【技术实现步骤摘要】
半导体结构的检测方法及半导体结构
本申请涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构的检测方法及半导体结构。
技术介绍
当半导体结构制备完成后，常常需要对半导体结构的某些层进行测试。现有技术采用破坏性方法，直接将测试层的上层结构都去掉，进而对测试层进行测试。这种测试完成后，该半导体结构也会报废，不可再利用。这种破坏性的方法会降低半导体结构的成品率。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种半导体结构的检测方法及半导体结构，用于实现半导体结构预设区域的刻蚀和测试，不降低半导体结构的成品率。本申请实施例提供了一种半导体结构的检测方法，所述方法包括：将半导体结构上对准标记所在的第一目标区域刻蚀至第一目标层，形成第一刻蚀凹槽；通过对所述第一刻蚀凹槽的底部进行测试，获得所述第一刻蚀凹槽的底部所在的第一目标层的测试结果。在一实施例中，所述将半导体结构上对准标记所在的第一目标区域刻蚀至第一目标层，包括：根据半导体结构上的对准标记制造与所述对准标记匹配的光刻板；利用所述光刻板将半...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的检测方法，其特征在于，所述方法包括：/n将半导体结构上对准标记所在的第一目标区域刻蚀至第一目标层，形成第一刻蚀凹槽；/n通过对所述第一刻蚀凹槽的底部进行测试，获得所述第一刻蚀凹槽的底部所在的第一目标层的测试结果。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的检测方法，其特征在于，所述方法包括：
将半导体结构上对准标记所在的第一目标区域刻蚀至第一目标层，形成第一刻蚀凹槽；
通过对所述第一刻蚀凹槽的底部进行测试，获得所述第一刻蚀凹槽的底部所在的第一目标层的测试结果。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述将半导体结构上对准标记所在的第一目标区域刻蚀至第一目标层，包括：
根据半导体结构上的对准标记制造与所述对准标记匹配的光刻板；
利用所述光刻板将半导体结构上对准标记所在的第一目标区域刻蚀至第一目标层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述根据半导体结构上的对准标记制造与所述对准标记匹配的光刻板，包括：
根据所述半导体结构上的对准标记的图案和位置关系，制作具有与所述对准标记相同的图案和位置关系的所述光刻板。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述根据所述半导体结构上的对准标记的图案和位置关系，制作具有与所述对准标记相同的图案和位置关系的所述光刻板之前，所述方法还包括：
根据半导体结构的实际利用区域，确定所述对准标记的图案和位置关系。
5.根据权利要求2所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，在利用所述光刻板将半导体结构上对准标记所在的第一目标区域刻蚀至第一目标层之前，所述方法还包括：
在所述半导体结构的表面涂覆光刻胶；
将所述光刻板置于已涂覆所述光刻胶的所述半导体结构上；
对所述半导体结构进行曝光和显影处理。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述对所述第一刻蚀凹槽的底部进行测试，获得所述第一刻蚀凹槽的底部所在的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨国文，赵勇明，杨皓宇，赵卫东，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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