带栅极的气体传感器制造技术

技术编号:2578740 阅读:135 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种用于探测分析物气体的设备。所述设备可包括信号放大器,所述信号放大器可包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管可包括具有半导体特性的膜,所述具有半导体特性的膜可包括能够与所述分析物气体例如一氧化碳产生化学相互作用的金属氧化物。所述设备可通过改变所述晶体管的栅电压来进行调整,从而检测所述分析物气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种用于检测分析物气体的存在的传感器,其中所述传感器通过调整具有半导体特性的层的表面能并调节所述具有半导体特性的层的传导性而起作用,所述传感器包括:    基板;    绝缘层;    通过所述绝缘层与所述基板隔开的具有半导体特性的层;    与所述具有半导体特性的层接触的第一触点;    与所述具有半导体特性的层接触的第二触点;和    与所述基板接触的第三触点;    其中所述具有半导体特性的层包括能够与所述分析物气体产生化学相互作用的化合物;    其中所述第三触点是位于所述基板上、通过绝缘体与所述具有半导体特性的层隔开的传导层;以及    其中所述绝缘层、所述具有半导体特性的层、第一触点、第二触点和第三触点被布置在预定结构上,以使所述传感器将所述分析物气体水平的变量检测为当在所述第一触点和所述第三触点上施加电压时在所述第一触点与所述第二触点之间出现的电流变量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:J诺瓦克P孙达拉坚
申请(专利权)人:毫微专卖股份有限公司
类型:发明
国别省市:US[]

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