之间的连接处均设有真空隔离插板阀，进口预抽室、出口室的分别设有翻板阀，进口预抽室和出口室上连接有真空泵，进口过渡室、氧化室、工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室上均连接有涡轮分子泵，氧化室上连接有低能氧离子源，工作室内设有硅靶和气态掺杂源，回火室内的前部设有红外加热源、后部设有紫外激光回火系统。使用时将硅片放在石墨托盘上依次经过各腔室反应即可，上述设备结构简单，造价便宜，使用过程成本低。

【技术实现步骤摘要】
在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置及制备方法
本专利技术涉及在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置及制备方法。
技术介绍
目前平价上网要求光伏行业的发展以更高的光电转换效率为核心。现有高效晶硅太阳能电池技术路线：P-PERC(PassivatedEmitterandRearCell,钝化发射极背场点接触)、N-PERT(PassivatedEmitterRearTotally-diffusedcell,钝化发射极背表面全扩散)，HJT(Heterojunction,异质结)，IBC(Inter-digitatedback-contact,插指背结背接触)，MWT(MetalWrapThrough,金属穿孔卷绕)；TOPCon(TunnelOxidePassivatedContact，隧穿氧化钝化接触)。P-PERC电池将背面的接触范围限制在开孔区域，增加了工艺的复杂度外，开孔处的高复合速率依然存在,光致衰减LID问题没有完全解决。N-PERT特点是背表面扩散全覆盖以减小和降低电池的背面接触电阻和复合速率，但无隧穿氧化钝化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置，其特征在于：包括从前至后依次串联的进口预抽室、进口过渡室、至少一个氧化室、至少一个工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室、出口室，任意相邻的两个腔室之间的连接处均设有真空隔离插板阀，所述的进口预抽室前侧设有第一翻板阀，出口室的后侧设有第二翻板阀，所述的进口预抽室和出口室上均连接有真空泵，所述的进口过渡室、氧化室、工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室上均连接有涡轮分子泵，所述的氧化室上连接有低能氧离子源，工作室内设有至少一个硅靶和至少一个气态原位掺杂源，回火室内的前部设有红外加热源、后部设有波长为200-300nm的紫外激光回火系统。/n

【技术特征摘要】
1.在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置，其特征在于：包括从前至后依次串联的进口预抽室、进口过渡室、至少一个氧化室、至少一个工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室、出口室，任意相邻的两个腔室之间的连接处均设有真空隔离插板阀，所述的进口预抽室前侧设有第一翻板阀，出口室的后侧设有第二翻板阀，所述的进口预抽室和出口室上均连接有真空泵，所述的进口过渡室、氧化室、工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室上均连接有涡轮分子泵，所述的氧化室上连接有低能氧离子源，工作室内设有至少一个硅靶和至少一个气态原位掺杂源，回火室内的前部设有红外加热源、后部设有波长为200-300nm的紫外激光回火系统。


2.根据权利要求1所述的在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置，其特征在于，所述的硅靶形态为平面靶、圆柱靶、圆筒形靶或者两端大中间小的狗骨形靶。


3.根据权利要求1所述的在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置，其特征在于，所述的气态掺杂源为成分为磷掺杂源或硼掺杂源。


4.采用权利要求1-3中任意一项所述的在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置制备二氧化硅和多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将硅片在石墨托盘上按行列式排布；
(2)开启第一翻板阀，载有硅片的石墨托盘先进入进口预抽室，在真空泵作用下将气压从常压降至1pa；
(3)打开进口预抽室和进口过渡室之间的真空隔离插板阀将载有硅片的石墨托盘送入进口过渡室，然后关闭进口预抽室和进口过渡室之间的真空隔离插板阀，在涡轮分子泵作用下，将气压降至10-2pa；
(4)打开进口过渡室和氧化室之间的真空隔离插板阀将载有硅片的石墨托盘送入氧化室，在涡轮分子泵作用下继...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙巍泉，
申请(专利权)人：普乐合肥光技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34