一种提取GaN HEMT晶体管动态串联电阻的方法技术

本发明专利技术涉及一种提取GaN HEMT晶体管动态串联电阻的方法，在直流和脉冲测试条件下，通过提出的方法，可以在不同的偏置和电压‑电流条件下直接提取GaN HEMT晶体管动态串联栅源电阻R

【技术实现步骤摘要】
一种提取GaNHEMT晶体管动态串联电阻的方法
本专利技术涉及集成电路
，尤其是一种提取GaNHEMT晶体管动态串联电阻的方法。
技术介绍
作为第三代半导体的主要代表,氮化镓(GaN)基材料在光电子学和微电子学领域都有重要的应用价值,也是当今国际半导体的研究热点之一。GaN材料具有宽禁带、高电子迁移率、高饱和速度和高击穿电场等优异的材料特性,因此GaN基器件不仅在光电器件领域得到广泛重视,还显示出大电流、高击穿电压和大功率等特性,具很的功率器件特性。虽然GaN高电子迁移率晶体管HEMT在高频、高压、高温领域取得了重大进展,但在稳定性和可靠性等方面的问题仍限制着GaN基器件的广泛应用,其中由陷阱效应导致的电流崩塌效应是此类功率器件的一个独特现象，对功率器件的性能和工作影响较为严重。电流崩塌效应产生的原因一般认为有两个：其一是表面陷阱在器件工作过程中俘获电子,在表面形成一定的电势,影响沟道中的耗尽层,从而导致漏极电流的减小,即所谓的“虚栅”效应；另一个因素是由于缓冲层陷阱俘获沟道热电子导致的。无论是表面陷阱俘获电子还是缓冲层陷阱俘获沟道热电子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提取GaN HEMT晶体管动态串联电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)选用栅极长度在15um-30um，源漏间距为25um-40um，栅极宽度为110um-130um的凹栅型GaN HEMT器件；/n(2)由安捷能半导体参数测试仪测试得到直流和脉冲条件下GaN HEMT的I-V特性；/n(3)在栅极上加载频率1Hz，脉宽1ms的周期脉冲，得到脉冲I-V特性曲线；/n(4)直流I-V特性测试中直接提取原有源极和漏极区的串联电阻R

【技术特征摘要】
1.一种提取GaNHEMT晶体管动态串联电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)选用栅极长度在15um-30um，源漏间距为25um-40um，栅极宽度为110um-130um的凹栅型GaNHEMT器件；
(2)由安捷能半导体参数测试仪测试得到直流和脉冲条件下GaNHEMT的I-V特性；
(3)在栅极上加载频率1Hz，脉宽1ms的周期脉冲，得到脉冲I-V特性曲线；
(4)直流I-V特性测试中直接提取原有源极和漏极区的串联电阻RS和RD值，根据直流测试结果得到这两个电阻值的表达式为：
Rds＝RS+RD+L/(Cox(VGS-VT)W)1)
RD-RS＝[dVGS/dIg]d-[dVGS/dIg]s2)
(5)根据GaNHEMT功率器件的饱和电流公式可得：



脉冲测试过程中的动态串联电阻Rs



动态栅漏串联电阻增量ΔRD公式为：





2.根据权利要求1所述的一种提取GaNHEMT晶体管动态串联电阻的方法，
其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：何进，何燕冬，魏益群，李春来，胡国庆，何箫梦，
申请(专利权)人：深港产学研基地北京大学香港科技大学深圳研修院，北京大学深圳研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44