一种大半强度角红外发射管制造技术

本发明专利技术提供的一种大半强度角红外发射管，包括红外发射管、电极连接杆、安装座；所述红外发射管为多个，其中部固定在电极连接杆上，下端固定在安装座上，红外发射管包括第一电极、第二电极、芯片，第一电极和第二电极呈一定间距固定在电极连接杆和安装座上，所述芯片安装在第二电极顶部，所述芯片和第一电极之间通过导线连接。本发明专利技术通过支架对发光芯片的支撑，使红外发射管半强度角扩大。

【技术实现步骤摘要】
一种大半强度角红外发射管
本专利技术涉及一种大半强度角红外发射管。
技术介绍
红外发射管时可以将电能直接转换成近红外光并能辐射出去的发光器件，主要应用于各种光电开关、触摸屏及遥控发射电路中。红外发射管中辐射强度及半强度角成反比关系，半强度角越大，则辐射强度越低，目前市面所用红外发射管为追求更高的辐射强度，将半强度角缩小，且因技术原因导致半强度角均≤90°，使得配套产品或设备在需要高半强度角时，往往通过其他渠道解决，使得配套产品或设备受到不同程度的限制。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种大半强度角红外发射管。本专利技术通过以下技术方案得以实现。本专利技术提供的一种大半强度角红外发射管，包括红外发射管、电极连接杆、安装座；所述红外发射管为多个，其中部固定在电极连接杆上，下端固定在安装座上，红外发射管包括第一电极、第二电极、芯片，第一电极和第二电极呈一定间距固定在电极连接杆和安装座上，所述芯片安装在第二电极顶部，所述芯片和第一电极之间通过导线连接。所述第二电极顶端加工有V行槽，芯片通过固晶工艺安装在V型槽内。所述V型槽和芯片之间还安装有灯杯，所述灯杯为圆台型。所述第二电极顶端还加工有挂角槽在V行槽旁原理第一电极处，挂角槽和第二电极的侧边之间还设置有台阶。所述第一电极和第二电极之间还加工有隔离间隙,隔离间隙的轨迹与灯杯的侧边平行。所述第一电极和第二电极之间的顶端通过环氧树脂包覆封装。所述安装座底部加工有规则凹槽，安装座的上还加工有安装孔。所述灯杯两对称侧边之间的夹角为90°。所述隔离间隙的宽度从第一电极的顶部从0.15mm逐渐扩大为0.第二电极mm。所述芯片和灯杯底部之间通过银浆连接。本专利技术的有益效果在于：通过支架对发光芯片的支撑，使红外发射管半强度角扩大。附图说明图1是本专利技术的结构示意图；图2是本专利技术图1处局部放大结构示意图；图3是本专利技术的侧视图结构示意图；图4是本专利技术的最大额定参数；图5是本专利技术的光电特性参数表；图6是本专利技术的半强度角测试图图；图中：1-第一电极，2-第二电极，21-挂角槽，22-灯杯，3-芯片，4-电极连接杆，5-安装座，51-安装孔，6-隔离间隙，7-接线孔。具体实施方式下面进一步描述本专利技术的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。一种大半强度角红外发射管，包括红外发射管、电极连接杆4、安装座5；所述红外发射管为多个，其中部固定在电极连接杆4上，下端固定在安装座5上，红外发射管包括第一电极1、第二电极2、芯片3，第一电极1和第二电极2呈一定间距固定在电极连接杆4和安装座5上，所述芯片3安装在第二电极2顶部，所述芯片3和第一电极1之间通过导线连接。所述第二电极2顶端加工有V行槽，芯片3通过固晶工艺安装在V型槽内。所述V型槽和芯片3之间还安装有灯杯22，所述灯杯22为圆台型。所述第二电极2顶端还加工有挂角槽21在V行槽旁原理第一电极1处，挂角槽21和第二电极2的侧边之间还设置有台阶。所述第一电极1和第二电极2之间还加工有隔离间隙6,隔离间隙6的轨迹与灯杯22的侧边平行。所述第一电极1和第二电极2之间的顶端通过环氧树脂包覆封装。所述安装座5底部加工有规则凹槽，安装座5的上还加工有安装孔51。所述灯杯22两对称侧边之间的夹角为90°。所述隔离间隙6的宽度从第一电极1的顶部从0.15mm逐渐扩大为0.第二电极2mm。所述芯片3和灯杯22底部之间通过银浆连接。本专利技术主要通过光学设计，封装外形、支架的结构、封装材料、封装工艺等多方面在保障辐射强度的前提下来提升产品半强度角。①、在光学设计方面，采用光学线路设计仿真软件，对产品光学线路进行仿真设计；②根据仿真结果设计支架结构，通过降低灯杯深度，防止灯杯壁对芯片辐射强度的阻挡，提高对电镀的要求，提升灯杯壁光滑程度，提高灯杯壁的折射效果；③在材料方面，选用折射率大的胶水；④在封装工艺方面，严格控制芯片位置及芯片角度，通过设计封装夹具严格控制产品外形，确保支架在胶水中的位置，不会因位置变化或倾斜导致产品半强度角或辐射强度受到影响。通过上述设计，从而专利技术一种全新超大半强度角红外发射管，该支架式红外发射管半强度角≥110°，辐射强度≥1.5mW/sr。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大半强度角红外发射管，包括红外发射管、电极连接杆(4)、安装座(5)，其特征在于：所述红外发射管为多个，其中部固定在电极连接杆(4)上，下端固定在安装座(5)上，红外发射管包括第一电极(1)、第二电极(2)、芯片(3)，第一电极(1)和第二电极(2)呈一定间距固定在电极连接杆(4)和安装座(5)上，所述芯片(3)安装在第二电极(2)顶部，所述芯片(3)和第一电极(1)之间通过导线连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种大半强度角红外发射管，包括红外发射管、电极连接杆(4)、安装座(5)，其特征在于：所述红外发射管为多个，其中部固定在电极连接杆(4)上，下端固定在安装座(5)上，红外发射管包括第一电极(1)、第二电极(2)、芯片(3)，第一电极(1)和第二电极(2)呈一定间距固定在电极连接杆(4)和安装座(5)上，所述芯片(3)安装在第二电极(2)顶部，所述芯片(3)和第一电极(1)之间通过导线连接。


2.如权利要求1所述的大半强度角红外发射管，其特征在于：所述第二电极(2)顶端加工有V行槽，芯片(3)通过固晶工艺安装在V型槽内。


3.如权利要求2所述的大半强度角红外发射管，其特征在于：所述V型槽和芯片(3)之间还安装有灯杯(22)，所述灯杯(22)为圆台型。


4.如权利要求2所述的大半强度角红外发射管，其特征在于：所述第二电极(2)顶端还加工有挂角槽(21)在V行槽旁原理第一电极(1)处，挂角槽(21)和第二电极(2)的侧边之间还设置有台阶。

【专利技术属性】
技术研发人员：周卓，任真伟，吴双彪，王智，代骞，杨辉，方明洪，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂，
类型：发明
国别省市：贵州;52