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本发明涉及一种提取GaN HEMT晶体管动态串联电阻的方法，在直流和脉冲测试条件下，通过提出的方法，可以在不同的偏置和电压‑电流条件下直接提取GaN HEMT晶体管动态串联栅源电阻R...
该专利属于深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院);北京大学深圳研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院);北京大学深圳研究院授权不得商用。

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