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层叠膜以及半导体元件的制造方法技术
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文档序号:25763601
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本发明提供可在压缩成形中抑制使脱模膜吸附在内腔面上时的褶皱的产生、以及使吸附有脱模膜的内腔底面上升时的褶皱的产生这两者的层叠膜、以及使用其的半导体元件的制造方法。层叠膜1包含180℃下的储能模量E’在70MPa以上、机械方向(MD)横截方向...
该专利属于AGC株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过AGC株式会社授权不得商用。
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