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本申请提供一种半导体结构的检测方法及半导体结构。该方法包括：将半导体结构上对准标记所在的第一目标区域刻蚀至第一目标层，形成第一刻蚀凹槽；通过对所述第一刻蚀凹槽的底部进行测试，获得所述第一刻蚀凹槽的底部所在的第一目标层的测试结果。用于实现半导...
该专利属于度亘激光技术(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过度亘激光技术(苏州)有限公司授权不得商用。

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