一种单晶焊点及其制备方法、电子组件技术

技术编号:25788046 阅读:85 留言:0更新日期:2020-09-29 18:20
本发明专利技术涉及一种单晶焊点及其制备方法、电子组件,其中,单晶焊点的制备方法包括以下步骤:提供焊盘,所述焊盘表面形成有焊料层;提供单晶焊柱,将所述单晶焊柱置于上下两个焊盘之间,加热使所述焊料层熔化并与所述单晶焊柱之间发生溶解与扩散形成反应层,所述单晶焊柱通过所述反应层固定于所述焊盘上,得到单晶焊点。采用本发明专利技术提供的一种单晶焊点制备方法,通过单晶焊柱取向的选择使焊点具有屈服强度高、抗热疲劳和抗电迁移性能好等优点,综合可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶焊点及其制备方法、电子组件
本专利技术涉及电子封装
,特别是涉及一种单晶焊点及其制备方法、电子组件。
技术介绍
电子元器件中的焊点不仅起电气连接的作用,同时也提供机械支撑的作用,故焊点可靠性一直是电子工业中的重要问题。热疲劳和电迁移是焊点失效的两个主要原因,而锡合金焊点的热疲劳与电迁移寿命均与焊点的晶粒取向强烈相关,因此,如何通过焊点的取向来把控焊点的热疲劳与电迁移成为技术难题。
技术实现思路
基于此,有必要针对锡焊点热疲劳和电迁移寿命的各向异性问题,提供一种单晶焊点的制备方法,包括以下步骤:一种单晶焊点的制备方法,包括以下步骤:提供焊盘,所述焊盘表面形成有焊料层;提供单晶焊柱,将所述单晶焊柱置于上下两个焊盘之间,加热使所述焊料层熔化并与所述单晶焊柱之间发生溶解与扩散形成反应层,所述单晶焊柱通过所述反应层固定于所述焊盘上,得到单晶焊点。在其中一个实施例中,所述单晶焊柱为圆柱形,其上下表面为(100)、(110)、(210)晶面或上述晶面的等价晶面中的任意一种。在其中一个实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶焊点的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/n提供焊盘,所述焊盘表面形成有焊料层;/n提供单晶焊柱,将所述单晶焊柱置于上下两个焊盘之间,加热使所述焊料层熔化并与所述单晶焊柱之间发生溶解与扩散形成反应层,所述单晶焊柱通过所述反应层固定于所述焊盘上,得到单晶焊点。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶焊点的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供焊盘,所述焊盘表面形成有焊料层;
提供单晶焊柱,将所述单晶焊柱置于上下两个焊盘之间,加热使所述焊料层熔化并与所述单晶焊柱之间发生溶解与扩散形成反应层,所述单晶焊柱通过所述反应层固定于所述焊盘上,得到单晶焊点。


2.如权利要求1所述的单晶焊点的制备方法,其特征在于,所述单晶焊柱为圆柱形,其上下表面为(100)、(110)、(210)晶面或上述晶面的等价晶面中的任意一种。


3.如权利要求1所述的单晶焊点的制备方法,其特征在于,所述单晶焊柱的厚度为200μm~1000μm。


4.如权利要求1所述的单晶焊点的制备方法,其特征在于,所述焊料层的厚度为10μm~50μm。


5.如权利要求1所述的单晶焊点的制备方法,其特征在于,所述单晶焊柱的组份包括锡以及银、铜或锌中的至少一种;所述焊料层包括金属层或者焊膏,其中...

【专利技术属性】
技术研发人员:张青科宋振纶胡方勤郑必长姜建军
申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
类型:发明
国别省市:浙江;33

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