【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠膜以及半导体元件的制造方法
本专利技术涉及层叠膜以及半导体元件的制造方法。
技术介绍
通常，为了阻断、保护半导体芯片不受外部气体影响，将其收纳(密封)在称为封装体的容器中，制成半导体元件。作为封装体，使用由固化性树脂(例如环氧树脂等热固化性树脂)的固化物构成的成形体。作为半导体元件的制造方法，例如已知配置半导体芯片等以使其位于模具内的规定位置、在模具内填充固化性树脂使其固化的所谓传递成形法或压缩成形法。在半导体元件的制造工序中，有时在模具的内腔面上配置脱模膜。在将脱模膜插入模具内后，通过真空抽吸，沿着内腔面延展，使其成为密合在内腔面上的状态。此时，有时发生脱模膜在脱模膜与内腔面之间的空气不能完全排除的状态下密合在内腔面上、在脱模膜上产生褶皱的情况。如果脱模膜上有褶皱，则脱模膜的褶皱形状被转印在封装体的表面上，形成外观不良，成品率下降。对于这样的问题，提出了以下的脱模膜。·在延伸聚酯树脂膜的至少一面上层叠氟树脂膜而成的半导体芯片密封用脱模膜(专利文献1)。·包含含有4-甲基-1-戊烯共聚物、...
【技术保护点】
1.一种层叠膜，其特征在于，包含180℃下的储能模量E’在70MPa以上、机械方向(MD)以及横截方向(TD)各自的以20℃为基准的180℃30分钟下的热收缩率在3％以上的收缩性膜的层，和存在于所述收缩性膜的层的单面或双面的氟树脂层，至少一面为所述氟树脂层的表面。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171117 JP 2017-2222271.一种层叠膜，其特征在于，包含180℃下的储能模量E’在70MPa以上、机械方向(MD)以及横截方向(TD)各自的以20℃为基准的180℃30分钟下的热收缩率在3％以上的收缩性膜的层，和存在于所述收缩性膜的层的单面或双面的氟树脂层，至少一面为所述氟树脂层的表面。
2.如权利要求1所述的层叠膜，其特征在于，所述层叠膜的180℃下的储能模量E’在70MPa以上、所述层叠膜的MD以及TD各自的以20℃为基准的180℃30分钟下的热收缩率在2％以上。
3.如权利要求1或2所述的层叠膜，其特征在于，所述氟树脂层存在于所述收缩性膜的层的两面。
4.如权利要求1～3中任一项所述的层叠膜，其特征在于，所述收缩性膜的层和所述氟树脂层之间还存在粘接层。
5.如权利要求1～4中任一项所述的层叠膜，其特征在于，所述收缩性膜是双轴延伸膜。
6.如权利要求1～5中任一项所述的层叠膜，其特征在于，所述收缩性膜是由选自聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚苯乙烯树脂、以及来源于生物的树脂的至少1种的树脂构成的收缩性膜。
7.如权利要求1～6中任一项所述的层叠膜，其特征在于，所述收缩性膜是双轴拉伸聚酰胺树脂膜。
8.如权利要求1～7中任一项所述的层叠膜，其特征在于，所述氟树脂是由氟代烯烃类聚合物构成的氟树脂。
9.如权利要求8所述的层叠膜，其...
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