【技术实现步骤摘要】
真空系统测漏方法及用于真空系统的测漏装置
本专利技术涉及真空测漏领域,尤其是真空系统测漏方法及用于真空系统的测漏装置。
技术介绍
检漏仪为设备漏率及漏点测试装置,多用于半导体真空设备检漏测试过程中。市场上使用较多的为氦气检漏仪,其以氦气作为试漏气体,使氦气通过真空设备漏点进入真空管路,被检漏仪中的氦质谱仪探测接收,从而确认漏点。检漏仪漏率测试过程中对测试端口压力有一定要求,当设备存在较大泄露,会导致检漏仪端口压力过高,出于对质谱仪的保护,检漏仪无法正常工作,此时即无法进行漏点确认。同时还应该指出,检漏仪正常工作于设备待机的状态中,而设备运行启动时候无法使用检漏仪进行漏点确认。进一步,这种测试方式仅能找到具体的漏点,但是无法直接地测得整个真空设备的漏率,如要测得整个设备的漏率,就必须找到所有的漏点,由于氦气的成本很高,且每次测试都没有明确的位置,需要全面排查,由此需要消耗大量的人力、物力和时间,造成更大的资源浪费,这样的测试方式显然是不经济的。另外,测出的结果往往也可能存在遗漏,导致最终的结果存在误差。 ...
【技术保护点】
1.真空系统测漏方法,其特征在于:包括如下步骤:/nS1,将真空系统(100)通过测漏管路(200)连接检漏仪(300),所述测漏管路(200)包括两条并行的支路,第一支路(210)上设置有控制其通断的阀体(211),第二支路(220)上设置有流量调节装置(221),检漏仪(300)连接控制器(400);/nS2,至少打开阀体(211),启动检漏仪测漏功能,观察检漏仪反馈的压力值是否满足检漏仪测试端口压力要求,若满足要求,执行S3;若不满足要求,执行S4;/nS3,通过正压测漏法或负压测漏法对真空系统的不同测点进行检测,当检漏仪在一测点处测得的漏率在5秒内上升4×10
【技术特征摘要】
1.真空系统测漏方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1,将真空系统(100)通过测漏管路(200)连接检漏仪(300),所述测漏管路(200)包括两条并行的支路,第一支路(210)上设置有控制其通断的阀体(211),第二支路(220)上设置有流量调节装置(221),检漏仪(300)连接控制器(400);
S2,至少打开阀体(211),启动检漏仪测漏功能,观察检漏仪反馈的压力值是否满足检漏仪测试端口压力要求,若满足要求,执行S3;若不满足要求,执行S4;
S3,通过正压测漏法或负压测漏法对真空系统的不同测点进行检测,当检漏仪在一测点处测得的漏率在5秒内上升4×10-9mBar·L/s时,确认该测点为漏点;
S4,关闭阀体(211),将流量调节装置(221)的流量调节至检漏仪反馈的压力值满足检漏仪端口压力所需的流量值,再按照S3步骤进行测漏。
2.根据权利要求1所述的真空系统测漏方法,其特征在于:所述真空系统是停机的真空设备或待机的真空设备或是运行中的真空设备。
3.根据权利要求1所述的真空系统测漏方法,其特征在于:所述阀体(211)为自动阀,所述流量调节装置(221)为气体质量流量控制器,它们连接所述控制器(400)。
4.根据权利要求1所述的真空系统测漏方法,其特征在于:所述流量调节装置(221)的流量调节范围在0-100slm之间,所述流量调节装置(221)的最小调节精度为0.01sccm。
5.根据权利要求1所述的真空系统测漏方法,其特征在于:在S4中,使所述流量调节装置(221)的流量调节至不超过0.1sccm。
6.根据权利要求1-5所述的真空系统测漏方法,其特征在于:在S1和S2之间还包...
【专利技术属性】
技术研发人员:董旭,赵迎春,熊敏,朱杰,
申请(专利权)人:苏州镓港半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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