金属碳化物烧结体以及具备该金属碳化物烧结体的碳化硅半导体制造装置用耐热部件制造方法及图纸

就熔点非常高的金属的碳化物烧结体来说，本申请提供就算是不进行热压、HIP等在高压下的烧结也能够制造的相对密度高并且机械强度优异的金属碳化物烧结体。本申请涉及一种金属碳化物烧结体，其是选自周期表第四族和第五族元素中的至少一种金属的碳化物烧结体，其含有0.1wtppm～10000wtppm的Si元素。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属碳化物烧结体以及具备该金属碳化物烧结体的碳化硅半导体制造装置用耐热部件
本专利技术涉及金属碳化物烧结体，更详细来说涉及可适用于碳化硅半导体制造装置的耐热部件等的金属碳化物烧结体。
技术介绍
就碳化硅(SiC)半导体来说，其不仅耐热性比硅(Si)半导体高，而且还存在具有宽带隙并且绝缘击穿电场强度大这样的特点，因此其作为低电力损耗功率器件用半导体材料而备受注目，其特别是作为汽车用电子部件的基础材料而备受期待。SiC在常压下不会熔解并且在2000℃左右的温度下升华，因此就制造SiC单晶体来说无法采用用于制造Si单晶体的CZ法、FZ法。由此，在SiC单晶体的量产化时，主要采用了改良瑞利法等升华法。另外，近年来，存在SiC单晶晶片大口径化的要求，还在摸索用于高效地得到低缺陷、高品质的SiC单晶体的方法，除了升华法以外的制造方法(溶液法、气体生长法等)也备受注目。上述方法均是向石墨等耐热性容器(坩埚、炉芯管等)供给原料(粉末、气体等)并且由容器外部通过高频加热等方式对原料进行加热的，SiC单晶生长是在2000℃以上的超高温区域进行的。石本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属碳化物烧结体，其是选自周期表第四族和第五族元素中的至少一种金属的碳化物烧结体，/n其含有0.1wtppm～10000wtppm的Si元素。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180213 JP 2018-0230791.一种金属碳化物烧结体，其是选自周期表第四族和第五族元素中的至少一种金属的碳化物烧结体，
其含有0.1wtppm～10000wtppm的Si元素。


2.根据权利要求1所述的金属碳化物烧结体，其中，所述金属选自Ta、Nb、Ti和Zr。


3.根据权利要求1或2所述的金属碳化物烧结体，其相对密度为95％以上。

【专利技术属性】
技术研发人员：梶野仁，今浦祥治，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP